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仕様標準ツェナー電圧 = 16V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 7.8mA最大ツェナーインピーダンス = 17Ω最大逆漏れ電流 = 100nA長さ = 4.56mm直径 = 1.91mm寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 17Ω最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 4.56mm直径 = 1.91mm寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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ON SEMICONDUCTORON Semiconductor デュアル Nチャンネル 小信号 MOSFET， 25 V， 500 mA， 6 ピン パッケージSOT-363 (SC-70)
RoHS
RoHS
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 770 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V最大ゲート-ソース間電圧 = +8 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-70)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 300 mW標準ターンオフ遅延時間 = 17 ns強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 17Ω最大逆漏れ電流 = 3μA長さ = 4.56mm直径 = 1.91mm寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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