RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥1,698
税込¥1,868
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仕様メモリサイズ:4Mbit、インターフェースタイプ:パラレル、パッケージタイプ:PLCC、ピン数:32、構成:512 K x 8ビット、実装タイプ:表面実装、セルタイプ:スプリットゲート、動作供給電圧 Min:4.5 V、動作供給電圧 Max:5.5 V、長さ:11.43mm、高さ:2.79mm、幅:13.97mm、寸法:11.43 x 13.97 x 2.79mm、ワード数:512K、SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは、パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性ー100,000回(標準) 低消費電力 - アクティブ電流10 mA、スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 → 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間ー14 μs(標準) チップ書換え時間ーSST39SF010A 2秒、SST39SF020A 4秒、SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込みー内部VPP生成 End-of-Write検出ートグルビットーデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格ーフラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット
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RoHS指令(10物質対応)対応
仕様分解能:11ビット 、 インターフェースタイプ:SPI 、 センシング技術:スプレッド-スペクトラムチャージ-トランスファー 、 センシングワイヤータイプ:結線済み 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:TQFP 、 ピン数:32 、 標準動作供給電圧:3 → 5.25 V 、 寸法:7.1 x 7.1 x 1.05mm 、 長さ:7.1mm 、 幅:7.1mm 、 高さ:1.05mm 、 動作温度 Max:+105 ℃ 、 動作温度 Min:-40 ℃ 、 QT60168 16チャンネルQMatrixRタッチセンサIC
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
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仕様サポート規格:IEEE802.3/802.3u、ISO 802-3/IEEE802.3 、 トランシーバ数:1 、 データレート:100Mbps 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:QFN 、 ピン数:32 、 標準動作供給電圧:1.62 → 3.6 V 、 寸法:5.1 x 5.1 x 0.95mm 、 高さ:0.95mm 、 長さ:5.1mm 、 動作温度 Max:+85 ℃ 、 動作温度 Min:0 ℃ 、 幅:5.1mm 、 LAN8710A 10/100イーサネットトランシーバ
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(490個)
¥77,980
税込¥85,778
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仕様分解能:10ビット 、 インターフェースタイプ:I2C, シリアルSPI 、 センシング技術:スプレッド-スペクトラムチャージ-トランスファー 、 センシングワイヤータイプ:結線済み 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:MLF 、 ピン数:32 、 標準動作供給電圧:1.8 → 5.25 V 、 寸法:5 x 5 x 0.95mm 、 長さ:5mm 、 幅:5mm 、 高さ:0.95mm 、 動作温度 Max:+85 ℃ 、 動作温度 Min:-40 ℃ 、 QT60240 24チャンネルQMatrixRタッチセンサIC
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥969
税込¥1,066
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RoHS指令(10物質対応)対応
仕様サポート規格:IEEE 802.3 、 1チップ当たりのチャンネル数:1 、 標準データレート:10 Mbps, 100 Mbps 、 インテグレーテッドCDR:あり 、 電源タイプ:シングル 、 標準動作供給電圧:3.3 V 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:QFN 、 ピン数:32 、 寸法:5 x 5 x 0.95mm 、 高さ:0.95mm 、 長さ:5mm 、 動作温度 Max:+85 ℃ 、 幅:5mm 、 イーサネットトランシーバ、Micrel Inc. Micrelでは、高速なギガビットイーサネット物理層トランシーバにとってエネルギー効率が高く、コンパクトでコスト効果の高い、高集積化されたソリューションを提供しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,498
税込¥1,648
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RoHS指令(10物質対応)対応
仕様メモリサイズ:4Mbit 、 インターフェースタイプ:パラレル 、 パッケージタイプ:PLCC 、 ピン数:32 、 構成:512 K x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 ブロック構成:対称 、 長さ:11.51mm 、 高さ:2.84mm 、 幅:14.05mm 、 寸法:11.51 x 14.05 x 2.84mm 、 動作温度 Min:0 ℃ 、 SST39VF010/020/040パラレルSuperFlashRメモリ
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1セット(30個)
¥12,980
税込¥14,278
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RoHS指令(10物質対応)対応
仕様メモリサイズ:16Mbit、インターフェースタイプ:SPI、パッケージタイプ:SOIC、ピン数:8、構成:2 M x 8ビット、実装タイプ:表面実装、セルタイプ:スプリットゲート、動作供給電圧 Min:2.7 V、動作供給電圧 Max:3.6 V、長さ:4.9mm、高さ:1.25mm、幅:3.9mm、寸法:4.9 x 3.9 x 1.25mm、ワード数:2M、SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
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