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分類 開発 ボード。キット名 STM32 Nucleo-64。テクノロジー MCU。デバイスコア ARM Cortex M0+。プロセッサファミリ名 STM。プロセッサ品番 STM32L073RZT6。プロセッサ種類 MCU。NUCLEO-L073RZ Nucleo-64開発ボード. このSTM32 Nucleo-64ボードは、超低電力STM32L073RZT6マイクロコントローラを搭載したプロトタイプを製作するための廉価で柔軟性の高い手段を提供します。Arduino Shieldコネクタを使用するとより多くの周辺機器にアクセスでき、ST morphoヘッダと組み合わせると各種シールドで機能を拡張できます。内蔵のST-LINK/V2-1デバッガ プログラマは、STM32総合ソフトウェアHALライブラリ及びソフトウェアサンプルが付属しているほか、ARM mbedオンラインリソースに直接アクセスすることもできます。IAR、Keil、GCCベース、ARM mbedなど、幅広い統合開発環境(IDE)でサポートされています。. STM32L073RZT6 32 MHz Cortex-M0+コアマイクロコントローラ(192 KB ECCフラッシュメモリ、20 KB RAM、6 KB ECC EEPROMを搭載) リアルタイムクロック シリアル通信インターフェイス: USART、SPI、I2C、USB タッチキー、リニア、ロータリタッチセンサをサポートしている24個の静電容量式検出チャンネル 最大4 52セグメント又は8 48セグメントに対応するLCDドライバ CRC計算ユニット 96ビットのユニークID 真の乱数ジェネレータとファイアウォール保護 Arduino Uno v3接続をサポート すべてのGPIOにアクセスするためのST morpho拡張ピン オンボードST-LINK/V2-1デバッガ プログラマ(SWDコネクタ付) 柔軟性の高いボード電源 LED 3: USB通信、電源 ユーザー リセット ユーザープッシュボタン ARM mbed(TM)対応(参照)

出力電流 Max = 1A。出力電圧 Max = 34 V。レギュレータ機能 = バック コントローラ。出力電圧 Min = 1.235 V。入力電圧 Min = 8 V。入力電圧 Max = 36 V。出力タイプ = 可変。実装タイプ = 表面実装。出力数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。スイッチングレギュレータ = あり。ラインレギュレーション = 10 mV。ロードレギュレーション = 15 mV。寸法 = 5 x 4 x 1.25mm。DC-DC Switching Converters， Step-Down Regulators， STMicroelectronics. STのモノリシックスイッチングレギュレータは、高入力電圧対応で、最大4 Aの電流を出力し、高スイッチング周波数となっています。

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 10 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2000 mW。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 350 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 10 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 30 W。最小DC電流ゲイン = 15。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.75mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 15。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-41。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 30V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ ショットキー整流器。ダイオードタイプ ショットキー。ピン数 2。最大順方向降下電圧 550mV。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー ショットキーバリア。直径 2.71mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 25A。STMicroelectronics 1N5817/8/9低ドロップパワーショットキー整流器. Vishay 1N5817、1N5818、1N5819 低ドロップ1 Aショットキー整流ダイオードの製品群です。スイッチング電源と高周波DC-DCコンバータ用に設計されています。 特長: 高速スイッチング 低い順方向電圧降下 小さな導電損失 非常に低いスイッチング損失 どこに使用されていますか? 1N5817-1N5819は、低電圧、高周波インバータ、フリーホイール、極性保護、小型充電器用に設計されています。 動作ジャンクション温度はどのくらいですか? -65 +150 バージョンを用意: 1N5817 20 1N5818 30 1N5819 40 V