「v-max」の検索結果

公称電圧 = 2.5 - 36V。パッケージタイプ = TO-92。基準タイプ = 可変。立上がり精度 = ±1.0 %。実装タイプ = スルーホール。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 100mA。入力電圧 Max = 37 V。出力電圧 Min = 2.5 V。出力電圧 Max = 36 V。ピン数 = 3。寸法 = 4.7 x 3.7 x 4.4mm。幅 = 3.7mm。電圧基準、調整可能、STMicroelectronics

実装タイプ = 表面実装。タイマータイプ = ウォッチドッグ。パッケージタイプ = SOT-23。内部タイマー数 = 1。ピン数 = 5。動作供給電圧 Min = 2.7 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作温度 Min = -40 ℃。動作温度 Max = +125 ℃。寸法 = 3 x 1.75 x 1.3mm。ウォッチドッグタイマ、STMicroelectronics

出力電流 Max = 2A。出力電圧 Max = 50 V。レギュレータ機能 = バック コントローラ。出力電圧 Min = 3.3 V。入力電圧 Min = 8 V。入力電圧 Max = 55 V。出力タイプ = 可変。実装タイプ = 表面実装。出力数 = 1。最大スイッチング周波数 = 300 kHz。パッケージタイプ = SOIC W。スイッチングレギュレータ = あり。ラインレギュレーション = 10 mV。幅 = 7.6mm。DC-DC Switching Converters， Step-Down Regulators， STMicroelectronics. STのモノリシックスイッチングレギュレータは、高入力電圧対応で、最大4 Aの電流を出力し、高スイッチング周波数となっています。

出力電流 Max = 1A。出力電圧 Max = 34 V。レギュレータ機能 = バック コントローラ。出力電圧 Min = 1.235 V。入力電圧 Min = 8 V。入力電圧 Max = 36 V。出力タイプ = 可変。実装タイプ = 表面実装。出力数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。スイッチングレギュレータ = あり。ラインレギュレーション = 10 mV。ロードレギュレーション = 15 mV。寸法 = 5 x 4 x 1.25mm。DC-DC Switching Converters， Step-Down Regulators， STMicroelectronics. STのモノリシックスイッチングレギュレータは、高入力電圧対応で、最大4 Aの電流を出力し、高スイッチング周波数となっています。

メモリサイズ = 1kbit。インターフェースタイプ = シリアル-I2C。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 64 K x 16ビット。動作供給電圧 Min = 2.5 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 2.5 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 16bit。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。ワード数 = 64k

メモリサイズ = 256kbit。インターフェースタイプ = シリアル-SPI。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 32768 x 8ビット。動作供給電圧 Min = 2.5 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 2.5 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。ワード数 = 32768年。EEPROM、SPIシリアル、STMicroelectronics. シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)バスに対応

メモリサイズ = 64kbit。インターフェースタイプ = シリアル-I2C。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 8192 x 8ビット。動作供給電圧 Min = 2.7 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 2.7 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。ワード数 = 8192ns。EEPROMシリアルI2C、STMicroelectronics. あらゆるI2Cバスインターフェイスモードに対応

センサ機能 = 温度。出力タイプ = 電圧。インターフェースタイプ = アナログ。精度 = ±1℃。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。動作温度範囲 = -40 → +125 ° C。動作温度 Max = +125 ℃。動作供給電圧 Min = 5 V。動作供給電圧 Max = 40 V。パッケージタイプ = TO-92。高さ = 5.33mm。幅 = 4.2mm。センサーゲイン = 10mV/℃。LM235/LM335温度センサ. LM235/LM335シリーズの温度センサには、リニア出力、及び、絶対温度に線形比例する、出力100 mV/°Kの2端子ツェナーとしての機能があります。

メモリサイズ = 256kbit。構成 = 32 K x 8。インターフェースタイプ = パラレル。データバス幅 = 8bit。最大ランダムアクセス時間 = 5ns。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = PCDIP。ピン数 = 28。寸法 = 39.88 x 18.34 x 9.65mm。長さ = 39.88mm。幅 = 18.34mm。高さ = 9.65mm。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作温度 Max = +70 ℃。ワード数 = 32Kbit。ZEROPOWERR SRAM、STMicroelectronics. ZEROPOWERR不揮発性RAMは、低消費電力のSRAMをパワーフェイル制御回路及び長寿命リチウムバッテリと一体化した製品です。

モータタイプ = ステッパ。トポロジー = バイポーラ。最大IGBTコレクタ電流 = 1.5A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = PDIP。動作供給電圧 Max = 50 V。動作供給電圧 Min = 10 V。標準スイッチング周波数 = 30kHz。幅 = 7.1mm。ステッパモータドライバ、 STMicroelectronics

最大順方向電流 = 30A。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大逆電圧 = 200V。パッケージタイプ = TO-247。ピン数 = 3V。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 15.75mm。幅 = 5.15mm。高さ = 20.15mm。寸法 = 15.75 x 5.15 x 20.15mm。整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics

コントロールタイプ = PWMコントローラ。出力数 = 1。最大スイッチング周波数 = 115 kHz。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SSOP。ピン数 = 10。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。入力電圧 Max = 23.5 V。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。VIPerPlus高電圧オフラインコンバータ、STMicroelectronics. VIPerPlusシリーズの高電圧コンバータでは、非常に幅の広い主電源入力電圧に対応する800 Vのアバランシェ高耐久性MOSFETと最先端のPWMコントローラが統合されています。 VIPerPlus固定周波数オフラインコンバータは信頼性と拡張性が優れているので、要件の厳しい省エネ規制にも適合しています。 また、非常に多くの保護方式を搭載しているので、さまざまなトポロジに対応します。

入力電圧 Max = 23.5 V。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 7。寸法 = 10.16 x 7.11 x 4.95mm。パッケージタイプ = PDIP。入力電圧範囲 = 8.5 → 23.5 V。限界電流 = 3.5mA。入力電圧 Min = 8.5 V。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 10.16mm。幅 = 7.11mm。高さ = 4.95mm。動作温度 Min = -40 ℃。動作温度範囲 = -40 → +150 ℃。VIPerPlus高電圧オフラインコンバータ、STMicroelectronics. VIPerPlusシリーズの高電圧コンバータでは、非常に幅の広い主電源入力電圧に対応する800 Vのアバランシェ高耐久性MOSFETと最先端のPWMコントローラが統合されています。 VIPerPlus固定周波数オフラインコンバータは信頼性と拡張性が優れているので、要件の厳しい省エネ規制にも適合しています。 また、非常に多くの保護方式を搭載しているので、さまざまなトポロジに対応します。

最大スイッチング周波数 = 70 kHz。スタートアップ供給電流 = 150μA。最大ソース電流 = 4mA。最大シンク電流 = 4.5mA。最大供給電流 = 6 mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SO。ピン数 = 16。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。長さ = 10mm。動作供給電圧 Max = 22.5 V。動作温度 Max = +150 ℃。幅 = 4mm。オンボード 700 V スタートアップソース トラッキングブースト機能 高速な「双方向」入力電圧フィードフォワード( 1/V2 補正) カスケードコンバータの PWM コントローラ用インターフェイス リモートオン / オフ制御 正確な調整可能な出力過電圧保護 フィードバックループの切断から保護(ラッチシャットダウン) インダクタ飽和保護 低( 100 μ A 以下)スタートアップ電流 最大動作バイアス電流： 6 mA 内部基準電圧： 1 % ( @ TJ = 25 ° C -600/+800 mA トーテムポールゲートドライバ( UVLO 時のアクティブプルダウン付き 用途 PFC プリレギュレータ： ハイエンド AC-DC アダプタ / 充電器 LED 照明器具用 SMPS です

電源スイッチの種類 = ソリッドステートリレー。オン抵抗 = 0.4Ω。動作供給電圧 Max = 45 V。最大動作電流 = 0.7A。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = PowerSO。ピン数 = 10。動作温度 Max = +150 ℃。寸法 = 9.5 x 7.6 x 3.65mm。インテリジェントハイサイド電源スイッチ、STMicroelectronics. インテリジェント電源スイッチ(IPS)には、ロジックインターフェイス、ドライバ、制御セクションの診断 / 保護機能、ハイサイド構成用のパワーステージが集積されています。

センサータイプ = 磁力計。軸数 = 3。テクノロジー = デジタル。実装タイプ = 表面実装。インターフェースタイプ = SPI。動作供給電圧 Max = 3.6 V。動作供給電圧 Min = 1.9 V。パッケージタイプ = VFLGA。感度 = 1711LSB/g。ピン数 = 12。動作温度 Max = +85 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。磁力計(e-Compasses)、STMicroelectronics. 高性能3軸磁力計、超低電力で動作 デジタル出力磁気センサ 外部磁界の方向とマグニチュードを正確に検出 携帯デバイス向けの正確なコンパス方位

モータタイプ = ブラシ付きDC。トポロジー = デュアルフルブリッジ。最大IGBTコレクタ電流 = 1.4A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 52 V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。動作供給電圧 Max = 52 V。動作供給電圧 Min = 8 V。標準スイッチング周波数 = 100kHz。寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm。モータ制御電源ドライバ、STMicroelectronics. STMicroelectronicsのパワードライバは、入力で論理コマンドを通じてモータや複雑な負荷を駆動します。 モータ又はモーション制御システムにおいてマイクロコントローラ、DSP、又はFPGAと共に使用できます。 このパワードライバには、デュアルフルブリッジ、フルブリッジ、そして3相があります。

電池タイプ = Lithium-イオン。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DFN。ピン数 = 12。標準動作供給電圧 = 4.55 → 5.4 V。寸法 = 3.15 x 3.15 x 0.75mm。長さ = 3.15mm。幅 = 3.15mm。高さ = 0.75mm。動作温度 Max = +85 ℃。出力電流 Max = 200mA。出力電圧 Max = 3.193 V。動作温度 Min = -40 ℃。出力電圧 Min = 3.007 V。バッテリ充電 / 監視コントローラ、STMicroelectronics

データ形式 = DW:DM:M:Y。時刻表示形式 = HH:MM:SS。ユーザーRAM = 8B。バスタイプ = シリアル2線、シリアルI2C。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 8。寸法 = 5 x 4 x 1.25mm。長さ = 5mm。幅 = 4mm。高さ = 1.25mm。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作温度 Min = -40 ℃。リアルタイムクロックペリフェラル、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 32A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TOP3。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 610A。実装タイプ = スルーホール。最大ゲートトリガー電流 = 80mA。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。最大保持電流 = 150mA。ピン数 = 3。寸法 = 15.5 x 4.6 x 12.85mm。動作温度 Max = +125 ℃V。サイリスタ、STMicroelectronics. STMicroelectronics製の幅広い汎用サイリスタは、定格400 → 1200 Vの遮断電圧と最高定格50 Aのオン状態の電流を備えています。

モータタイプ = ステッパ。回路構成 = デュアル。出力電流 Max = 3A。最大供給電圧 = 45 V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = PowerSO。動作供給電圧 Max = 45 V。動作供給電圧 Min = 8 V。標準スイッチング周波数 = 800kHz。寸法 = 16 x 11.1 x 3.3mm。アナログ混合信号技術で実現されている L6470 デバイスは、マイクロステッピングによる 2 相バイポーラステッパモータの駆動に適した Advanced 完全集積ソリューションです。この製品は、デュアル低 RDS ( on ) DMOS フルブリッジとすべてのパワースイッチを内蔵し、高精度オンチップ電流検出回路を備え、非散逸性電流制御や過電流保護に適しています。独自の制御システムにより、真の 1/128 ステップ分解能を実現しています。デジタル制御コアは、専用のレジスタセットを介して簡単にプログラムされ、加速、減速、速度又はターゲット位置を備えたユーザー定義のモーションプロファイルを生成できます。アナログ値(電流制御値、電流保護トリップポイント、デッドタイム、 PWM 周波数など)の設定に使用されるコマンド及びデータレジスタはすべて、標準の 5 Mbit/s SPI を介して送信されます。

定格平均オン電流 = 16A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 35mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 168A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 35mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.3mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 9.3mm。動作温度 Max = +125 ℃V。TRIAC、16 → 20 A、STMicroelectronics

電源スイッチの種類 = OMNIFET: 完全自動保護パワーMOSFET。動作供給電圧 Max = 70 V。最大動作電流 = 35A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220。ピン数 = 3。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.75mm。STMicroelectronics OMNIFETシリーズ 完全自動保護パワーMOSFET. OMNIFETシリーズの完全自動保護ローサイドドライバは、その堅牢さと向上した信頼性で評価されています。このソリッドステートパワースイッチは、特に車載環境における誘導負荷及び抵抗負荷用に設計されています。. リニア電流制限 過熱保護 短絡保護 ESD 保護 クランプ内蔵

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = デュアル電源。回路数 = 1。ピン数 = 8。標準ゲイン帯域幅積 = 4MHz。標準デュアル供給電圧 = ±12 V， ±15 V， ±5 V， ±9 V。標準スルーレート = 16V/μs。動作温度 Max = +70 ℃。標準電圧ゲイン = 106 dB。幅 = 3.9mm。LF347、LF351、LF353、JFET入力、低入力バイアス及びオフセット電流オペアンプ. LF347、LF351、及びLF353は、一対の高電圧JFETトランジスタ及びバイポーラトランジスタを備えた高速JFET入力オペアンプです。 高スルーレート、低入力バイアス及びオフセット電流、低オフセット電圧温度係数を特長としています。

定格平均オン電流 = 8A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 10mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 84A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 15mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.9mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 15.9mm。動作温度 Max = +150 ℃V。TRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 4A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 25mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 38A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 15mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.15mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 9.15mm。動作温度 Max = +125 ℃V。トライアック、最大6 A、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 16A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 10mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 168A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 15mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.9mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 15.9mm。動作温度 Max = +125 ℃V。TRIAC、16 → 20 A、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 8A。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。最大ゲートトリガー電流 = 35mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 84A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 35mA。寸法 = 10.28 x 9.35 x 4.6mm。長さ = 10.28mm。幅 = 9.35mm。高さ = 4.6mm。動作温度 Max = +125 ℃V。TRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronics

コンパレータタイプ = ローパワー。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = ±2電源， 単一電源。出力タイプ = CMOS、プッシュプル。回路数 = 2。標準応答時間 = 2μs。ピン数 = 8。標準シングル供給電圧 = 2.7 → 16 V。寸法 = 5 x 4 x 1.65mm。長さ = 5mm。幅 = 4mm。高さ = 1.65mm。標準CMRR = 82dB。動作温度 Max = +125 ℃V。コンパレータ、ST Microelectronics. 高速コンパレータ(応答時間が速い) 低消費電力コンパレータ(低動作電流: 210 nA) 耐熱性認定デバイス 車載用グレードのコンパレータは、AEC-Q100及びAEC-Q101の認定を取得

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 V。パッケージタイプ = SOT-32。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2800 mW。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 20 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 20 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 50 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ