「tmax」の検索結果

定格平均オン電流 = 16A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 35mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 168A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 35mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.3mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 9.3mm。動作温度 Max = +125 ℃V。TRIAC、16 → 20 A、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 20 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 20 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 50 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 15。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 15 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 90 W。最小DC電流ゲイン = 20。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大動作周波数 = 3 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 20 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 50 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 15 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 15 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 6 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 65 W。最小DC電流ゲイン = 15。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 10 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 75 W。最小DC電流ゲイン = 20。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 70 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 2 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

定格平均オン電流 = 32A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TOP3。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 610A。実装タイプ = スルーホール。最大ゲートトリガー電流 = 80mA。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。最大保持電流 = 150mA。ピン数 = 3。寸法 = 15.5 x 4.6 x 12.85mm。動作温度 Max = +125 ℃V。サイリスタ、STMicroelectronics. STMicroelectronics製の幅広い汎用サイリスタは、定格400 → 1200 Vの遮断電圧と最高定格50 Aのオン状態の電流を備えています。

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 V。パッケージタイプ = SOT-32。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2800 mW。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.6 W。最小DC電流ゲイン = 16。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 V。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 V。パッケージタイプ = SOT-32。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1.25 W。最小DC電流ゲイン = 100， 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。汎用PNPトランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2000 mW。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 350 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 10 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 4A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 25mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 38A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 15mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.15mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 9.15mm。動作温度 Max = +125 ℃V。トライアック、最大6 A、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -10 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 75 W。最小DC電流ゲイン = 20。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 70 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 2 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。PNPパワートランジスタ、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 8A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 10mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 84A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 15mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.9mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 15.9mm。動作温度 Max = +150 ℃V。TRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 16A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 10mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 168A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 15mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.9mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 15.9mm。動作温度 Max = +125 ℃V。TRIAC、16 → 20 A、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 8A。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。最大ゲートトリガー電流 = 35mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 84A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 35mA。寸法 = 10.28 x 9.35 x 4.6mm。長さ = 10.28mm。幅 = 9.35mm。高さ = 4.6mm。動作温度 Max = +125 ℃V。TRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronics

メモリサイズ = 256kbit。構成 = 32 K x 8。インターフェースタイプ = パラレル。データバス幅 = 8bit。最大ランダムアクセス時間 = 5ns。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = PCDIP。ピン数 = 28。寸法 = 39.88 x 18.34 x 9.65mm。長さ = 39.88mm。幅 = 18.34mm。高さ = 9.65mm。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作温度 Max = +70 ℃。ワード数 = 32Kbit。ZEROPOWERR SRAM、STMicroelectronics. ZEROPOWERR不揮発性RAMは、低消費電力のSRAMをパワーフェイル制御回路及び長寿命リチウムバッテリと一体化した製品です。