「抵抗 高電圧用」の検索結果

併用可能製品 = デジタルコア HDD アプリケーションの低電圧、 LCD アプリケーションの高電圧の給電。キットの分類 = 評価ボード。対象機器 = ST1S10。キット名 = Demonstration Board。STEVAL-ISA044V5 は、 Power SO-8 ePad パッケージに組み込まれた ST1S10 デバイスをベースにしたデモボードです。ST1S10 は、インヒビット機能を備えたステップダウン DC-DC コンバータで、 LCD 用途の高電圧及びデジタルコア HDD 用途の低電圧への電力供給に最適化されています。高消費電力が問題になると、高電流リニアソリューションに取って代わります。2.5 → 18.0 V の入力電圧範囲で最大 3 A を供給し、同期整流により外部ショットキーダイオードは不要です。高い内部スイッチング周波数( 900 kHz )により、小型の表面実装部品や、出力電圧値を設定するための抵抗分圧器を使用することができます。インダクタと 3 個のコンデンサのみが必要です。電流モード PWM アーキテクチャを採用し、低 ESR SMD セラミックコンデンサで安定動作することにより、出力リプルが低く抑えられます。軽負荷時の電力変換効率を最大化するために、レギュレータはバーストモードで自動的に動作します。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 80 A。最大ドレイン-ソース間電圧 55 V。シリーズ STripFET F3。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 8.5 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V。長さ 6.6mm。高さ 2.4mm。NチャンネルSTripFET F3、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 158 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 35 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -25 V， +25 V。幅 4.6mm。高さ 16.4mm。NチャンネルMDmesh、500 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 800 V。シリーズ MDmesh， SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 900 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 40 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。トランジスタ素材 Simm。高さ 9.3mm。STMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 13 A。最大ドレイン-ソース間電圧 600 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 285 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -25 V， +25 V。幅 4.6mm。高さ 15.75mm。NチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 600 V。シリーズ MDmesh， SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ω。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 70 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.6mm。高さ 9.15mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 14 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ MDmesh， SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 380 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 150 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。長さ 15.75mm。高さ 20.15mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 7.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 700 V。シリーズ MDmesh， SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 1.2 Ω。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 35 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。標準ゲートチャージ Vgs 48 nC 10 Vmm。高さ 16.4mm。STMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V

パッケージタイプ = TSSOP。ディスプレイタイプ = LED。ピン数 = 16。供給電圧 = 2.5 V、3.3 V、5 V。最大供給電流 = (Off， On) 13.5mA。動作温度 Min = -40℃。実装タイプ = 表面実装℃。幅 = 4.5mm。高さ = 1.05mm。長さ = 5.4mm。最小3 Vの低電圧電源 定電流出力チャンネル x 8 外部抵抗から出力電流を調整可能 短絡 / 開回路出力エラー検出 シリアルデータ入力 / パラレルデータ出力 3.3 V マイクロドライバに対応 出力電流： 5-100 mA クロック周波数: 30 MHz 熱効率の高い TSSOP 露出パッドで提供されます

分類 = 評価ボード。テクノロジー = MCU。デバイスコア = ARM Cortex M4。プロセッサファミリ名 = STM。プロセッサ品番 = STM32F303。プロセッサ種類 = MCU。STM32F301/302/303評価ボード(STM32F303VEマイクロコントローラ搭載). STM32303E-EVAL評価ボードは、ARMR cortexR-M4コアベースSTM32F303VET6マイクロコントローラ向けのデモンストレーション / 開発プラットフォーム一式として設計されています。 このボードは、I2C x 2、SPI x 3、USART x 5、CAN x 1、12ビットADC x 4、12ビットDAC x 2、64 KBデータ内蔵SRAM、16 KBプログラムSRAM及び512 KBフラッシュ、タッチセンサ、USB FS、JTAGデバッグサポートを備えています。 ST-LINK/V2は、STM32 MCU用のインサーキットデバッガ / プログラマとしてこのボードに組み込まれています。. 4種類の5 V電源オプション: 電源ジャック、ST-LINK/V2 USBコネクタ、ユーザーUSBコネクタ、ドーターボード I2SオーディオDAC、ステレオオーディオジャック(マイク付きヘッドセットに対応) SPIの2ギガバイト(以上)のMicroSDカード I2C対応シリアルインターフェイス温度センサ、EEPROM、RF EEPROM RS-232シリアル通信 IrDAトランシーバ JTAG / SWD及びETMトレースデバッグサポート 内蔵ST-LINK/V2 1 Mbit SPIシリアルフラッシュメモリ SPIインターフェイスに接続された240 x 320 TFTカラーLCD 4方向制御のジョイスティック及びセレクタ リセット / タンパ / キーボタン 4色ユーザーLED及び高輝度LED 湿度センサ ドーターボード又はラッピングボード用の拡張コネクタ MCU電圧: 3.3 V又は2.0 → 3.6 Vで調整可能 USB高速コネクタ タッチセンサボタン リアルタイムクロック(RTC)、バックアップバッテリ付き CAN 2.0 A / B対応接続 光依存性抵抗器(LDR) IR(赤外線)レシーバ ポテンショメータ 2モータ制御コネクタ