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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 13 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 550 V●シリーズ ： MDmesh M5●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 240 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 90 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●幅 ： 4.6mm●高さ ： 15.75mm●STMicroelectronics N チャンネル MDmesh(TM)M5 シリーズ. MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥369
税込￥406
5日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 13 A。最大ドレイン-ソース間電圧 600 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 285 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -25 V， +25 V。幅 4.6mm。高さ 15.75mm。NチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥12,980
税込￥14,278
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 13 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1000 V●パッケージタイプ ： TO-247●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 700 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 350 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥36,980
税込￥40,678
5日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●電源タイプ ： デュアル電源●回路数 ： 4●ピン数 ： 14●標準ゲイン帯域幅積 ： 3MHz●標準デュアル供給電圧 ： ±12 V， ±15 V， ±5 V， ±9 V●標準スルーレート ： 13V/μs●動作温度 Min ： -40 ℃●レール to レール ： No●標準入力電圧ノイズ密度 ： 15nV/√Hz●TL06x/TL07x/TL08x 低入力バイアス電流オペアンプ JFET 入力. TL06x 、 TL07x 、 TL08x は、高入力インピーダンス JFET 入力段を備えたオペアンプです。高いスルーレート、低い入力バイアスとオフセット電流、低いオフセット電圧温度係数を特長としています。. 低消費電力： 200 μA ( TL06x 、アンプあたり) 幅広いコモンモードと差動電圧範囲 低ノイズ、標準 15 nV/ √ Hz ( TL07x ) 低高調波歪み： 0.01 % ( TL07x ) 出力短絡保護 内部周波数補償 ラッチアップフリー動作 高スルーレート： 16 V/ μ s ( TL07x 、 TL08x )、 3.5 V/ μ s ( TL06x )
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥89,980
税込￥98,978
5日以内出荷
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