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チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ STripFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,898 税込2,088
7日以内出荷

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。パッケージタイプ TO-220。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 400 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 75 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V。長さ 10.4mm。動作温度 Min -65 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
6,498 税込7,148
5日以内出荷

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 17 A。最大ドレイン-ソース間電圧 650 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 30 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
549 税込604
7日以内出荷

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 158 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 35 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -25 V, +25 V。幅 4.6mm。高さ 16.4mm。NチャンネルMDmesh、500 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
26,980 税込29,678
7日以内出荷

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 13 A。最大ドレイン-ソース間電圧 600 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 285 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -25 V, +25 V。幅 4.6mm。高さ 15.75mm。NチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
11,980 税込13,178
7日以内出荷

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 80 A。最大ドレイン-ソース間電圧 55 V。シリーズ STripFET F3。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 8.5 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V。長さ 6.6mm。高さ 2.4mm。NチャンネルSTripFET F3、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
569,800 税込626,780
7日以内出荷

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 120 A。最大ドレイン-ソース間電圧 100 V。パッケージタイプ D2PAK (TO-263)。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 10.5 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 312 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V。長さ 10.4mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
349,800 税込384,780
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 62 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 33 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 15 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 110 W●トランジスタ構成 : シングル●幅 : 4.6mm●高さ : 15.75mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
12,980 税込14,278
欠品中

分類 評価ボード。テクノロジー MCU。プロセッサファミリ名 STM。プロセッサ品番 STM32F439 NI。STM32F429I評価ボード. STMicroelectronics STM32429I-EVAL ARM ;sup>R ;/sup> Cortex M4評価ボードは、 STM32F429 MCUとともに動作します。 この開発プラットフォームにより、ユーザは短時間でアプリケーションを開発でき、また組み込みのST-LINK/V2により、STM32マイクロコントローラ用の組み込みデバッガとプログラマも使用できます。. マイクロコントローラ: STM32F429NIH6 カラーTFT LCD (4.3インチタッチスクリーン) 電源(5 V): 電源ジャック; ST-LINK/V2 USBコネクタ; USB HSコネクタ; USB FS1コネクタ; USB FS2コネクタ; ドーターボード RS-232通信 SDIOインターフェイス: Micro SDカード 組み込みST-LINK/V2 (JTAG/SWD及びETMトレース) SDRAM (8 x 32ビット); SRAM (1 x 16ビット)及びNOR Flash (8M 16ビット) プッシュボタン: リセット、ウェイクアップ及びタンパ ステータスLED 4 RTC; ポテンショメータ; ジョイスティック; カメラモジュール; IrDAトランシーバ; モータ制御コネクタ; SAI Audio DAC; ステレオデジタルマイク; RF EEPROM
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
67,980 税込74,778
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 90 W標準ターンオフ遅延時間 = 19 nsNチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,598 税込1,758
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 315 pF @ 25 VNチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,398 税込1,538
7日以内出荷


仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,898 税込2,088
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 110W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,398 税込1,538
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1PチャンネルSTripFETΩパワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
2,998 税込3,298
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W寸法 = 10.6 x 4.6 x 16.4mmNチャンネルSTripFETΩ H7シリーズ、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,498 税込2,748
翌々日出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 35 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 45 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 115 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●動作温度 Max : +175 ℃●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
8,598 税込9,458
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 21 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 158 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 150 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●幅 : 4.6mm●高さ : 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
31,980 税込35,178
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 200 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 400 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 75 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
6,498 税込7,148
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 14 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 250 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 110W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●動作温度 Max : +150 ℃mm●高さ : 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1個
469 税込516
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 12 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 320 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 25 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●動作温度 Max : +150 ℃●高さ : 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1個
439 税込483
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 26 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 70 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 85 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
569 税込626
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 28 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 150 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●トランジスタ素材 : Simm●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
9,998 税込10,998
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 21 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 158 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 150 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
25,980 税込28,578
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 10 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 550 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 70 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,298 税込2,528
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 24 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 40 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 60 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
229,800 税込252,780
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 29 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 105 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 210 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●動作温度 Max : +150 ℃●高さ : 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
46,980 税込51,678
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 29 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 105 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 210 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 84 nC @ 10 Vmm●高さ : 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,898 税込2,088
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 6.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 745 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 25 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 17.4 nC @ 10 Vmm●高さ : 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,398 税込2,638
7日以内出荷


仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 39 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 70 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 255 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 124 nC @ 10 Vmm●高さ : 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
22,980 税込25,278
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET(TM)II●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 18 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
1セット(50個)
8,998 税込9,898
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 80 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 75 V●シリーズ : STripFET II●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 11 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 300 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●トランジスタ素材 : Simm●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
16,980 税込18,678
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 80 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●シリーズ : STripFET II●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 15 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 45 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
16,980 税込18,678
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET(TM)II●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 18 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 110 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
7,198 税込7,918
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 75 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 8 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 310 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
19,980 税込21,978
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET II●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 18 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 110 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
179,800 税込197,780
7日以内出荷


仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 10.5 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 312 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●幅 : 4.6mm●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,498 税込1,648
7日以内出荷

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