「インダクタンス」の検索結果

インダクタンス = 3.3 μH。最大直流電流 = 9.2A。パッケージ/ケース = 2525。長さ = 8mm。奥行き = 4mm。シールド = あり。許容差 = ± 20%。シリーズ = IHLP。インダクタ構造 = シールド付き。Vishay IHLP 商用インダクタは、飽和のない高過渡電流スパイクを処理します。複合構造により、超低騒音です。インダクタンスは 3.3 μ H です。RoHS対応 ハロゲンフリー

Vishay IHLP コマーシャルインダクタ高飽和シリーズです。飽和状態のない高過渡電流スパイクを処理します。複合構造により、超低騒音です。インダクタンスは 10 μ H です。RoHS対応(2022年10月現在) ハロゲンフリー

インダクタンス = 1 μH。最大直流電流 = 12A。パッケージ/ケース = 2525。長さ = 6.7mm。奥行き = 3mm。シールド = あり。許容差 = ± 20%。シリーズ = IHLP。インダクタ構造 = シールド付き

高電圧クラス 2 セラミック DC ディスクコンデンサ、10 → 40 kV dc / 3.5 → 14 kV ac、ねじ止め Terminal 取り付けクラス 2 セラミック( Y5U ) 低インダクタンス 高い絶縁抵抗 用途 高電圧電源 CO2レーザー X線機器

Vishay IHLP 車載インダクタは、高過渡電流スパイクをハード飽和状態で処理します。複合構造により、超低騒音です。電源付きの鉄組成によりソフトな彩度を実現しています。インダクタンスは 22 μ H です。RoHS対応(2022年10月現在) ハロゲンフリー

インダクタンス = 3.3 μH。最大直流電流 = 5.5A。パッケージ/ケース = 2020。長さ = 6.7mm。奥行き = 3mm。シールド = あり。許容差 = ± 20%。シリーズ = IHLP。インダクタ構造 = シールド付き。Vishay IHLP 業務用インダクタの低 DCR シリーズは、高過渡電流スパイクにも強く飽和しないで対処します。複合構造により、超低騒音です。電源付きの鉄組成によりソフトな彩度を実現しています。インダクタンスは 3.3 μ H です。RoHS対応 ハロゲンフリー

高電圧クラス2セラミックDCディスクコンデンサ、10→40kVdc/3.5→14kVac、ねじ止めTerminal取り付けクラス2セラミック(Y5U)低インダクタンス高い絶縁抵抗用途高電圧電源CO2レーザーX線機器

VishayIHLP商用インダクタは、飽和のない高過渡電流スパイクを処理します。複合構造により超低ノイズで、シールド構造を備えています。インダクタンスは33μHです。RoHS対応(2022年10月現在)ハロゲンフリー

静電容量 = 500pF。電圧 = 30kV dc。実装タイプ = スクリューターミナル。シリーズ = 715C。許容差 = -20 → +80%。温度特性 = Y5U。パッケージ/ケース = 0814。直径 = 26.7mm。高さ = 34.5mm。寸法 = 26.7 (Dia.) x 34.5mm。抑制クラス = Class II。末端仕様 = ねじ止め端子%。Vishay 715Cシリーズ. Vishay 715Cシリーズは、ねじ止め端子取り付けの高電圧セラミックディスクコンデンサです。低インダクタンスで高絶縁抵抗のエポキシコーティング絶縁が施されています。 715Cシリーズは、産業用、高電圧電源、X線装置、溶接機器などのさまざまな用途に適しています。. ねじ止め端子取り付け 高い絶縁抵抗 低インダクタンス エポキシコーティング

高電圧クラス2セラミックDCディスクコンデンサ、10→40kVdc/3.5→14kVac、ねじ止めTerminal取り付けクラス2セラミック(Y5U)低インダクタンス高い絶縁抵抗用途高電圧電源CO2レーザーX線機器

Vishay IHLP 車載インダクタは、飽和のない高過渡電流スパイクを処理します。複合構造により、超低騒音です。エンジン及びトランスミッション制御ユニットで使用できます。インダクタンスは 33 μ H です。RoHS対応(2022年10月現在) ハロゲンフリー

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 0.47 uH で、パッケージタイプは 3232 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントであるため、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 4.7 uH で、パッケージタイプは 2525 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントです。つまり、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。この製品は 68 uH インダクタンスで、パッケージタイプは 4040 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MH

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 0.68 uH で、パッケージタイプは 3232 です。 E-field シールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～ 2 MHz のフィルタイ

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。この製品は 6.8 uH インダクタンスとパッケージタイプが 4040 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 0.47 uH で、パッケージタイプは 2525 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品であるため、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～ 2 MHz のフ

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。この製品は 10 uH インダクタンスとパッケージタイプが 4040 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは0.68uHで、パッケージタイプは2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは5.6uHで、パッケージタイプは2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスが1.0uHで、パッケージタイプが2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは22uH、パッケージタイプは2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは1.5uH、パッケージタイプは2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

静電容量 = 3.3nF。電圧 = 40kV dc。実装タイプ = スクリューターミナル。シリーズ = 715C。許容差 = -20 → +80%。温度特性 = Y5U。パッケージ/ケース = 0814。直径 = 58.4mm。高さ = 34.5mm。寸法 = 58.4 (Dia.) x 34.5mm。抑制クラス = Class II。誘電体材料 = セラミック%。Vishay 715Cシリーズ. Vishay 715Cシリーズは、ねじ止め端子取り付けの高電圧セラミックディスクコンデンサです。低インダクタンスで高絶縁抵抗のエポキシコーティング絶縁が施されています。 715Cシリーズは、産業用、高電圧電源、X線装置、溶接機器などのさまざまな用途に適しています。. ねじ止め端子取り付け 高い絶縁抵抗 低インダクタンス エポキシコーティング

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。2.2uHのインダクタンスとパッケージタイプが4040です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。この製品は、15uHインダクタンスとパッケージタイプが4040です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 4.7 uH で、パッケージタイプは 3232 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントです。つまり、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 0.22 uH、パッケージタイプは 3232 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントであるため、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～ 2

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 10 uH、パッケージタイプは 3232 です。 E-field シールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントです。つまり、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～ 2 MHz

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。この製品は、47 uH のインダクタンスとパッケージタイプが 4040 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 M

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。1.0 uH のインダクタンスとパッケージタイプは 4040 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～ 2 MHz

高電流、スルーホールインダクタ、エッジ巻線型シリーズ高温動作、経年劣化なしで最大180℃の連続動作が可能です低DCRでは、損失を最小限に抑え、温度上昇を抑えることができますパウダー付き鉄合金コア技術により、十分なコア損失で動作温度範囲にわたって安定したインダクタンスと飽和を実現しています用途高電流及び高温用途DC/DCコンバータ高電流モータ及びスイッチングノイズ抑制

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。インダクタンスは 10 uH、パッケージタイプは 2525 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz ～ 2 MHz のフィルタイ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは0.82uHで、パッケージタイプは2525です。E-fieldシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは5.6uHで、パッケージタイプは3232です。E-fieldシールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントです。つまり、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは15μH、パッケージタイプは2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。この製品は3.3uHインダクタンスとパッケージタイプが4040です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。22uHのインダクタンスとパッケージタイプが4040です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。この製品は33uHのインダクタンスを備えていて、パッケージタイプは4040です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

静電容量 = 1μF。電圧 = 2kV dc。許容差 = ±5%。シリーズ = MKP386M。リード間隔 = 43mm。長さ = 58mm。奥行き = 30mm。等価直列抵抗 = 4mΩ。寸法 = 58 x 30 x 45mm。温度特性 = ポリプロピレン。末端仕様 = ねじ取り付け。動作温度 Max = +85℃。MKP386Mシリーズ. 低クランプ電圧と電流リンギングによりEMIを低減 高パルス強度(dV/dtは最大2500 V/μs) 低インダクタンス構造(低ESL) 低ESR IGBTモジュールへの直接取り付け用 用途: 光電及び風力インバータ、モータドライブ、周波数コンバータなど