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チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 80 A。最大ドレイン-ソース間電圧 55 V。シリーズ STripFET F3。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 8.5 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V。長さ 6.6mm。高さ 2.4mm。NチャンネルSTripFET F3、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

出力電流 Max = 2A。出力電圧 Max = 50 V。レギュレータ機能 = バック コントローラ。出力電圧 Min = 3.3 V。入力電圧 Min = 8 V。入力電圧 Max = 55 V。出力タイプ = 可変。実装タイプ = 表面実装。出力数 = 1。最大スイッチング周波数 = 300 kHz。パッケージタイプ = SOIC W。スイッチングレギュレータ = あり。ラインレギュレーション = 10 mV。幅 = 7.6mm。DC-DC Switching Converters， Step-Down Regulators， STMicroelectronics. STのモノリシックスイッチングレギュレータは、高入力電圧対応で、最大4 Aの電流を出力し、高スイッチング周波数となっています。

方向性タイプ 単方向。最大クランピング電圧 13.4V。最小ブレークダウン電圧 6.45V。実装タイプ 表面実装。パッケージタイプ SMC。最大逆スタンドオフ電圧 5.8V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 1500W。最大ピークパルス電流 746A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -55 ℃。動作温度 Max +150 ℃mm。幅 6.25mm。Transil TVS SMT単方向1500 W、SM15Tシリーズ、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル。最大クランピング電圧 64.3V。最小ブレークダウン電圧 34.2V。実装タイプ 表面実装。パッケージタイプ SMC。最大逆スタンドオフ電圧 30.8V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 1500W。最大ピークパルス電流 156A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -55 ℃。寸法 7.15 6.25 2.45mm。幅 6.25mm。Transil TVS SMT単方向1500 W、SM15Tシリーズ、STMicroelectronics