「3w 抵抗」の検索結果

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 5.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 900 V。シリーズ MDmesh， SuperMESH。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ω。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 140 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 9.35mm。動作温度 Min -55 ℃mm。STMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 600 V。シリーズ MDmesh， SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ω。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 70 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.6mm。高さ 9.15mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 17 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ MDmesh， SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 270 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 190 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 5.15mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 80 A。最大ドレイン-ソース間電圧 120 V。シリーズ STripFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 18 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 300 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 600 V。シリーズ MDmesh， SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 750 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 35 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 7.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 700 V。シリーズ MDmesh， SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 1.2 Ω。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 35 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。標準ゲートチャージ Vgs 48 nC 10 Vmm。高さ 16.4mm。STMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V