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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 315 pF @ 25 VNチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,398
税込￥1,538
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET(TM)II●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 18 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 110 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥7,198
税込￥7,918
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,898
税込￥2,088
翌々日出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 100 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.8V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 3.3 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -16 V， +16 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
￥279,800
税込￥307,780
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 30 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 40 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 70 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -18 V， +18 V●動作温度 Max ： +175 ℃mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥7,498
税込￥8,248
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET(TM)II●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 18 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
1セット(50個)
￥8,998
税込￥9,898
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 110W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,398
税込￥1,538
7日以内出荷
長さ(mm)6.6
幅(mm)6.2
高さ(mm)2.4
タイプ【パッケージ】DPAK(TO-252)
シリーズSTripFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)24
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)40
最大ゲートしきい値電圧(V)4
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20，+20
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ23nC@10V
最大パワー消費60W
最大動作温度(℃)175
最小動作温度(℃)-55
1セット(10個)
￥1,598
税込￥1,758
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 24 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 40 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 60 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥229,800
税込￥252,780
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET II●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 18 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 110 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
￥179,800
税込￥197,780
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 17 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 60 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.2V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -16 V， +16 V●幅 ： 6.2mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥879
税込￥967
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 35 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 28 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 70 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 23 nC @ 5 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥1,998
税込￥2,198
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 40 V●シリーズ ： STripFET II●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 5 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 300 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 110 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,198
税込￥1,318
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 24 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -18 V， +18 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 60 W動作温度 Max = +175 ℃NチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥999
税込￥1,099
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