「ケース」の検索結果

抵抗 = 5Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 470mΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±250ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

テクノロジー タンタル。静電容量 100μF。電圧 6.3V dc。実装タイプ 表面実装。パッケージ/ケース 7343-31。等価直列抵抗 700mΩ。自動車規格 AEC-Q200。許容差 ±10%。長さ 7.3mm。奥行き 4.3mm。高さ 2.8mm。寸法 7.3 4.3 2.8mm。シリーズ 293D。電解質の種類 ソリッド℃。許容差(プラス) +10%。ソリッドタンタル表面実装チップコンデンサTANTAMOUNT、成形ケース、標準工業グレード特長 成形ケースは6つのケースコードで用意 終端: 100 %つや消しスズが標準、スズ 鉛も用意 「大量」自動ピックアンドプレイス機器に対応 用途 産業用 通信インフラストラクチャ 汎用

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

テクノロジー タンタル。静電容量 470μF。電圧 10V dc。実装タイプ 表面実装。パッケージ/ケース 7343-43。等価直列抵抗 500mΩ。自動車規格 AEC-Q200。許容差 ±10%。長さ 7.3mm。奥行き 4.3mm。高さ 4mm。寸法 7.3 4.3 4mm。シリーズ 293D。動作温度 Max +125℃。許容差(プラス) +10%。ソリッドタンタル表面実装チップコンデンサTANTAMOUNT、成形ケース、標準工業グレード特長 成形ケースは6つのケースコードで用意 終端: 100 %つや消しスズが標準、スズ 鉛も用意 「大量」自動ピックアンドプレイス機器に対応 用途 産業用 通信インフラストラクチャ 汎用

テクノロジー タンタル。静電容量 2.2μF。電圧 50V dc。実装タイプ 表面実装。パッケージ/ケース 3528-21。等価直列抵抗 3.5Ω。自動車規格 AEC-Q200。許容差 ±10%。長さ 3.5mm。奥行き 2.8mm。高さ 1.9mm。寸法 3.5 2.8 1.9mm。シリーズ 293D。動作温度 Max +125℃。許容差(プラス) +10%。ソリッドタンタル表面実装チップコンデンサTANTAMOUNT、成形ケース、標準工業グレード特長 成形ケースは6つのケースコードで用意 終端: 100 %つや消しスズが標準、スズ 鉛も用意 「大量」自動ピックアンドプレイス機器に対応 用途 産業用 通信インフラストラクチャ 汎用

テクノロジー タンタル。静電容量 10μF。電圧 63V dc。実装タイプ 表面実装。パッケージ/ケース 7343-43。等価直列抵抗 1Ω。自動車規格 AEC-Q200。許容差 ±20%。長さ 7.3mm。奥行き 4.3mm。高さ 4mm。寸法 7.3 4.3 4mm。シリーズ 293D。動作温度 Max +125℃。許容差(プラス) +20%。ソリッドタンタル表面実装チップコンデンサTANTAMOUNT、成形ケース、標準工業グレード特長 成形ケースは6つのケースコードで用意 終端: 100 %つや消しスズが標準、スズ 鉛も用意 「大量」自動ピックアンドプレイス機器に対応 用途 産業用 通信インフラストラクチャ 汎用

テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 0402 (1005M)。許容差 = ± 0.1%。定格電力 = 0.1W

テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 0805 (2012M)。許容差 = ± 0.1%。定格電力 = 0.2W

テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 0805 (2012M)。許容差 = ± 0.1%。定格電力 = 0.2W

テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 0805 (2012M)。許容差 = ± 0.1%。定格電力 = 0.2W

ヒートシンク厚膜技術に取り付ける Vishay の電力抵抗器で、NF-EN45545-2 の要件 #26 に準拠しています。高出力 300 W @ 85 ℃ (下部ケース温度)。幅広い抵抗範囲： 0.3 → 900 KO E24 シリーズ無誘導 取り付けが簡単 ケースの低熱放射

ヒートシンク厚膜技術に取り付けるVishayの電力抵抗器で、NF-EN45545-2の要件#26に準拠しています。高出力300W@85℃(下部ケース温度)。幅広い抵抗範囲：0.3→900KOE24シリーズ無誘導取り付けが簡単ケースの低熱放射

ヒートシンク厚膜技術に取り付ける Vishay の電力抵抗器で、NF-EN45545-2 の要件 #26 に準拠しています。高出力 800 W @ 85 ℃ (下部ケース温度)。広い抵抗範囲： 0.3 900 k へのか。か。E24 シリーズ無誘導 取り付けが簡単 ケースの低熱放射

ヒートシンク厚膜技術に取り付ける Vishay の電力抵抗器で、NF-EN45545-2 の要件 #26 に準拠しています。高出力 800 W @ 85 ℃ (下部ケース温度)。広い抵抗範囲： 0.3 900 k へのか。か。E24 シリーズ無誘導 取り付けが簡単 ケースの低熱放射

テクノロジー = タンタル。静電容量 = 1μF。電圧 = 35V dc。実装タイプ = スルーホール。パッケージ/ケース = アキシャル。150Dシリーズ. Vishay 150Dシリーズのタンタルケース電解コンデンサは高性能で、ハーメチックシールド構造のTANTALEXRコンデンサです。 これらのコンデンサは損失係数が低く、プラスチックフィルムで絶縁されたケース内での動作安定性に優れ、単線のスズめっきワイヤリードが付いています。 150Dシリーズは安定した電気特性、高い信頼性、長寿命を備えています。これらの製品は、優れた体積効率の必要な用途に最適です。

抵抗 = 1kΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100mΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

ヒートシンク厚膜技術に取り付けるVishayの電力抵抗器で、NF-EN45545-2の要件#26に準拠しています。高出力300W@85℃(下部ケース温度)。幅広い抵抗範囲：0.3→900KOE24シリーズ無誘導取り付けが簡単ケースの低熱放射

テクノロジー = タンタル。静電容量 = 47μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 2812

テクノロジー = タンタル。静電容量 = 10μF。電圧 = 6.3V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 1411

抵抗 = 50mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±700ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 2Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 15Ω。定格電力 = 100W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO100。パッケージ/ケース = TO-247。動作温度 Max = +175℃。リード間隔 = 10.16mm。LTO100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器. LTO100シリーズ1000 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-247パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は100 Wで25 ℃です。 これらのLTO100シリーズ100 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、0.015 Ω～1 MΩの幅広い抵抗範囲を備え、誘導性がなく、AEC-Q200認定を受けています。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 100 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-247パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 47Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 47Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 0603 (1608M)。許容差 = ± 0.1%。定格電力 = 0.125W

テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 0603 (1608M)。許容差 = ± 0.1%。定格電力 = 0.125W

テクノロジー タンタル。静電容量 22μF。電圧 20V dc。実装タイプ 表面実装。パッケージ/ケース 3528-21。等価直列抵抗 2.1Ω。自動車規格 AEC-Q200。許容差 ±10%。長さ 3.5mm。奥行き 2.8mm。高さ 1.9mm。寸法 3.5 2.8 1.9mm。シリーズ 293D。動作温度 Max +125℃。許容差(プラス) +10%。ソリッドタンタル表面実装チップコンデンサTANTAMOUNT、成形ケース、標準工業グレード特長 成形ケースは6つのケースコードで用意 終端: 100 %つや消しスズが標準、スズ 鉛も用意 「大量」自動ピックアンドプレイス機器に対応 用途 産業用 通信インフラストラクチャ 汎用

テクノロジー = タンタル。静電容量 = 10μF。電圧 = 20V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 2312

ヒートシンク厚膜技術に取り付ける Vishay の電力抵抗器で、NF-EN45545-2 の要件 #26 に準拠しています。高出力 800 W @ 85 ℃ (下部ケース温度)。広い抵抗範囲： 0.3 900 k へのか。か。E24 シリーズ無誘導 取り付けが簡単 ケースの低熱放射

ヒートシンク厚膜技術に取り付けるVishayの電力抵抗器で、NF-EN45545-2の要件#26に準拠しています。高出力300W@85℃(下部ケース温度)。幅広い抵抗範囲：0.3→900KOE24シリーズ無誘導取り付けが簡単ケースの低熱放射

抵抗 = 100mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整