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トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -300 V。パッケージタイプ = SOT-32。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 20.8 W。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.8 x 7.8 x 2.7mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
519 税込571
5日以内出荷

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 V。パッケージタイプ = SOT-32。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2800 mW。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
789 税込868
5日以内出荷

仕様●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOT-323●最大連続 順方向電流 : 300mA●ピーク逆繰返し電圧 : 30V●ダイオード構成 : シリーズ●整流タイプ : ショットキーダイオード●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 3●最大順方向降下電圧 : 580mV●1チップ当たりのエレメント数 : 2●ダイオードテクノロジー : ショットキーバリア●BAT30 シリーズは、 SOD-523 パッケージ又は SOT-323 パッケージに収められた 30 V ショットキーバリアダイオードを使用しています。このデバイスは、低順方向電圧降下ダイオードを必要とするスイッチングモード用途に特に適しています。超低導電損失 無視できるスイッチングロス 短い正転 / 逆転回復時間 超高速スイッチ 表面実装デバイス 低静電容量ダイオード RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
1,298 税込1,428
7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 20.8 W最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 2.7mm高電圧トランジスタ、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
509 税込560
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