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STMicroelectronics トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, TIP29A STMicroSTMicroelectronics トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, TIP29ASTMicro
779税込857
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 1 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 60 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 30 W●最小DC電流ゲイン : 15●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 60 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●STMicroelectronics NPNパワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, TIP50 STMicroSTMicroelectronics トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, TIP50STMicro
4,998税込5,498
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 1 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 400 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 2 W●最小DC電流ゲイン : 30●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 500 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 10 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●高電圧トランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, TIP29A STMicroSTMicroelectronics トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, TIP29ASTMicro
779税込857
1袋(10個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.75mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, TIP50 STMicroSTMicroelectronics トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, TIP50STMicro
4,998税込5,498
1セット(50個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm高電圧トランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 110 A, 3 ピン パッケージTO-220FP STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 110 A, 3 ピン パッケージTO-220FPSTMicro
2,398税込2,638
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W寸法 = 10.6 x 4.6 x 16.4mmNチャンネルSTripFETΩ H7シリーズ、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
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