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STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 60 A, 3-Pin TO-247 シングル
STMicro¥639税込¥7031個翌々日出荷RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220
STMicro¥1,798税込¥1,9781袋(5個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 110 A, 3 ピン パッケージTO-220FP
STMicro¥2,498税込¥2,7481袋(5個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W寸法 = 10.6 x 4.6 x 16.4mmNチャンネルSTripFETΩ H7シリーズ、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 5.2 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン
STMicro¥1,198税込¥1,3181袋(2個)翌々日出荷仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 5.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 800 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 1.8 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 40 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 3 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro¥2,198税込¥2,4181袋(5個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 3 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 800 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 3.5 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 80 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 22.5 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 80 A, 3-Pin TO-247 シングル
STMicro¥1,598税込¥1,7581袋(2個)7日以内出荷仕様●最大連続コレクタ電流 : 80 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 : ±20V●最大パワー消費 : 250 W●パッケージタイプ : TO-247●実装タイプ : スルーホール●チャンネルタイプ : N●ピン数 : 3●スイッチングスピード : 1MHz●トランジスタ構成 : シングル●寸法 : 15.75×5.15×20.15mm●動作温度 Min : -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 1200 V 60 A, 3-Pin TO-247 シングル
STMicro¥1,298税込¥1,4281袋(2個)7日以内出荷最大連続コレクタ電流 = 60 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1200 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V。最大パワー消費 = 220 W。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。スイッチングスピード = 1MHz。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 15.75 x 5.15 x 20.15mm。動作温度 Max = +150 ℃。IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 15 A, 3-Pin TO-220 シングル
STMicro¥1,498税込¥1,6481袋(5個)7日以内出荷仕様●最大連続コレクタ電流 : 15 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 : ±20V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●チャンネルタイプ : N●ピン数 : 3●トランジスタ構成 : シングル●寸法 : 10.4×4.6×9.15mm●動作温度 Min : -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 20 A, 3-Pin TO-220 シングル
STMicro¥1,798税込¥1,9781袋(5個)7日以内出荷仕様●最大連続コレクタ電流 : 20 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 : ±20V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●チャンネルタイプ : N●ピン数 : 3●トランジスタ構成 : シングル●寸法 : 10.4×4.6×9.15mm●動作温度 Min : -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 15 A, 3-Pin TO-220FP シングル
STMicro¥669税込¥7361袋(2個)7日以内出荷最大連続コレクタ電流 = 15 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.3mm。動作温度 Min = -55 ℃。IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 6 A, 3-Pin TO-220FP シングル
STMicro¥1,498税込¥1,6481袋(5個)7日以内出荷仕様●最大連続コレクタ電流 : 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 : ±20V●最大パワー消費 : 20 W●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●チャンネルタイプ : N●ピン数 : 3●スイッチングスピード : 1MHz●トランジスタ構成 : シングル●寸法 : 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min : -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 9 A, 3-Pin TO-220FP シングル
STMicro¥1,798税込¥1,9781袋(10個)7日以内出荷仕様●最大連続コレクタ電流 : 9 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 : ±20V●最大パワー消費 : 25 W●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●チャンネルタイプ : N●ピン数 : 3●スイッチングスピード : 1MHz●トランジスタ構成 : シングル●寸法 : 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min : -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 23 A, 3-Pin TO-220FP シングル
STMicro¥2,698税込¥2,9681袋(10個)7日以内出荷最大連続コレクタ電流 = 23 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 25 W。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 10.4 x 4.6 x 20mm。動作温度 Min = -55 ℃pF。IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 1200 V 6 A, 3-Pin TO-220FP シングル
STMicro¥2,198税込¥2,4181袋(5個)7日以内出荷仕様●最大連続コレクタ電流 : 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 1200 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 : ±20V●最大パワー消費 : 25 W●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●チャンネルタイプ : N●ピン数 : 3●スイッチングスピード : 1MHz●トランジスタ構成 : シングル●寸法 : 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min : -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 800 V, 3 A, 3 ピン パッケージTO-220FP
STMicro¥1,498税込¥1,6481袋(5個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 25 W動作温度 Max = +150 ℃NチャンネルMDmeshΩ SuperMESHΩ、700 → 1200 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 20 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) シングル
STMicro¥1,198税込¥1,3181袋(5個)7日以内出荷仕様●最大連続コレクタ電流 : 20 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 : ±20V●最大パワー消費 : 65 W●パッケージタイプ : D2PAK (TO-263)●実装タイプ : 表面実装●チャンネルタイプ : N●ピン数 : 3●スイッチングスピード : 1MHz●トランジスタ構成 : シングル●寸法 : 10.4×9.35×4.6mm●動作温度 Max : +150 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 420 V 30 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) シングル
STMicro¥259,800税込¥285,7801セット(1000個)7日以内出荷仕様●最大連続コレクタ電流 : 30 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 420 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 : 16V●最大パワー消費 : 150 W●パッケージタイプ : D2PAK (TO-263)●実装タイプ : 表面実装●チャンネルタイプ : N●ピン数 : 3●スイッチングスピード : 1MHz●トランジスタ構成 : シングル●寸法 : 10.4×9.35×4.6mm●動作温度 Min : -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 900 V, 8 A, 3 ピン パッケージTO-247
STMicro¥769税込¥8461個7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 160 W幅 = 5.15mmNチャンネルMDmeshΩ SuperMESHΩ、700 → 1200 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)
STMicro¥1,998税込¥2,1981袋(5個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 110W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 24 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)
STMicro¥979税込¥1,0771袋(5個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 24 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -18 V, +18 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 60 W動作温度 Max = +175 ℃NチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 45 A, 3 ピン パッケージTO-247 MDmesh シリーズ
STMicro¥1,998税込¥2,1981個7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 45 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 110 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 417 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 3800 pF @ 25 VNチャンネルMDmeshΩ、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 16 A, 3 ピン パッケージTO-220 STripFET シリーズ
STMicro¥1,398税込¥1,5381袋(5個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 315 pF @ 25 VNチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 35 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro¥10,980税込¥12,0781セット(50個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 35 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 45 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 115 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●動作温度 Max : +175 ℃●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 20 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
STMicro¥16,980税込¥18,6781セット(30個)7日以内出荷RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 2.1 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro¥9,598税込¥10,5581セット(50個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 2.1 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 900 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 6.5 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 70 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 19.5 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min : -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 39 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
STMicro¥19,980税込¥21,9781セット(30個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 39 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 70 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 255 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 124 nC @ 10 Vmm●高さ : 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 2.5 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro¥1,898税込¥2,0881袋(5個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 800 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 4.5 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 70 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 19 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min : -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 4 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
STMicro¥249,800税込¥274,7801セット(4000個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 100 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 2.8V●最低ゲートしきい値電圧 : 1V●最大パワー消費 : 3.3 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -16 V, +16 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 33 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
STMicro¥38,980税込¥42,8781セット(30個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 33 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 650 V●シリーズ : MDmesh M5●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 79 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 190 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●長さ : 15.75mm●高さ : 20.15mm●STMicroelectronics N チャンネル MDmesh(TM) M5 シリーズ. MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 7 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro¥10,980税込¥12,0781セット(50個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 7 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 950 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 125 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 4.6mm●高さ : 9.15mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 14 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
STMicro¥10,980税込¥12,0781セット(30個)7日以内出荷チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 14 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 380 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 150 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。長さ 15.75mm。高さ 20.15mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 60 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro¥7,198~税込¥7,918~1セット(50個)7日以内出荷RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 120 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro¥1,498税込¥1,6481袋(2個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 10.5 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 312 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●幅 : 4.6mm●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 5.2 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro¥12,980税込¥14,2781セット(50個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 5.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 800 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 1.8 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 125 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 29 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro¥44,980税込¥49,4781セット(50個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 29 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 105 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 210 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●動作温度 Max : +150 ℃●高さ : 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 29 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
STMicro¥1,498税込¥1,6481個7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 29 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 105 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 210 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 84 nC @ 10 Vmm●高さ : 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 9.2 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
STMicro¥19,980税込¥21,9781セット(30個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 9.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 900 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 980 m Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 200 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 5.15mm●高さ : 20.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 5.8 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro¥15,980税込¥17,5781セット(50個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 5.8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 900 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 2 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 140 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 9.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1000 V 8.3 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
STMicro¥13,980税込¥15,3781セット(30個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 8.3 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 1000 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 1.38 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 230 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応












































