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仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = 20 → 40mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = -25Vトランジスタ構成 = コモンソース実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = CPHピン数 = 6ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 6pFソースゲート オンキャパシタンス = 2.3pF寸法 = 2.9 x 1.6 x 0.9mm幅 = 1.6mmNチャンネルJFET、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = CPH実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.2 W最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = コモンエミッタ最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V、100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V、6 V最大動作周波数 = 380 MHz、390 MHzピン数 = 51チップ当たりのエレメント数 = 2最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = -1.2 V、1.2 VデュアルNPN/PNPトランジスタ、ON Semiconductor. デュアルトランジスタパッケージで、それぞれ1つのNPNデバイスとPNPデバイスを含みます。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
2,198 税込2,418
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