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Microchip 25AA256-I/P は、256 K ビットシリアル電気消去可能 PROM です。このメモリには、シンプルなシリアルペリフェラルインターフェース(SPI)互換のシリアルバスを使用してアクセスします。必要なバス信号は、クロック入力(SCK)に加えて、データ入力(SI)とデータ出力(SO)の個別のラインです。デバイスへのアクセスは、チップ選択(CS)入力によって制御されます。デバイスとの通信は、ホールド(HOLD)ピンで一時停止させることができます。最大クロック: 10 MHz 低電力CMOSテクノロジー: 書き込み電流: 5 mA (最大) @ 5.5 V - 読み取り電流: 5 mA (最大) @ 5.5 V、10 MHz - スタンバイ電流: 1 μA @ 5.5V セルフ時限の消去及び書き込みサイクル: 5 ms (最大) ブロック書き込み保護: 保護なし、1/4、1/2、全アレイ 内蔵書込み保護: 電源オン / オフ時データ保護回路、書き込み有効ラッチ、書き込み保護ピン シーケンシャル読み取り 高い信頼性: 耐久性: 100万回の消去 / 書き込みサイクル - データ保持: 200年 - ESD保護: 4000 V 対応温度範囲： 車載向けAEC-Q100認定

25AA256/25LC256 SPIシリアルEEPROM. Microchipの25AA256/25LC256ファミリのデバイスは、256 KビットSPIシリアルEEPROMです。さまざまなパッケージ、温度、電源タイプを用意しています。 シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)はクロック入力(SCK)、データ入力(SI)、データ出力(SO)信号が必要な場合に利用します。 このデバイスの動作はホールドピン(HOLD)から一時停止できます。これにより、チップセレクト(CS)ピンから定義されている優先度の高い割り込みを除く入力が無視されます。. 特長. 最大クロック: 10 MHz 最大書き込み電流: 5 mA 読み取り電流: 6 mA (標準) スタンバイ電流: 1 μA (標準) 32，768 x 8ビット構成 64バイトページ セルフ時限の消去及び書き込みサイクル: 5 ms (最大) ブロック書き込み保護: 保護なし、1/4、1/2、全アレイ 内蔵書込み保護: 電源オン / オフ時データ保護回路、書き込み有効ラッチ、書き込み保護ピン シーケンシャル読み取り 耐久性: >1 M回の消去 / 書き込み データ保持: >200年間 ESD保護: >4000 V

ARMR CortexR-M4プロセッサベースのマイクロコントローラ(MCU)であるSAM4E8Eは、FPU及び高データ帯域幅アーキテクチャを特長としており、産業オートメーション用途やビル管理用途向け製品です。このデバイスは、512 KBフラッシュを内蔵し、2.0 A/B対応CANインターフェース x 2、IEEE1588規格対応の10 / 100 MbpsイーサネットMAC x 1をはじめとする、複数のネットワーク / 接続用ペリフェラルを搭載しています。その他の通信インターフェイスには、FS USBデバイス、HS SDCard / SDIO / MMCインターフェイス、USART、SPI、複数のTWIなどがあります。マイクロコントローラの機能 コア ARM7TDMIR ARMR ThumbRプロセッサ32ビットRISCアーキテクチャ 高密度16ビット命令セット EmbeddedICEインサーキットエミュレーション、デバッグ通信チャンネルサポート メモリ 128 Kb、256バイトの512ページ(シングルプレーン)で構成 32 Kb組み込みSRAM、最大速度での単一サイクルアクセス

Microchip AT27C020 2 Mb の低消費電力、高性能ワンタイムプログラマブル EPROM は、 256 K ビット x 8 として構成されています。4.5 → 5.5 V の電圧範囲で動作します。通常の読み取りモードでの標準消費電力はわずか 8 mA で、スタンバイモードの供給電流は標準で 10 μ A 未満です。どのバイトにも 55 ns 未満でアクセスできるため、高性能マイクロプロセッサシステムでの速度低減 WAIT ステートが不要になります。低電力 CMOS 動作 アクセス時間は 90 ns です ESD 保護： 2 、 000 V ラッチアップ耐性： 200 mA Rapid Programming アルゴリズム： 100 μ s/ バイト(標準) CMOS及びTTL互換入出力 製品識別コードを内蔵 使用温度範囲： -40 → 85 ° C 32 リード、プラスチック J リード付きチップキャリア( PLCC )パッケージ

SMART SAM3U ARMR Cortex-M3マイクロコントローラ. ARMR CortexR-M3フラッシュマイクロコントローラをベースとするAtmelR SMART SAM3Uには、オンチップ高速USBデバイス / トランシーバ、SDIO/SDCard/MMC、そしてSPIインターフェイスが装備されています。 このシリーズには、QTouch静電容量タッチサポート、デュアルバンクフラッシュ、メモリ保護ユニットも含まれます。

24AA02/24LC02B I2CシリアルEEPROM. Microchipの24AA02/24LC02Bファミリのデバイスは、2 KビットI2C シリアルEEPROMです。各種のパッケージ、温度、電源のバージョンが揃っています。. 特長. 単独の電源で1.7 V (24AA02デバイス)、2.5 V (24LC02Bデバイス)で動作 低消費電力CMOSテクノロジー: 読み取り電流: 1 mA (最大)、スタンバイ電流1 μA (最大) 2線シリアルインターフェイス、I2C互換 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 ページの書き込み時間: 3 ms (標準) セルフ時限の消去 / 書き込みサイクル 8バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護 4，000 V 100万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: 200年間

24AA02/24LC02B I2C-シリアルEEPROM. Microchipの24AA02/24LC02Bファミリのデバイスは、2 KビットI2C-シリアルEEPROMです。各種のパッケージ、温度、電源のバージョンが揃っています。特長. 単独の電源で1.7 V (24AA02デバイス)、2.5 V (24LC02Bデバイス)で動作 低消費電力CMOSテクノロジー: 読み取り電流: 1 mA (最大)、スタンバイ電流1 μA (最大) 2線シリアルインターフェイス、I2C互換 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 ページの書き込み時間: 3 ms (標準) セルフ時限の消去 / 書き込みサイクル 8バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護 > 4，000 V 100万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: >200年間

24AA02/24LC02B I2C シリアルEEPROM. Microchipの24AA02/24LC02Bファミリのデバイスは、2 KビットI2C シリアルEEPROMです。各種のパッケージ、温度、電源のバージョンが揃っています。. 特長. 単独の電源で1.7 V (24AA02デバイス)、2.5 V (24LC02Bデバイス)で動作 低消費電力CMOSテクノロジー: 読み取り電流: 1 mA (最大)、スタンバイ電流1 μA (最大) 2線シリアルインターフェイス、I2C 互換 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 ページの書き込み時間: 3 ms (標準) セルフ時限の消去 / 書き込みサイクル 8バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護 4，000 V 100万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: 200年間

Atmel UC3-A3 XPLAINED評価キットは、Atmel AT32UC3A3256マイクロコントローラを評価するためのハードウェアプラットフォームです。AtmelR AT32UC3A3256マイクロコントローラ 64 MビットSDRAM アナログ入力(ADCへ) - 温度センサ - RCフィルタ 入出力 - 機械式ボタン x 1 - LED x 4 - 拡張ヘッダ x 4 外部メモリ用フットプリント

24AA02/24LC02B I2C-シリアルEEPROM. Microchipの24AA02/24LC02Bファミリのデバイスは、2 KビットI2C シリアルEEPROMです。各種のパッケージ、温度、電源のバージョンが揃っています。. 特長. 単独の電源で1.7 (24AA02デバイス)、2.5 (24LC02Bデバイス)で動作 低消費電力CMOSテクノロジー: 読み取り電流: mA (最大)、スタンバイ電流1 μA (最大) 2線シリアルインターフェイス、I2C互換 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 ページの書き込み時間: ms (標準) セルフ時限の消去 書き込みサイクル 8バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護4，000 100万回を超える消去 書き込みサイクル データ保持:200年間

24AA08/24LC08B I2C-シリアルEEPROM。Microchipの24AA08/24LC08Bファミリのデバイスは、8 KビットI2C-シリアルEEPROMです。各種のパッケージ、温度、電源のバージョンが揃っています。単独の電源で1.7 V (24AA08デバイス)、2.5 V (24LC08Bデバイス)で動作 低消費電力CMOSテクノロジー: 読み取り電流: 1 mA (最大)、スタンバイ電流1 μA (最大) 2線シリアルインターフェイス、I2C互換 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 ページの書き込み時間: 3 ms (標準) セルフ時限の消去 / 書き込みサイクル 16バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護 > 4，000 V 100万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: >200年間