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SRAM、Microchip
仕様メモリサイズ = 512kbit構成 = 64 k x 8ビットワード数 = 64k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 5nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 20MHzローパワー = ありタイミングタイプ = シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.25mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 3.9mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
¥32,980
税込¥36,278
7日以内出荷
仕様メモリサイズ:512kbit 、 構成:64 K x 8ビット 、 ワード数:64K 、 1ワード当たりのビット数:8bit 、 最大ランダムアクセス時間:5ns 、 アドレスバス幅:8bit 、 クロック周波数:20MHz 、 ローパワー:あり 、 タイミングタイプ:シンクロナス 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:SOIC 、 ピン数:8 、 寸法:4.9 x 3.9 x 1.5mm 、 高さ:1.5mm 、 動作温度 Min:-40 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
¥29,980
税込¥32,978
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様●メモリサイズ:512kbit●インターフェースタイプ:シリアル-SPI●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●構成:64 K x 8ビット●動作供給電圧 Min:2.5 V●動作供給電圧 Max:5.5 V●プログラミング電圧:2.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数:8bit●寸法:4.9 x 3.9 x 1.25mm●最大ランダムアクセス時間:50ns●25AA512/25LC512 SPIシリアルEEPROM. Microchipの25AA512/25LC512ファミリのデバイスは、32 KビットSPIシリアルEEPROMです。さまざまなパッケージ、温度、電源タイプを用意しています。 一般に、フラッシュベース製品に関連するページ、セクタ、チップ消去機能を搭載しています。 シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)はクロック入力(SCK)、データ入力(SI)、データ出力(SO)信号が必要な場合に利用します。 このデバイスの動作はホールドピン(HOLD)から一時停止できます。これにより、チップセレクト(CS)ピンから定義されている優先度の高い割り込みを除く入力が無視されます。. 特長. 最大クロック速度: 20 MHz バイト及びページレベルの書き込み操作(最大5 ms): ページ又はセクタ消去が不要 128バイトページ 最大書き込み電流: 5 mA @ 5.5 V、20 MHz 読み取り電流: 10 mA @ 5.5 V、20 MHz スタンバイ電流: 1 μA @ 2.5 V (ディープパワーダウン) デバイスID用の電子署名 セルフ時限の消去及び書き込みサイクル: ページ消去(5 ms、標準)、セクタ消去(10 ms/セクタ、標準)、バルク消去(10 ms、標準) セクタ書き込み保護(16 Kバイト/セクタ): 保護なし、1/41/2、全アレイ 内蔵書込み保護: 電源オン / オフ時データ保護回路、書き込み有効ラッチ、書き込み保護ピン 耐久性: 100万回の消去 / 書き込み データ保持: >200年間 ESD保護: >4000 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
¥39,980
税込¥43,978
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ:512kB●インターフェースタイプ:シリアル-SPI●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●構成:65536 x 8ビット●動作供給電圧 Min:2.5 V●動作供給電圧 Max:5.5 V●プログラミング電圧:2.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数:8bit●寸法:4.9 x 3.9 x 1.5mm●データ保持:200年●25AA512/25LC512 SPIシリアルEEPROM. Microchipの25AA512/25LC512ファミリのデバイスは、32 KビットSPIシリアルEEPROMです。さまざまなパッケージ、温度、電源タイプを用意しています。 一般に、フラッシュベース製品に関連するページ、セクタ、チップ消去機能を搭載しています。 シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)はクロック入力(SCK)、データ入力(SI)、データ出力(SO)信号が必要な場合に利用します。 このデバイスの動作はホールドピン(HOLD)から一時停止できます。これにより、チップセレクト(CS)ピンから定義されている優先度の高い割り込みを除く入力が無視されます。. 特長. 最大クロック速度: 20 MHz バイト及びページレベルの書き込み操作(最大5 ms): ページ又はセクタ消去が不要 128バイトページ 最大書き込み電流: 5 mA @ 5.5 V、20 MHz 読み取り電流: 10 mA @ 5.5 V、20 MHz スタンバイ電流: 1 μA @ 2.5 V (ディープパワーダウン) デバイスID用の電子署名 セルフ時限の消去及び書き込みサイクル: ページ消去(5 ms、標準)、セクタ消去(10 ms/セクタ、標準)、バルク消去(10 ms、標準) セクタ書き込み保護(16 Kバイト/セクタ): 保護なし、1/41/2、全アレイ 内蔵書込み保護: 電源オン / オフ時データ保護回路、書き込み有効ラッチ、書き込み保護ピン 耐久性: 100万回の消去 / 書き込み データ保持: >200年間 ESD保護: >4000 V
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