「シングル」の検索結果

最大連続コレクタ電流 = 15 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.3mm。動作温度 Min = -55 ℃。IGBTディスクリート、STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流 = 23 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 25 W。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 10.4 x 4.6 x 20mm。動作温度 Min = -55 ℃pF。IGBTディスクリート、STMicroelectronics

アンプタイプ = オーディオ。出力タイプ = シングルエンド。最大電力 = 14W。実装タイプ = スルーホール。電源タイプ = デュアル電源。パッケージタイプ = MULTIWATT V。ピン数 = 11。入力信号タイプ = シングル。出力信号タイプ = シングルエンド。動作温度 Min = 0 ℃mm。クラスABオーディオパワーアンプ、STMicroelectronics. モノラル、ステレオ及びマルチチャンネルのソリューション 幅広い出力オプション

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = D2PAK。最大連続 順方向電流 = 30A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ファストリカバリー。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.45V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ピーク逆回復時間 = 100ns

アンプタイプ = オーディオ。出力タイプ = 1チャンネルモノ。最大電力 = 80W。実装タイプ = スルーホール。電源タイプ = デュアル電源。パッケージタイプ = MULTIWATT V。ピン数 = 15。入力信号タイプ = 差動。出力信号タイプ = シングルエンド。寸法 = 19.6 x 5 x 10.7mm。クラスABオーディオパワーアンプ、STMicroelectronics. モノラル、ステレオ及びマルチチャンネルのソリューション 幅広い出力オプション

アンプタイプ = 高電流。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 4。ピン数 = 14。標準シングル供給電圧 = 3 V、5 V。標準ゲイン帯域幅積 = 4MHz。標準スルーレート = 1.3V/μs。動作温度 Min = -40 ℃。標準電圧ゲイン = 106 dB。幅 = 4mm。TS92x、TS92xA、優れたオーディオ性能 / 低歪みオペアンプ. TS921 (シングル)、TS922 (デュアル)、TS924 (クワッド)、TS925 (クワッド) BiCMOSオペアンプは、3 ～ 5 Vの動作向けに最適化され、完全に仕様規定されています。. レールツーレール入力 / 出力 低ノイズ: 9 nV/√Hz 低歪み: 0.005 % 高出力電流: 80 mA (32 Ωの負荷を駆動可能) 高速: 4 MHz 低入力オフセット電圧: 最大900 μV (TS92xA) 電源: 2.7 → 12 V

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 15 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 15 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

ダイオード構成 シングル。最大クランピング電圧 27.2V。最小ブレークダウン電圧 14.3V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-15。最大逆スタンドオフ電圧 12.8V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 600W。最大ピークパルス電流 147A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃mm。幅 3.53mm。Transil TVS単方向軸600 W、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.6 W。最小DC電流ゲイン = 16。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 V。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 V。パッケージタイプ = SOT-32。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1.25 W。最小DC電流ゲイン = 100， 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。汎用PNPトランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 15 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 90 W。最小DC電流ゲイン = 20。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大動作周波数 = 3 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 20 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 50 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -300 V。パッケージタイプ = SOT-32。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 20.8 W。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.8 x 7.8 x 2.7mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル。最大クランピング電圧 706V。最小ブレークダウン電圧 380V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-15。最大逆スタンドオフ電圧 342V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 600W。最大ピークパルス電流 5.7A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -65 ℃。寸法 6.75 3.53 3.53mm。幅 3.53mm。Transil TVS単方向軸600 W、STMicroelectronics

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大連続 順方向電流 = 20A。ピーク逆繰返し電圧 = 120V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 930mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。STMicroelectronics ショットキーバリアダイオード 20 → 25 A

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 20 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 20 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 50 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 15。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

ダイオード構成 シングル。最大クランピング電圧 388V。最小ブレークダウン電圧 209V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-201。最大逆スタンドオフ電圧 188V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 1500W。最大ピークパルス電流 26A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -65 ℃。寸法 9.5 5.3 5.3mm。テスト電流 1mA。Transil TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics