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LED色 = 白。パッケージタイプ = 1608 (0603)。実装タイプ = 表面実装。LED数 = 1。順方向電圧 = 3.15 V。光度 = 180 mcd。ピン数 = 2。レンズ形状 = 長方形。色温度 = 7000K。Vishay VLMx1300シリーズLED. Vishay SemiconductorのVLMx1300シリーズは、高輝度0603チップLEDです。 このチップLEDファミリは、設計の柔軟性を考慮したコンパクトな表面実装(SMT)パッケージ設計になっています。 VLMx1300は、小型パッケージでより高い性能を発揮します。 この0603チップLEDは、厳しい環境でも高輝度と高い信頼性を確保する必要のある製品に最適です。 VLMx1300チップLEDに適した用途には、バックライト付きキーパッド、ナビゲーションシステム、携帯電話ディスプレイ、産業用制御システムディスプレイ、小型カラーエフェクト、交通情報ディスプレイなどがあります。. VLMx1300チップLEDの特長: - 薄型チップLEDパッケージ: 1.6 x 0.8 x 0.8 mm - 高輝度 - AllnGaP / InGaN技術 - 広い視野角: 130 °

ピン数 = 16。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。寸法 = 10 x 4 x 1.55mm。動作温度 Min = -40 ℃。アナログスイッチ(クワッド)、DG2xxシリーズ、Vishay Semiconductor. 高精度と低消費電力を特長としたクワッドアナログスイッチは、テスト装置やコンピュータ周辺機器などの用途に適しています。単電源での操作も可能なこのスイッチは、ポータブル計器にも適しています。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 50 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 73.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。順方向ダイオード電圧 = 1.5V。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

IHLP6767GZ-11シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク。Vishay IHLP-6767GZ-11シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。 IHLP-6767GZ-11シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。周波数範囲: 750 kHzまで 最低のDC抵抗 / μH(このパッケージサイズにて)

IHLP5050FD-01シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク。Vishay IHLP-5050FD-01シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。 IHLP-5050FD-01シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。周波数範囲は5.0 MHzまで 最低のDC抵抗 / μH(このパッケージサイズにて)

Vishay の赤色ドームレンズ SMD LED は、ガルウィング又は逆ガルウィングタイプとして表面実装するためのレンズ付きの、無色透明の小型成形パッケージに収められています。この LED は、最新の超高輝度 AlInGaP/Si チップ技術と高発光流、大型チップサイズを採用し、最大 70 mA の高 DC 順電流を実現しています。ガルウィングパッケージ形式です。RoHS 指

静電容量 = 4F。電圧 = 2.8V dc。実装タイプ = 表面実装。動作温度 Min = -20℃。動作温度 Max = +70℃。直径 = 7.5mm。高さ = 2.5mm。寸法 = 7 x 14 x 2.5mm。漏れ電流 = 0.03 mA。等価直列抵抗 = 15 (dc) Ω， 5 (ac) Ω。寿命 = 1000h。シリーズ = 196 HVC。許容差 = -20 → +80%。コンデンサファミリ = 電気2層mm。196 HVCシリーズ. 低プロファイル: 2.5 mm 13 Ws/gの高電力密度 最高6つのセルを使用可能 90 Fまでの静電容量 スタック式スルーホール、フラット表面実装、及びレイフラット構成を備えたピン、タブ、コネクタを用意 幅広い電圧範囲: 1.4 → 8.4 V 有効寿命: 1000時間 @ +85 ℃. 組み込みコンピュータ、サーバー、データストレージシステム、業務用リモコン、リアルタイムクロック、緊急照明、ゲーム、自動販売機、ネットワーク機器における環境発電と電源ラインのバックアップ用途

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 53.3V。最小ブレークダウン電圧 = 36.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 33V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 7.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 2.79mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 28.8V。最小ブレークダウン電圧 = 17.8V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 16V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 20.8A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 6.9A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.5 x 2.79 x 2.09mm。幅 = 2.79mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 15.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 53.5V。最小ブレークダウン電圧 = 33.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 30V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 11.2A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 8.7V。最小ブレークダウン電圧 = 6V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 480W。最大ピークパルス電流 = 30A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -40 ℃。寸法 = 3.1 x 1.43 x 1.05mm。幅 = 1.43mm。ESDプロテクタ、Vishay Semiconductor. IEC61000規格に準拠した静電気放電(ESD)保護

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 24.4V。最小ブレークダウン電圧 = 16.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 15V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 16.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 2.79mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 69.4V。最小ブレークダウン電圧 = 47.8V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 43V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 5.8A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 2.79mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 113V。最小ブレークダウン電圧 = 77.8V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 70V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 13.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。高さ = 2.42mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 77.4V。最小ブレークダウン電圧 = 53.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 7.8A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 19.9V。最小ブレークダウン電圧 = 13.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 20.1A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 2.79mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 10.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 209V。最小ブレークダウン電圧 = 144V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 130V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 7.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 77.4V。最小ブレークダウン電圧 = 53.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 19.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 19.2V。最小ブレークダウン電圧 = 9V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大逆スタンドオフ電圧 = 8V。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 18A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.43mm。ESDプロテクタ、Vishay Semiconductor. IEC61000規格に準拠した静電気放電(ESD)保護

ダイオード構成 = オクタル。最大クランピング電圧 = 13V。最小ブレークダウン電圧 = 6V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = LLP1713-9L。ピン数 = 9。ピークパルスパワー消費 = 33W。1チップ当たりのエレメント数 = 8

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 11.2V。最小ブレークダウン電圧 = 7.22V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 6.5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 35.7A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.087mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 3000W。最大ピークパルス電流 = 51.6A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。高さ = 2.42mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向3000 W、SMC3Kシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 45.4V。最小ブレークダウン電圧 = 31.1V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 28V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 33A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。高さ = 2.42mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 12.9V。最小ブレークダウン電圧 = 8.33V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 7.5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 46.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

標準ツェナー電圧 = 600V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC。ツェナータイプ = アバランシェ。ピン数 = 2

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 10 uH、パッケージタイプは 2525 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～ 2 MHz のフィルタイ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスが1.0uHで、パッケージタイプが2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

ThedomelensSMDLEDserieshasbeendesignedinasmalluntintedandclearmoldedpackagewithlensforsurfacemountingasgullwingorreversegullwingversion。TheVLD.1232.。seriesisusingrecentultrabrightInGaN/sapphirechiptechnologywithhighluminousflux.UtilizinglatestadvancedInGaNtechnologyPackagetype:surface-mountPackageform:gullwing，reversegullwingAPPLICATIONSTrafficsignalsandsignsInteriorandexteriorlightingSmokedetectors

標準ツェナー電圧 = 800V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC。ツェナータイプ = アバランシェ。ピン数 = 2

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-213AB。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 14mA。最大ツェナーインピーダンス = 20Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.6 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃