「to-1」の検索結果

ファミリー名 = STM32L0。パッケージタイプ = LQFP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 64。デバイスコア = ARM Cortex M0+。データバス幅 = 32bit。プログラムメモリサイズ = 32 kB。最大周波数 = 32MHz。RAMサイズ = 8 kB。SPIチャンネル数 = 4。I2Cチャンネル数 = 2。幅 = 10mm。Ultra-low-power platform 1.65 V to 3.6 V power supply -40 to 125 ℃ temperature range 0.27 μA Standby mode (2 wakeup pins) 0.4 μA Stop mode (16 wakeup lines) 0.8 μA Stop mode + RTC + 8 KB RAM retention 88 μA/MHz in Run mode 3.5 μs wakeup time (from RAM) 5 μs wakeup time (from Flash memory) Core: ArmR 32-bit CortexR-M0+ with MPU From 32 kHz up to 32 MHz max. 0.95 DMIPS/MHz Memories Up to 64 KB Flash memory with ECC 8KB RAM 2 KB of data EEPROM with ECC 20-byte backup register Sector protection against R/W operation Up to 51 fast I/Os (45 I/Os 5V tolerant) Reset and supply management Ultra-safe， low-power BOR (brownout reset) with 5 selectable thresholds Ultra-low-power POR/PDR Programmable voltage detector (PVD) Clock sources 1 to 25 MHz crystal oscillator 32 kHz oscillator for RTC with calibration High speed internal 16 MHz factory-trimmed RC (+/- 1%) Internal low-power 37 kHz RC Internal multispeed low-power 65 kHz to 4.2 MHz RC PLL for CPU clock Pre-programmed bootloader USART， SPI supported Development support Serial wire debug supported Rich Analogue peripherals 12-bit ADC 1.14 Msps up to 16 channels (down to 1.65 V) 2x ultra-low-power comparators (window mode and wake up capability， down to 1.65 V) 7-channel DMA controller， supporting ADC， SPI， I2C， USART， Timers 7x peripheral communication interfaces 2x USART (IrDA)， 1x UART (low power) Up to 4x SPI 16 Mbits/s 2x I2C (SMBus/PMBus) 9x timers: 1x 16-bit with up to 4 channels， 2x 16-bit with up to 2 channels， 1x 16-bit ultra-low-power timer， 1x SysTick， 1x RTC， 1x 16-bit basic， and 2x watchdogs (independent/window) CRC calculation unit， 96-bit unique ID

公称電圧 = 2.5 - 36V。パッケージタイプ = TO-92。基準タイプ = 可変。立上がり精度 = ±1.0 %。実装タイプ = スルーホール。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 100mA。入力電圧 Max = 37 V。出力電圧 Min = 2.5 V。出力電圧 Max = 36 V。ピン数 = 3。寸法 = 4.7 x 3.7 x 4.4mm。幅 = 3.7mm。電圧基準、調整可能、STMicroelectronics

最大順方向電流 = 30A。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大逆電圧 = 200V。パッケージタイプ = TO-247。ピン数 = 3V。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 15.75mm。幅 = 5.15mm。高さ = 20.15mm。寸法 = 15.75 x 5.15 x 20.15mm。整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 15。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 30 W。最小DC電流ゲイン = 15。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.75mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 10 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2000 mW。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 350 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 10 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 10 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 750。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA。幅 = 4.6mm。NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP。最大連続コレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 200。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.05mA。幅 = 4.6mm。PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 1000。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA。幅 = 4.6mm。NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP。最大連続コレクタ電流 = 5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 100。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 4.5 V。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.01mA。幅 = 6.2mm。PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 12 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 100。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 4 V。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.1mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.15mm。NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP。最大連続コレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 500。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.15mm。PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

レギュレータタイプ = リニア電圧A。出力数 = 1。ラインレギュレーション = 100 mV。ロードレギュレーション = 100 mV。極性 = 負。パッケージタイプ = TO-220FPmA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.3mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。長さ = 10.4mm。負電圧リニアレギュレータ、STMicroelectronics. 標準の負電圧レギュレータは、非常に安定した信頼性の高い動作を実現し、短絡と熱的過負荷から保護する機能を備えています。 多様な電圧調整の用途に適しています。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-247。最大連続 順方向電流 = 30A。ピーク逆繰返し電圧 = 60V。ダイオード構成 = コモンカソードペア2組。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.05V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキー。スイッチモード電源及びその他の電力コンバータに適した高電圧デュアルショットキー整流器です。TO-247 にパッケージされたこのデバイスは、中電圧動作、特に低スイッチング損失と低ノイズが求められる高周波数回路での使用を想定しています。無視できるスイッチングロス 低静電容量 低順方向電圧降下 高逆アバランシェサージ機能

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 10。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm。PNPパワートランジスタ、STMicroelectronics