「v-35a」の検索結果

最大破壊電流 = 0.05mA。最大破壊電圧 = 36V。繰り返しピークオンステート電流 = 2A。繰返しピークオフステート電流 = 0.01mA。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-35。ピン数 = 2。寸法 = 4.5 x 2 x 2mm。長さ = 4.5mm。幅 = 2mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。；b>DB3 、 DB4 、 SMDB3 DIAC ダイオード ；/b>. 固定基準電圧でトリガダイオードとして機能する ST Microelectronics DB3 / DB4 シリーズは、トライアックと組み合わせてゲート制御回路を単純化したり、蛍光灯バラストの起動エレメントとして使用したりすることができます。表面実装 SOT23-3L パッケージにより、自動製造用のコンパクトな SMD ベースデザインが可能です。. ；b>特長と利点 ；/b>. ；ul> ；li>VBO ： 32 V および 40 V ；/li> ；li>低ブレークオーバー電流 ；/li> ；li>ブレークオーバー電圧対称： 3 V ；/li> ；li>ECOPACK R 2 適合 ；/li> ；/ul>. ；b>用途 ；/b>. ；ul> ；li>トライアック又は SCR ベースのモータ / 光ディマー用のトリガデバイスです ；/li> ；li>発振器回路用の 32 V トリガデバイス ；/li> ；li>CFL 、 TL 、 LED ランプの照明バラストの起動トリガ ；/li> ；/ul>

最大破壊電流 = 0.015mA。最大破壊電圧 = 34V。繰り返しピークオンステート電流 = 2A。繰返しピークオフステート電流 = 0.01mA。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-35。ピン数 = 2。寸法 = 4.5 x 2 x 2mm。長さ = 4.5mm。幅 = 2mm。高さ = 2mm。DIACダイオード

電源スイッチの種類 = OMNIFET: 完全自動保護パワーMOSFET。動作供給電圧 Max = 70 V。最大動作電流 = 35A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220。ピン数 = 3。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.75mm。STMicroelectronics OMNIFETシリーズ 完全自動保護パワーMOSFET. OMNIFETシリーズの完全自動保護ローサイドドライバは、その堅牢さと向上した信頼性で評価されています。このソリッドステートパワースイッチは、特に車載環境における誘導負荷及び抵抗負荷用に設計されています。. リニア電流制限 過熱保護 短絡保護 ESD 保護 クランプ内蔵

定格平均オン電流 = 16A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 35mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 168A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 35mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.3mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 9.3mm。動作温度 Max = +125 ℃V。TRIAC、16 → 20 A、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 8A。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。最大ゲートトリガー電流 = 35mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 84A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 35mA。寸法 = 10.28 x 9.35 x 4.6mm。長さ = 10.28mm。幅 = 9.35mm。高さ = 4.6mm。動作温度 Max = +125 ℃V。TRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronics