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仕様●ダイオード構成 : シングル●最大クランピング電圧 : 13.4V●最小ブレークダウン電圧 : 6.45V●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : DO-15●最大逆スタンドオフ電圧 : 5.8V●ピン数 : 2●ピークパルスパワー消費 : 400W●最大ピークパルス電流 : 174A●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Min : -65 ℃●動作温度 Max : +175 ℃mm●最大逆漏れ電流 : 1mA●Transil(TM) TVS双方向軸400 W、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(1000個)
19,980 税込21,978
7日以内出荷

仕様●ファミリー名 : STM32F7●パッケージタイプ : LQFP●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 100●デバイスコア : ARM Cortex-M7●データバス幅 : 32bit●プログラムメモリサイズ : 512 kB●最大周波数 : 216MHz●RAMサイズ : 320 kB●USBチャンネル : 2●SPIチャンネル数 : 4●USARTチャネルの数 : 4●高さ : 1.45mm●STM32F745xx 及び STM32F746xx デバイスは、最大 216 MHz 周波数で動作する高性能 ARM R Cortex R -M7 32 ビット RISC コアをベースにしています。Cortex-M7コアには、ARMの単精度データ処理命令とデータタイプをすべてサポートする単精度の浮動少数点ユニット(FPU)があります。また、DSP命令のフルセットと、アプリケーションのセキュリティを高めるメモリ保護ユニット(MPU)もあります。 STM32F745xx 及び STM32F746xx デバイスは、最大 1 MB のフラッシュメモリ、 320 KB の SRAM (重要なリアルタイムデータ用の 64 KB のデータ TCM RAM を含む)、 16 KB の命令 TCM RAM (クリティカルなリアルタイムルーチン用)を搭載した高速組み込みメモリを搭載 最低電力モードでは 4 KB のバックアップ SRAM を使用可能で、拡張 I/O 、及び 2 つの APB バス、 2 つの AHB バス、 32 ビットマルチ AHB バス Matrix 、及び内部 / 外部メモリアクセスをサポートするマルチレイヤ AXI 相互接続に接続されたペリフェラルを広範に取り揃えています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
2,398 税込2,638
7日以内出荷

仕様モータタイプ = ブラシ付きDC出力構成 = デュアルフルブリッジ最大IGBTコレクタ電流 = 1A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 36 V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIPピン数 = 16動作供給電圧 Min = 4.5 V動作温度 Max = +150 ℃負荷ドライバIC、TMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,298 税込1,428
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仕様モータタイプ = ブラシ付きDC出力構成 = デュアルフルブリッジ最大IGBTコレクタ電流 = 0.6A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 36 V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20動作供給電圧 Min = 4.5 V幅 = 7.6mm負荷ドライバIC、TMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,198 税込1,318
7日以内出荷

仕様モータタイプ = ブラシ付きDC出力構成 = デュアルフルブリッジ最大IGBTコレクタ電流 = 0.6A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 36 V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIPピン数 = 16動作供給電圧 Min = 4.5 V動作温度 Max = +150 ℃負荷ドライバIC、TMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,298 税込1,428
当日出荷

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 600 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 750 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 35 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
16,980 税込18,678
7日以内出荷

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 7.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 700 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 1.2 Ω。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 35 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。標準ゲートチャージ Vgs 48 nC 10 Vmm。高さ 16.4mm。STMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
14,980 税込16,478
7日以内出荷

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 600 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ω。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 70 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。幅 9.35mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
939 税込1,033
7日以内出荷

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 17 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 270 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 190 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。幅 5.15mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics
1セット(30個)
12,980 税込14,278
7日以内出荷

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 14 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 380 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 150 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。長さ 15.75mm。高さ 20.15mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
15,980 税込17,578
7日以内出荷

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 5.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 900 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ω。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 140 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。幅 9.35mm。動作温度 Min -55 ℃mm。STMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
239,800 税込263,780
7日以内出荷

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 800 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 900 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 40 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。トランジスタ素材 Simm。高さ 9.3mm。STMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,798 税込1,978
7日以内出荷

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 600 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ω。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 70 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。幅 4.6mm。高さ 9.15mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
7,298 税込8,028
7日以内出荷

トランジスタタイプ = PNP。最大連続コレクタ電流 = 5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 100。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 4.5 V。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.01mA。幅 = 6.2mm。PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
119,800 税込131,780
5日以内出荷

ファミリー名 = STM8S。パッケージタイプ = TSSOP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 20。デバイスコア = STM8。データバス幅 = 8bit。プログラムメモリサイズ = 8 kB。最大周波数 = 16MHz。RAMサイズ = 1 kB。USBチャンネル = 0。PWMユニット数 = 1 x 16 bit。SPIチャンネル数 = 1。標準動作供給電圧 = 6.5 V。幅 = 4.5mm。STMicroelectronics STM32F07 シリーズ マイクロコントローラ. 汎用 8 ビットフラッシュマイクロコントローラ STM8S シリーズは STM8 の Advanced Core バージョンで、 3 段階のパイプラインが備わっています。STM8S は、 24 MHz のクロックレートで最大 20 MIPS を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
999 税込1,099
7日以内出荷


パッケージタイプ = TSSOP。ディスプレイタイプ = LED。ピン数 = 16。供給電圧 = 2.5 V、3.3 V、5 V。最大供給電流 = (Off, On) 13.5mA。動作温度 Min = -40℃。実装タイプ = 表面実装℃。幅 = 4.5mm。高さ = 1.05mm。長さ = 5.4mm。最小3 Vの低電圧電源 定電流出力チャンネル x 8 外部抵抗から出力電流を調整可能 短絡 / 開回路出力エラー検出 シリアルデータ入力 / パラレルデータ出力 3.3 V マイクロドライバに対応 出力電流: 5-100 mA クロック周波数: 30 MHz 熱効率の高い TSSOP 露出パッドで提供されます
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,098 税込1,208
7日以内出荷

仕様●方向性タイプ 双方向●最大クランピング電圧 14.5V●最小ブレークダウン電圧 7.2V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AC (SMA)●最大逆スタンドオフ電圧 6.5V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 400W●最大ピークパルス電流 160A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 4.6×2.9×2.45mm●テスト電流 10mA●Transil(TM) SMT双方向軸400 W、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(5000個)
79,980 税込87,978
7日以内出荷

仕様メモリサイズ = 256kbit構成 = 32 K x 8ビットインターフェースタイプ = パラレルデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 70ns実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PCDIPピン数 = 28寸法 = 39.98 x 18.34 x 8.89mm長さ = 39.88mm幅 = 18.34mm高さ = 8.89mm動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +70 ℃動作供給電圧 Min = 4.5 VZEROPOWER(R) SRAM、STMicroelectronics. ZEROPOWER(R)不揮発性RAMは、低消費電力のSRAMをパワーフェイル制御回路及び長寿命リチウムバッテリと一体化した製品です。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
3,598 税込3,958
7日以内出荷


仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 25 W動作温度 Max = +150 ℃NチャンネルMDmeshΩ SuperMESHΩ、700 → 1200 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,398 税込2,638
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 250 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 22 nsNチャンネルMDmeshΩ SuperMESHΩ、700 → 1200 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,398 税込1,538
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 160 W幅 = 5.15mmNチャンネルMDmeshΩ SuperMESHΩ、700 → 1200 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1個
639 税込703
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 8.3 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 1000 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 1.38 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 230 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
19,980 税込21,978
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 3.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 1000 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 3.7 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 125 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 9.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
19,980 税込21,978
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 7.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 850 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 110 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
14,980 税込16,478
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 600 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 : 450 V●シリーズ : MDmesh K3, SuperMESH3●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 3.8 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 2 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 3.7mm●高さ : 1.8mm●NチャンネルMDmesh(TM) K3シリーズ、SuperMESH3(TM)、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
199,800 税込219,780
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 5.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 800 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 1.8 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 125 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
16,980 税込18,678
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 2 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 25 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 18.8 nC @ 10 Vmm●高さ : 9.3mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
7,998 税込8,798
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 9.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 900 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 980 m Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 200 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 5.15mm●高さ : 20.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
22,980 税込25,278
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 5.8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 900 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 2 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 140 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 9.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
14,980 税込16,478
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 3 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 900 V●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 4.8 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 25 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●動作温度 Max : +150 ℃mm●高さ : 16.4mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
5,298 税込5,828
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 14 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 380 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 35 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●動作温度 Max : +150 ℃mm●高さ : 9.3mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
17,980 税込19,778
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 2.1 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 900 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 6.5 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 70 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 19.5 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min : -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
9,998 税込10,998
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 7 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 950 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 125 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 4.6mm●高さ : 9.15mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
11,980 税込13,178
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 800 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 4.5 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 70 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 19 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min : -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,898 税込2,088
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 5.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 800 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 1.8 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 40 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,198 税込1,318
翌々日出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 13 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 1000 V●パッケージタイプ : TO-247●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 700 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 350 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●動作温度 Max : +150 ℃mm●動作温度 Min : -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
29,980 税込32,978
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 7 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 950 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 4.6mm●高さ : 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
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仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 3.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 1000 V●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 3.7 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●動作温度 Max : +150 ℃mm●動作温度 Min : -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
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