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TC1046/47温度-電圧コンバータ. TC1046/47シリーズの温度-電圧コンバータは温度(-40 ° → +125 ℃)を測定し、測定温度に正比例する出力電圧を発生させます。 用途には、携帯電話、温度レギュレータ、温度制御式ファン、温度測定などがあります。. 特長: 供給電圧範囲: 2.7 V → 4.4 V
仕様センサ機能 = 温度出力タイプ = 電圧インターフェースタイプ = アナログ精度 = ±2℃実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃動作供給電圧 Min = 2.7 V動作供給電圧 Max = 4.4 Vパッケージタイプ = SOT-23B長さ = 3.05mm高さ = 1.02mm幅 = 1.4mmセンサーゲイン = 6.25mV/℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,198 税込1,318
7日以内出荷

仕様●センサ機能: 温度●出力タイプ: 電圧●インターフェースタイプ: アナログ●精度: ±2℃●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 3●動作温度 Min: -40 ℃●動作温度 Max: +125 ℃●動作供給電圧 Min: 2.5 V●動作供給電圧 Max: 5.5 V●パッケージタイプ: SOT-23B●長さ: 3.05mm●高さ: 1.02mm●幅: 1.4mm●センサーゲイン: 10mV/℃●TC1046/47温度-電圧コンバータ. TC1046/47シリーズの温度-電圧コンバータは温度(-40 ° → +125 ℃)を測定し、測定温度に正比例する出力電圧を発生させます。 用途には、携帯電話、温度レギュレータ、温度制御式ファン、温度測定などがあります。. 特長: 供給電圧範囲: 2.7 V → 4.4 V
1セット(3000個)
279,800 税込307,780
7日以内出荷

仕様メモリサイズ = 16kbitインターフェースタイプ = シリアル-SPIパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 2 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 1.8 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.25mm動作温度 Max = +85 ℃年25AA160A/25AA160B/25LC160A/25LC160B SPIシリアルEEPROM RoHS指令(10物質対応)対応
1個
129 税込142
5日以内出荷



PIC16F84A 8ビットフラッシュマイクロコントローラ. Microchip製マイクロコントローラのPIC16F製品は、省スペース14ピンデバイスから多機能な64ピンデバイスまで、MicrochipのPICRアーキテクチャをさまざまなピン及びパッケージオプションに組み込む8ビットMCUです。ベースライン、ミッドレンジ又は拡張ミッドレンジアーキテクチャを備えたデバイスには、さまざまな周辺機器の組み合わせが用意されています。これによって各設計者の用途に対し、柔軟性と選択肢を提供します。PIC16F84Aファミリのマイクロコントローラは、8レベルのハードウェアスタックと35個の命令を備えたMicrochipのミッドレンジコアをベースにしています。これらのMCUは、最高5 MIPSの性能を発揮し、1.75 KBのプログラムメモリ、68バイトのRAM、及び64バイトのEEPROMを搭載しています。マイクロコントローラの機能. CPU速度: 最大20 MHz 35の命令 8レベルハードウェアスタック I/Oピン x 13 パワーオンリセット(POR) パワーアップタイマ(PWRT) オシレータスタートアップタイマ(OST) ブラウンアウトリセット(BOR) ウォッチドッグタイマ(WDT) In-Circuitシリアルプログラミング(ICSP). 周辺機器. 1個の8ビットタイマ
仕様ファミリー名 = PIC16Fパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 18デバイスコア = PICデータバス幅 = 8bitプログラムメモリサイズ = 1024 x 14ワード、64 x 14ワード最大周波数 = 4MHzRAMサイズ = 68 BUSBチャンネル = 0SPIチャンネル数 = 0CANチャンネル数 = 0動作温度 Max = +70 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1個
889 税込978
5日以内出荷

PIC12Cxxx、8ビットマイクロコントローラ. この強力な(1マイクロ(μ)秒の命令実行)にもかかわらず、プログラムしやすい(33の単一ワードの命令のみ) CMOS OTPベースの8ビットマイクロコントローラは、Microchipの強力なPICRアーキテクチャを8ピンパッケージに収納。 I/Oあたり25 mAのソース / シンクを備えた6つのI/Oピン、プラグラム可能な較正機能付き内部4 MHz RC発振器を含む4つの発振器オプション、パワーオンリセット 新たに設計する場合は、PIC12Fタイプの使用を検討してください。
仕様ファミリー名 = PIC12Cパッケージタイプ = PDIP実装タイプ = スルーホールピン数 = 8デバイスコア = PICデータバス幅 = 8bitプログラムメモリサイズ = 1024 x 12ワード最大周波数 = 4MHzRAMサイズ = 41 BUSBチャンネル = 0SPIチャンネル数 = 0USARTチャネルの数 = 0動作温度 Max = +70 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1個
289 税込318
5日以内出荷

PIC16F84A 8ビットフラッシュマイクロコントローラ. Microchip製マイクロコントローラのPIC16F製品は、省スペース14ピンデバイスから多機能な64ピンデバイスまで、MicrochipのPICRアーキテクチャをさまざまなピン及びパッケージオプションに組み込む8ビットMCUです。 ベースライン、ミッドレンジ又は拡張ミッドレンジアーキテクチャを備えたデバイスには、さまざまな周辺機器の組み合わせが用意されています。これによって各設計者の用途に対し、柔軟性と選択肢を提供します。 PIC16F84Aファミリのマイクロコントローラは、8レベルのハードウェアスタックと35個の命令を備えたMicrochipのミッドレンジコアをベースにしています。 これらのMCUは、最高5 MIPSの性能を発揮し、1.75 KBのプログラムメモリ、68バイトのRAM、及び64バイトのEEPROMを搭載しています。. マイクロコントローラの機能. CPU速度: 最大20 MHz 35の命令 8レベルハードウェアスタック I/Oピン x 13 パワーオンリセット(POR) パワーアップタイマ(PWRT) オシレータスタートアップタイマ(OST) ブラウンアウトリセット(BOR) ウォッチドッグタイマ(WDT) In-Circuitシリアルプログラミング(ICSP). 周辺機器. 1個の8ビットタイマ
仕様ファミリー名 = PIC16Fパッケージタイプ = PDIP実装タイプ = スルーホールピン数 = 18デバイスコア = PICデータバス幅 = 8bitプログラムメモリサイズ = 1024 x 14ワード、64 x 14ワード最大周波数 = 20MHzRAMサイズ = 68 BUSBチャンネル = 0SPIチャンネル数 = 0CANチャンネル数 = 0動作温度 Max = +85 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,198 税込1,318
5日以内出荷

仕様●メモリサイズ:4kbit●インターフェースタイプ:シリアル-I2C●パッケージタイプ:SOT-23●実装タイプ:表面実装●ピン数:5●構成:2ブロック x 256 x 8ビット●動作供給電圧 Min:2.5 V●動作供給電圧 Max:5.5 V●プログラミング電圧:2.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数:8bit●寸法:3.1 x 1.8 x 1.3mm●動作温度 Max: +85 ℃●24AA04 / 24LC04B I2C シリアルEEPROM. Microchipの24AA04 / 24LC04Bデバイスファミリは、さまざまなパッケージ、温度、及び電源のタイプを取り揃えた4 KビットI2C シリアルEEPROMです。. 特長. シングル電源(24AA04デバイスは最低1.7 V、24LC04Bデバイスは最低2.5 Vで動作) 低消費電力CMOSテクノロジー: 読み取り電流1 mA (標準)、スタンバイ電流1 μA (標準) 2線シリアルインターフェイス、I2C 互換 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 ページの書き込み時間: 3 ms (標準) セルフ時限の消去 / 書き込みサイクル 16バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護 > 4000 V 100万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: >200年間 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(500個)
23,980 税込26,378
5日以内出荷

仕様メモリサイズ:64Mbit 、 インターフェースタイプ:SPI 、 パッケージタイプ:WDFN 、 ピン数:8 、 構成:8 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 長さ:6mm 、 高さ:0.8mm 、 幅:8mm 、 寸法:6 x 8 x 0.8mm 、 動作温度 Max:+85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O (SQI )インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(480個)
299,800 税込329,780
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:64Mbit インターフェースタイプ:SPI パッケージタイプ:WDFN ピン数:8 構成:8 x 8ビット 実装タイプ:表面実装 セルタイプ:スプリットゲート 動作供給電圧 Min:2.7 、 動作供給電圧 Max:3.6 、 長さ:6mm 高さ:0.8mm 幅:8mm 寸法:6 8 0.8mm 動作温度 Max: +85 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,298 税込1,428
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:16Mbit 、 インターフェースタイプ:クワッドSPI 、 パッケージタイプ:SOIC 、 ピン数:8 、 構成:2 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 長さ:4.9mm 、 高さ:1.5mm 、 幅:3.9mm 、 寸法:4.9 x 3.9 x 1.5mm 、 動作温度 Max:+85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
24,980 税込27,478
7日以内出荷

8051アーキテクチャフラッシュISP(インシステムプログラマブル)マイクロコントローラ、Atmel. Atmelは、インシステムプログラミング(ISP)機能を備えたフラッシュ8051マイクロコントローラを提供しています。この製品は、適切なソフトウェアを使用して、パラレル又はシリアルモードのいずれかでプログラミングできます。
仕様ファミリー名 = AT89パッケージタイプ = PLCC実装タイプ = スルーホールピン数 = 44デバイスコア = 8051データバス幅 = 8bitプログラムメモリサイズ = 8 kB最大周波数 = 24MHzRAMサイズ = 256 BUSBチャンネル = 0PWMユニット数 = 0SPIチャンネル数 = 0CANチャンネル数 = 0動作温度 Max = +85 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,298 税込1,428
5日以内出荷

PIC18F2221 2321 4221 4321 8ビットマイクロコントローラ. Microchip製のPIC18Fマイクロコントローラは、Microchip製品の中で最も機能性の高い8ビットデバイスです。 このシリーズには、埋め込みアプリケーションのニーズに適合させるために、包括的なペリフェラルシリーズの一部としてCAN、LIN、イーサネット機能を備えたタイプや、消費電力が重要な検討事項となる用途向けにXLP (超低消費電力)技術を採用したタイプがあります。 PIC18F2221 2321 4221 4321ファミリのマイクロコントローラは、Microchip製のPIC18アーキテクチャをベースにしており、31レベルのハードウェアスタックと77の命令を備えています。 これらのMCUは、最高10 MIPSで動作し、最高8 KBのプログラムメモリ、512バイトのRAM、256バイトのデータEEPROMを備えています。 精度±1 %の構成可能な発振器をオンボードに搭載しています。. マイクロコントローラの機能. CPU速度: 最大40 MHz 77の命令 31レベルのハードウェアスタック 構成可能な内部発振器 選択可能な周波数範囲: MHz 31 kHz I/Oピン 25 PIC18F2221 2321モデル I/Oピン 36 PIC18F4221 4321モデル nanoWatt XLPテクノロジー パワーオンリセット(POR) パワーアップタイマ(PWRT) オシレータスタートアップタイマ(OST) ブラウンアウトリセット(BOR) 拡張ウォッチドッグタイマ(WDT) 低電圧プログラミング(LVP) In-Circuitシリアルプログラミング(ICSP) In-Circuitデバッグ(ICD). 周辺機器. 10ビットA/Dコンバータ(ADC) PIC18F2221 2321 10チャンネル、PIC18F4221 4321 13チャンネル 1つの拡張キャプチャ、比較、PWMモジュール PIC18F4221 4321モードのみ キャプチャ、比較、PWMモジュール PIC18F2221 2321 2、PIC18F4221 4321 1 2個のコンパレータ 1個の8ビットタイマ 16ビットタイマ 3 High Low電圧検出(HLVD)モジュール SPI及びI2Cを備えたマスタ同期シリアルポート(MSSP)モジュール 強化型ユニバーサル同期 非同期レシーバ トランスミッタ(EUSART)
仕様ファミリー名 = PIC18Fパッケージタイプ = SPDIP実装タイプ = スルーホールピン数 = 28デバイスコア = PICデータバス幅 = 8bitプログラムメモリサイズ = 8 kB最大周波数 = 40MHzRAMサイズ = 512 BUSBチャンネル = 0PWMユニット数 = 2SPIチャンネル数 = 1USARTチャネルの数 = 1動作温度 Max = +85 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(15個)
11,980 税込13,178
7日以内出荷

PIC18F242 / 252 / 442 / 452 8 ビットフラッシュマイクロコントローラ
仕様ファミリー名 = PIC18F、パッケージタイプ = SOIC、実装タイプ = 表面実装、ピン数 = 28、デバイスコア = PIC、データバス幅 = 8bit、プログラムメモリサイズ = 16 kB、最大周波数 = 40MHz、RAMサイズ = 768 B、USBチャンネル = 0、PWMユニット数 = 2、SPIチャンネル数 = 1、USARTチャネルの数 = 1、動作温度 Max = +85 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(27個)
32,980 税込36,278
7日以内出荷

8051アーキテクチャフラッシュ(再プログラミング可能)マイクロコントローラ. 高密度の不揮発性メモリ技術を使用してプログラム可能かつ消去可能な読み取り専用メモリを搭載した、Atmelの再プログラミング可能な8051フラッシュマイクロコントローラです。
仕様ファミリー名 = AT89パッケージタイプ = PLCC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 44デバイスコア = 80C51データバス幅 = 8bitプログラムメモリサイズ = 32 kB最大周波数 = 24MHzRAMサイズ = 512 BUSBチャンネル = 0PWMユニット数 = 0SPIチャンネル数 = 0UARTチャンネル数 = 1動作温度 Max = +85 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,598 税込1,758
5日以内出荷

PIC18F2221 2321 4221 4321 8ビットマイクロコントローラ. Microchip製のPIC18Fマイクロコントローラは、Microchip製品の中で最も機能性の高い8ビットデバイスです。 このシリーズには、埋め込みアプリケーションのニーズに適合させるために、包括的なペリフェラルシリーズの一部としてCAN、LIN、イーサネット機能を備えたタイプや、消費電力が重要な検討事項となる用途向けにXLP (超低消費電力)技術を採用したタイプがあります。 PIC18F2221 2321 4221 4321ファミリのマイクロコントローラは、Microchip製のPIC18アーキテクチャをベースにしており、31レベルのハードウェアスタックと77の命令を備えています。 これらのMCUは、最高10 MIPSで動作し、最高8 KBのプログラムメモリ、512バイトのRAM、256バイトのデータEEPROMを備えています。 精度±1 %の構成可能な発振器をオンボードに搭載しています。. マイクロコントローラの機能. CPU速度: 最大40 MHz 77の命令 31レベルのハードウェアスタック 構成可能な内部発振器 選択可能な周波数範囲: MHz 31 kHz I/Oピン 25 PIC18F2221 2321モデル I/Oピン 36 PIC18F4221 4321モデル nanoWatt XLPテクノロジー パワーオンリセット(POR) パワーアップタイマ(PWRT) オシレータスタートアップタイマ(OST) ブラウンアウトリセット(BOR) 拡張ウォッチドッグタイマ(WDT) 低電圧プログラミング(LVP) In-Circuitシリアルプログラミング(ICSP) In-Circuitデバッグ(ICD). 周辺機器. 10ビットA/Dコンバータ(ADC) PIC18F2221 2321 10チャンネル、PIC18F4221 4321 13チャンネル 1つの拡張キャプチャ、比較、PWMモジュール PIC18F4221 4321モードのみ キャプチャ、比較、PWMモジュール PIC18F2221 2321 2、PIC18F4221 4321 1 2個のコンパレータ 1個の8ビットタイマ 16ビットタイマ 3 High Low電圧検出(HLVD)モジュール SPI及びI2Cを備えたマスタ同期シリアルポート(MSSP)モジュール 強化型ユニバーサル同期 非同期レシーバ トランスミッタ(EUSART)
仕様ファミリー名 = PIC18Fパッケージタイプ = TQFP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 44デバイスコア = PICデータバス幅 = 8bitプログラムメモリサイズ = 8 kB、256 B最大周波数 = 40MHzRAMサイズ = 512 BUSBチャンネル = 0PWMユニット数 = 2SPIチャンネル数 = 1I2Cチャンネル数 = 1動作温度 Max = +85 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(160個)
129,800 税込142,780
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:64Mbit 、 インターフェースタイプ:SPI 、 パッケージタイプ:SOIC 、 ピン数:16 、 構成:8 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 ブロック構成:対称 、 長さ:10.3mm 、 高さ:2.05mm 、 幅:7.5mm 、 寸法:10.3 x 7.5 x 2.05mm 、 動作温度 Max: +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,198 税込1,318
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:16Mbit 、 インターフェースタイプ:クワッドSPI 、 パッケージタイプ:WDFN 、 ピン数:8 、 構成:2 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 長さ:6mm 、 高さ:0.8mm 、 幅:5mm 、 寸法:6 x 5 x 0.8mm 、 動作温度 Max: +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,598 税込1,758
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ:16kbit●インターフェースタイプ:シリアル-I2C(TM)パッケージタイプ:PDIP●実装タイプ:スルーホール●ピン数:8●構成:2 x 8ビット●動作供給電圧 Min:2.5 V●動作供給電圧 Max:5.5 V●プログラミング電圧:2.5 5.5V●1ワード当たりのビット数:8bit●寸法:9.4 6.35 3.3mm●データ保持:200年●24AA16 24LC16B I2C(TM)シリアルEEPROM RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(125個)
8,198 税込9,018
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 1kbit●インターフェースタイプ シリアル-I2C(TM)パッケージタイプ SOT-23●実装タイプ 表面実装●ピン数 5●構成 128 8ビット●動作供給電圧 Min 2.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●プログラミング電圧 2.5 5.5V●1ワード当たりのビット数 8bit●寸法 3.1 1.8 1.3mm●ワード数 128年●24AA01 24LC01B I2C(TM)シリアルEEPROM RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(15個)
619 税込681
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:8Mbit●インターフェースタイプ:SPI●パッケージタイプ:PDIP●ピン数:8●構成:1 M x 8ビット●実装タイプ:スルーホール●セルタイプ:スプリットゲート●動作供給電圧 Min:2.7 V●動作供給電圧 Max:3.6 V●長さ:10.16mm●高さ:4.95mm●幅:7.11mm●寸法:10.16 x 7.11 x 4.95mm●ワード数:1M●SST25VF080BシリアルSPI SuperFlashRメモリ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(60個)
15,980 税込17,578
7日以内出荷

PIC17C7、8ビットマイクロコントローラ
仕様ファミリー名 = PIC17パッケージタイプ = PLCC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 68デバイスコア = PICデータバス幅 = 8bitプログラムメモリサイズ = 16K x 16 ワード最大周波数 = 33MHzRAMサイズ = 902 BUSBチャンネル = 0PWMユニット数 = 3 x 10 bitSPIチャンネル数 = 1USARTチャネルの数 = 2動作温度 Max = +85 ℃mmPIC17C7、8ビットマイクロコントローラ RoHS指令(10物質対応)対応
1個
2,798 税込3,078
5日以内出荷

24AA16 24LC16B I2C-シリアルEEPROM
仕様メモリサイズ 16kbitインターフェースタイプ シリアル-I2C(TM)パッケージタイプ SOT-23実装タイプ 表面実装ピン数 5構成 8ブロック 256 8ビット動作供給電圧 Min 2.5 V動作供給電圧 Max 5.5 Vプログラミング電圧 2.5 5.5V1ワード当たりのビット数 8bit寸法 3.1 1.8 1.3mm最大ランダムアクセス時間 900ns24AA16 24LC16B I2C(TM)シリアルEEPROM RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(500個)
27,980 税込30,778
5日以内出荷


仕様●メモリサイズ:2kbit●インターフェースタイプ:シリアル-マイクロワイヤー●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●構成:128 x 16ビット●動作供給電圧 Min:2.5 V●動作供給電圧 Max:5.5 V●プログラミング電圧:2.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数:16bit●寸法:4.9 x 3.9 x 1.25mm●動作温度 Min:-40 ℃年●93AA56B/93C56B/93LC56B MicrowireシリアルEEPROM. Microchipの93AA56B/93C56B/93LC56Bファミリのデバイスは、2 KビットMicrowireシリアルEEPROMです。さまざまなパッケージ、温度、電源タイプを用意しています。. 特長. 16ビット x 128構成 セルフ時限の消去及び書き込みサイクル(自動消去を含む) 自動的にすべて消去(ERAL)後にすべて書き込み(WRAL) 電源オン / オフ時データ保護回路 業界標準3線シリアル入出力 デバイスステータス信号(レディ / ビジー) シーケンシャル読み取り機能 1000000回の消去 / 書き込み データ保持: >200年間 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
5,198 税込5,718
7日以内出荷

仕様●ファミリー名: PIC12F●パッケージタイプ: PDIP●実装タイプ: スルーホール●ピン数: 8●デバイスコア: PIC●データバス幅: 8bit●プログラムメモリサイズ: - KB●最大周波数: 32MHz●RAMサイズ: 256 B●USBチャンネル: 0●PWMユニット数: 1●SPIチャンネル数: 1●CANチャンネル数: 0●動作温度 Max: +125 ℃mm●PIC12F1822 - 1840 8ビットフラッシュマイクロコントローラ. MicrochipのPIC12マイクロコントローラ(MCU)は、世界初の8ピンマイクロコントローラでした。 当初はワンタイムプログラマブル(OTP)部品として発売されたこのデバイスシリーズは、継続的な拡張により、特別な機能やさらなる改善が加えられています。 PIC12F1822 - 1840ファミリのマイクロコントローラは、深いハードウェアスタックと49個の命令を備えた、Microchipの拡張ミッドレンジコアをベースにしています。 これらのMCUは、最大8 MIPSで動作し、3.5 KBのプログラムメモリと128バイトのデータメモリを備えています。 精度±1 %の構成可能なRC発振器をオンボードに搭載しています。. 特長. 49の命令 16レベルハードウェアスタック 16 MHz内蔵発振器 - 選択可能な出力範囲: 16 MHz - 31 kHz I/Oピン - 6 コンパレータ - 1 4チャンネル10ビットA/Dコンバータ(ADC) 4チャンネル静電容量式タッチセンサ(mTouch(TM))モジュール 2個の8ビットタイマ 1個の16ビットタイマ 強化されたキャプチャ - コンペア - PWM (ECCP)モジュール - 1 SPI及びI2C(TM)備えたマスタ同期シリアルポート(MSSP) EUSART インサーキットシリアルプログラミング(ICSP) 超低消費電力(XLP)テクノロジー RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(60個)
15,980 税込17,578
7日以内出荷

仕様●ファミリー名: PIC18F●パッケージタイプ: QFN●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 20●デバイスコア: PIC●データバス幅: 8bit●プログラムメモリサイズ: - kB、8 kB●最大周波数: 64MHz●RAMサイズ: 256 B●USBチャンネル: 0●PWMユニット数: 1×10 bit●SPIチャンネル数: 1●UARTチャンネル数: 1●動作温度 Max: +85 ℃mm●PIC18F1xK22 8ビットフラッシュマイクロコントローラ. PIC18F2×1x - 4×1xファミリのマイクロコントローラは、31レベルのハードウェアスタックと75の命令を備えたPIC18アーキテクチャをベースにしています。 eXtreme Low Power技術を採用しており、低消費電力が重視される用途に最適です。. マイクロコントローラの機能. CPU処理能力: 16 MIPS (最大) 75の命令 - 83の拡張命令セットを有効化 31レベルのハードウェアスタック 構成可能な内部発振器 - 選択可能な周波数範囲: 16 MHz - 31 kHz I/Oピン - 18 パワーオンリセット(POR) パワーアップタイマ(PWRT) オシレータスタートアップタイマ(OST) ブラウンアウトリセット(BOR) 拡張ウォッチドッグタイマ(WDT) In-Circuitシリアルプログラミング(ICSP) In-Circuitデバッグ(ICD). eXtreme Low-Power (XLP)機能. スリープモード: 34 nA ウォッチドグタイマ: 460 nA タイマ1発振器: 650 nA - 32 kHz. 周辺機器. 10ビットA - Dコンバータ(ADC) - 12チャンネル コンパレータモジュール 電圧リファレンスモジュール 16ビットタイマ - 3 1個の8ビットタイマ 強化されたキャプチャ - コンペア - PWMモジュール SPI及びI2C(TM)備えたマスタ同期シリアルポート(MSSP)モジュール 強化型アドレス指定可能ユニバーサル同期 - 非同期レシーバ - トランスミッタ(EUSART) SRラッチモジュール RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(91個)
27,980 税込30,778
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:16Mbit、インターフェースタイプ:SPI、パッケージタイプ:SOIC、ピン数:8、構成:2 M x 8ビット、実装タイプ:表面実装、セルタイプ:スプリットゲート、動作供給電圧 Min:2.7 V、動作供給電圧 Max:3.6 V、長さ:4.9mm、高さ:1.25mm、幅:3.9mm、寸法:4.9 x 3.9 x 1.25mm、ワード数:2M、SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,498 税込1,648
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:64Mbit●インターフェースタイプ:SPI●パッケージタイプ:SOIJ●ピン数:8●構成:8 x 8ビット●実装タイプ:表面実装●セルタイプ:スプリットゲート●動作供給電圧 Min:2.7 V●動作供給電圧 Max:3.6 V●ブロック構成:対称●長さ:5.26mm●高さ:1.98mm●幅:5.25mm●寸法:5.26 5.25 1.98mm●ワード数:8M●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
47,980 税込52,778
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 32Mbit●インターフェースタイプ SPI●パッケージタイプ SOIJ●ピン数 8●構成 4 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 2.7 V●動作供給電圧 Max 3.6 V●ブロック構成 対称●長さ 5.26mm●高さ 1.98mm●幅 5.25mm●寸法 5.26 5.25 1.98mm●シリーズ SST26bit●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは●シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで●6線式●4ビットI/Oインターフェイスを備えており●ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力●高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば●最高で104 MHzの性能を発揮し●最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは●従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは●SuperFlashR技術を使用することで●他のフラッシュメモリ代替品に比べると●非常に優れた消去時間を発揮します。 通常●セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し●完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O●SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)●スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)●チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
29,980 税込32,978
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 32Mbit●インターフェースタイプ SPI●パッケージタイプ WDFN●ピン数 8●構成 4 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 2.7 V●動作供給電圧 Max 3.6 V●ブロック構成 対称●長さ 6mm●高さ 0.75mm●幅 5mm●寸法 6 5 0.75mm●シリーズ SST26bit●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは●シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで●6線式●4ビットI/Oインターフェイスを備えており●ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力●高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば●最高で104 MHzの性能を発揮し●最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは●従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは●SuperFlashR技術を使用することで●他のフラッシュメモリ代替品に比べると●非常に優れた消去時間を発揮します。 通常●セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し●完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O●SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)●スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)●チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,998 税込2,198
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:64Mbit●インターフェースタイプ:SPI●パッケージタイプ:WDFN●ピン数:8●構成:8 x 8ビット●実装タイプ:表面実装●セルタイプ:スプリットゲート●動作供給電圧 Min:2.7 V●動作供給電圧 Max:3.6 V●ブロック構成:対称●長さ:6mm●高さ:0.75mm●幅:5mm●寸法:6 5 0.75mm●最大ランダムアクセス時間:3ns●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,198 税込1,318
7日以内出荷

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