仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.2 VPNPパワートランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
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トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 10。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm。PNPパワートランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 10。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ
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トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 15。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ
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仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 1 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 100 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 2 W●最小DC電流ゲイン : 15●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 9.15×10.4×4.6mm●STMicroelectronics NPNパワートランジスタ
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仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 100 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 2 W●最小DC電流ゲイン : 10●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 9.15×10.4×4.6mm●STMicroelectronics NPNパワートランジスタ
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仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -100 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 2 W●最小DC電流ゲイン : 10●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●PNPパワートランジスタ、STMicroelectronics
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