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チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 17 A。最大ドレイン-ソース間電圧 650 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 30 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
549 税込604
7日以内出荷

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 10 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
3,798 税込4,178
5日以内出荷



仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET(TM)II●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 18 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
1セット(50個)
8,998 税込9,898
7日以内出荷

仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 64.3V●最小ブレークダウン電圧 33.3V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AC (SMA)●最大逆スタンドオフ電圧 30V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 400W●最大ピークパルス電流 36A●ESD保護 あり●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 4.6×2.95×2.03mm●高さ 2.03mm●Transil(TM) TVS SMT単方向400 W、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
869 税込956
7日以内出荷


仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 600 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 : 450 V●シリーズ : MDmesh K3, SuperMESH3●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 3.8 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 2 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 3.7mm●高さ : 1.8mm●NチャンネルMDmesh(TM) K3シリーズ、SuperMESH3(TM)、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
199,800 税込219,780
7日以内出荷

仕様●ダイオード構成 : シングル●最大クランピング電圧 : 64.3V●最小ブレークダウン電圧 : 33.3V●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : DO-214AB (SMC)●最大逆スタンドオフ電圧 : 30V●ピン数 : 2●ピークパルスパワー消費 : 1500W●最大ピークパルス電流 : 156A●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Min : -55 ℃●動作温度 Max : +150 ℃mm●高さ : 2.45mm●Transil(TM) TVS SMT双方向1500 W、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
96,980 税込106,678
7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 1 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 400 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 2 W●最小DC電流ゲイン : 30●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 500 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 10 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●高電圧トランジスタ、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
3,798 税込4,178
7日以内出荷

仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 6.8V●最小ブレークダウン電圧 3.6V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-216AA●最大逆スタンドオフ電圧 3.3V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 200W●最大ピークパルス電流 30A●ESD保護 あり●1チップ当たりのエレメント数 1●寸法 2.05×2.05×1.15mm●最大逆漏れ電流 500μA●Transil(TM) TVS SMT単方向200 W、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
1,698 税込1,868
7日以内出荷

仕様●最大連続コレクタ電流 : 30 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 420 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 : 16V●最大パワー消費 : 150 W●パッケージタイプ : D2PAK (TO-263)●実装タイプ : 表面実装●チャンネルタイプ : N●ピン数 : 3●スイッチングスピード : 1MHz●トランジスタ構成 : シングル●寸法 : 10.4×9.35×4.6mm●動作温度 Min : -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
219,800 税込241,780
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 5.8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 900 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 2 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
11,980 税込13,178
7日以内出荷