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最大連続コレクタ電流 = 23 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 25 W。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 10.4 x 4.6 x 20mm。動作温度 Min = -55 ℃pF。IGBTディスクリート、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様●最大連続コレクタ電流 : 9 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 : ±20V●最大パワー消費 : 25 W●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●チャンネルタイプ : N●ピン数 : 3●スイッチングスピード : 1MHz●トランジスタ構成 : シングル●寸法 : 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min : -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様●最大連続コレクタ電流 : 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 1200 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 : ±20V●最大パワー消費 : 25 W●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●チャンネルタイプ : N●ピン数 : 3●スイッチングスピード : 1MHz●トランジスタ構成 : シングル●寸法 : 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min : -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 25 W動作温度 Max = +150 ℃NチャンネルMDmeshΩ SuperMESHΩ、700 → 1200 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
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