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FDV305N ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 900 mA， 3 ピンパッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 900 mA， 3 ピンパッケージSOT-23

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 900 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 220 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 350 mWトランジスタ素材 = SiPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥479 税込￥527

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ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET

1個ほか

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FDV303N ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 25 V， 680 mA， 3 ピンパッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 25 V， 680 mA， 3 ピンパッケージSOT-23

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 680 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V最大ゲート-ソース間電圧 = +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 350 mW動作温度 Min = -55 ℃強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(100個)

￥1,598 税込￥1,758

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