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RoHS10物質対応(7)
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特価

STマイクロ, サイリスタ, SCR, 1.8A, 400V, TN22-1500T
STMicro¥959税込¥1,0551袋(5個)7日以内出荷仕様●定格平均オン電流 : 1.8A●サイリスタタイプ : SCR●パッケージタイプ : TO-220AB●繰返しピーク逆方向電圧 : 400V●サージ電流レーティング : 22A●実装タイプ : スルーホール●最大ゲートトリガー電流 : 1.5mA●最大ゲートトリガー電圧 : 3V●最大保持電流 : 175mA●ピン数 : 3●寸法 : 10.4×4.6×9.15mm●動作温度 Min : -40 ℃V●サイリスタ、STMicroelectronics. STMicroelectronics製の幅広い汎用サイリスタは、定格400 → 1200 Vの遮断電圧と最高定格50 Aのオン状態の電流を備えています。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 388V, SM15T220CA
STMicro¥169,800税込¥186,7801セット(2500個)7日以内出荷仕様●方向性タイプ 双方向●最大クランピング電圧 388V●最小ブレークダウン電圧 209V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ SMC●最大逆スタンドオフ電圧 188V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 26A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 7.15×6.25×2.45mm●長さ 7.15mm●Transil(TM) TVS SMT双方向1500 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 39.3V, SM15T22AY
STMicro¥1,498税込¥1,6481セット(10個)7日以内出荷仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 39.3V●最小ブレークダウン電圧 20.9V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AB (SMC)●最大逆スタンドオフ電圧 18.8V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 254A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -40℃●動作温度 Max +150 ℃mm●高さ 2.45mm●Transil(TM) TVS SMT単方向1500 W、SM15Tシリーズ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET200 V 9 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro¥8,598税込¥9,4581セット(50個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 200 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 400 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 75 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET200 V 9 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro¥8,598税込¥9,4581セット(50個)7日以内出荷チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。パッケージタイプ TO-220。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 400 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 75 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V。長さ 10.4mm。動作温度 Min -65 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET200 V 18 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro¥1,998税込¥2,1981袋(5個)7日以内出荷チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ STripFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応











