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仕様●ダイオード構成 ： コモンアノード●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●パッケージタイプ ： SOT-346●ダイオードテクノロジー ： シリコンジャンクション●ピン数 ： 3V●動作温度 Min ： -55 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃●長さ ： 2.9mm●幅 ： 1.6mm●高さ ： 1.1mm●寸法 ： 1.1 x 2.9 x 1.6mm●ローム スイッチングダイオード
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥889
税込￥978
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -500 mA●パッケージタイプ： SMT●実装タイプ： 表面実装●最小DC電流ゲイン： 47●トランジスタ構成： シングル●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●ベースエミッタ抵抗器： 4.7kΩ●デュアル抵抗内蔵デジタルPNPトランジスタ、ROHM
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥449
税込￥494
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 500 mA●パッケージタイプ： SMT●実装タイプ： 表面実装●最小DC電流ゲイン： 56●トランジスタ構成： シングル●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Max： +150 ℃kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥309
税込￥340
翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 800 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 32 V●パッケージタイプ： SOT-346●実装タイプ： 表面実装●最小DC電流ゲイン： 120●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●ROHM ミディアムパワートランジスタは、定格電圧が 32 V です。主に低周波数アンプ及びドライバで使用されます。高電流 小型パッケージ
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥43,980
税込￥48,378
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 150 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 50 V●パッケージタイプ ： SMT●実装タイプ ： 表面実装●最大パワー消費 ： 200 mW●最小DC電流ゲイン ： 120●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 60 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 7 V●最大動作周波数 ： 180 MHz●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●寸法 ： 1.1×2.9×1.6mm●ローム PNP小信号トランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥889
税込￥978
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 500 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 50 V●パッケージタイプ： SOT-346●実装タイプ： 表面実装●最小DC電流ゲイン： 120●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥1,598
税込￥1,758
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 500 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 50 V●パッケージタイプ： SOT-346 (SC-59)●実装タイプ： 表面実装●最大パワー消費： 200 mW●最小DC電流ゲイン： 56●トランジスタ構成： シングル●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●ベースエミッタ抵抗器： 10kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥459
税込￥505
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 180 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.5 VPNP小信号トランジスタ、ローム
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥849
税込￥934
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 82トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V最大動作周波数 = 1500 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 1.1mmRFバイポーラトランジスタ、ローム. RFアンプやHF発振器などの用途に適した、ROHMワイドバンド高周波数バイポーラ接合トランジスタです。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥639
税込￥703
翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -800 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -32 V●パッケージタイプ： SOT-346●実装タイプ： 表面実装●最小DC電流ゲイン： 120●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●ROHM 低周波数トランジスタは、定格電圧が -32 V です。主に低周波数パワーアンプで使用されます。2SD1781K を補完します
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥2,198
税込￥2,418
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 180トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 140 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.6mmNPN小信号トランジスタ、ローム
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥659
税込￥725
翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -150 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -50 V●パッケージタイプ： SOT-346●実装タイプ： 表面実装●最大パワー消費： 200 mW●最小DC電流ゲイン： 120●トランジスタ構成： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： -60 V●最大エミッタ-ベース間電圧： -6 V●最大動作周波数： 140 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●寸法： 3×1.8×1.2mm●ローム PNP小信号トランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(150個)
￥2,198
税込￥2,418
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 32 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.6mmPNP パワートランジスタ、ローム
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥639
税込￥703
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V最大動作周波数 = 140 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 1.1mmPNP小信号トランジスタ、ローム
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥150
税込￥165
欠品中
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