「ケース a6」の検索結果

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = ±4.3 A， ±6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ， 140 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2.78 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = TSOP-6。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 3.3 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 3.1mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 6A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBU。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 175A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 22.3mm。幅 = 3.56mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 6A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GSIB-5S。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 180A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 950mV。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 30mm。幅 = 4.6mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GSIB-5シリーズ、Vishay Semiconductor. GSIB-5シリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 薄型シングルインラインGSIB-5パッケージ ガラス不動態化チップジャンクション 耐高サージ電流 2500 Vrmsの高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 6A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBPC。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 175A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 16mm。幅 = 16mm。UL、E54214. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPCシリーズ、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器 0.5 μA未満の標準赤外線 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 ファストン端子

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 19 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 3.04mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 8 V。パッケージタイプ = SOT-23-3 (TO-236)。実装タイプ = 表面実装

抵抗 22Ω。許容差 ±5%。定格電力 200W。終端スタイル ラジアル。パッケージ/ケース RA シリーズ。テクノロジー 巻線。取り付け仕様 ボルトオン。ケーススタイル ほうろう。シリーズ RSSD。寸法 27 168mm。直径 27mm。長さ 168mm。構造 巻線℃。取り付けブラケットは別売り: 品番 7885167 7885167 10 50 mm 25 )用、 品番 7885151 7885151 20 117 mm 100 )用、品番 7885154 7885154 25 168 mm 200 )用、 品番 7885160 7885160 30 250 mm 280 )用. RSSD シリーズ 25 280 W. RSSDの中・高出力抵抗器は、激しい過渡現象や激しい衝撃、振動に耐えられることが特徴です。 VishayのRW、RWST、RAシリーズの抵抗器は低値領域で補完し、タップ加工が可能です。調整可能なカラーを使用します。 標準的なRSSD抵抗器は、1つの調整用カラーを備えています。. 特長:. 高定格電力： 16 600 @ 25 C 高過負荷：10 Pn 15 秒 % 低抵抗値 0.10 に対応可能 高い長期安定性：1，000時間後のドリフト1.5 ； 熱衝撃に対する優れた耐性 高い機械的強度 耐火性

抵抗 22Ω。許容差 ±5%。定格電力 280W。終端スタイル ラジアル。パッケージ/ケース RA シリーズ。テクノロジー 巻線。取り付け仕様 ボルトオン。ケーススタイル ほうろう。シリーズ RSSD。寸法 32 250mm。直径 32mm。長さ 250mm。構造 巻線℃。取り付けブラケットは別売り: 品番 7885167 7885167 10 50 mm 25 )用、 品番 7885151 7885151 20 117 mm 100 )用、品番 7885154 7885154 25 168 mm 200 )用、 品番 7885160 7885160 30 250 mm 280 )用. RSSD シリーズ 25 280 W. RSSDの中・高出力抵抗器は、激しい過渡現象や激しい衝撃、振動に耐えられることが特徴です。 VishayのRW、RWST、RAシリーズの抵抗器は低値領域で補完し、タップ加工が可能です。調整可能なカラーを使用します。 標準的なRSSD抵抗器は、1つの調整用カラーを備えています。. 特長:. 高定格電力： 16 600 @ 25 C 高過負荷：10 Pn 15 秒 % 低抵抗値 0.10 に対応可能 高い長期安定性：1，000時間後のドリフト1.5 ； 熱衝撃に対する優れた耐性 高い機械的強度 耐火性

抵抗 47Ω。許容差 ±5%。定格電力 200W。終端スタイル ラジアル。パッケージ/ケース RA シリーズ。テクノロジー 巻線。取り付け仕様 ボルトオン。ケーススタイル ほうろう。シリーズ RSSD。寸法 27 168mm。直径 27mm。長さ 168mm。動作温度 Min -55℃。取り付けブラケットは別売り: 品番 7885167 7885167 10 50 mm 25 )用、 品番 7885151 7885151 20 117 mm 100 )用、品番 7885154 7885154 25 168 mm 200 )用、 品番 7885160 7885160 30 250 mm 280 )用. RSSD シリーズ 25 280 W. RSSDの中・高出力抵抗器は、激しい過渡現象や激しい衝撃、振動に耐えられることが特徴です。 VishayのRW、RWST、RAシリーズの抵抗器は低値領域で補完し、タップ加工が可能です。調整可能なカラーを使用します。 標準的なRSSD抵抗器は、1つの調整用カラーを備えています。. 特長:. 高定格電力： 16 600 @ 25 C 高過負荷：10 Pn 15 秒 % 低抵抗値 0.10 に対応可能 高い長期安定性：1，000時間後のドリフト1.5 ； 熱衝撃に対する優れた耐性 高い機械的強度 耐火性

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 16 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 8 V。パッケージタイプ = 6マイクロフット。実装タイプ = 表面実装

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 4.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 80 V。パッケージタイプ SOT-23。実装タイプ 表面実装。ピン数 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 126 m。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 3V。最低ゲートしきい値電圧 1.2V。最大パワー消費 3.6 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V。長さ 3.1mm。動作温度 Min -55 ℃mm。TrenchFETRパワーMOSFET 材料の分類: 用途 ポータブルデバイス用負荷スイッチ LEDバックライトスイッチ DC/DCコンバータ ブーストコンバータ

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 263 m Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.25 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.35mm。高さ = 1mm。デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = WOG。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 60A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 9.86mm。幅 = 8.84mm。UL E54214. ワイヤリード付きブリッジ整流器、2WxxGシリーズ、Vishay Semiconductor. 低DC逆電流 高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用ワイヤリード構造

インダクタンス = 6.8 μH。最大直流電流 = 8A。パッケージ/ケース = 4040。長さ = 10.8mm。奥行き = 10.16mm。高さ = 4mm。寸法 = 10.8 x 10.16 x 4mm。シールド = あり。許容差 = ±20%。最大直流抵抗 = 23.3mΩ。シリーズ = IHLP-4040DZ-01。コア材料 = 金属複合材。最大自己共振周波数 = 5MHz。モールドタイプ = あり℃。IHLP4040DZ-01シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク. Vishay IHLP-4040DZ-01シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。 IHLP-4040DZ-01シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。. 周波数範囲は5.0 MHzまで 最低のDC抵抗 / μH(このパッケージサイズにて). 用途: PDA / ノートPC / デスクトップ / サーバデバイス、高電流POLコンバータ、低プロファイル、高電流電源、バッテリ駆動デバイス、分散したパワーシステムにおけるDC / DCコンバータ、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)用のDC / DCコンバータなど

ピーク平均順方向電流 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 600V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ WOG。ピン数 4。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 50A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -55 ℃。ピーク順方向電圧 1V。ピーク逆電流 5μA。長さ 9.86mm。幅 8.84mm。UL認証(ファイル番号：E54214 ). Vishay WxxGシリーズブリッジ整流器. UL認証(ファイル番号：E54214 プリント基板に最適 標準 IR：0.1 μA 以下 高絶縁耐力 高サージ電流耐性 はんだ耐熱性：最大温度 275 ℃(10秒)/JESD 22-B106 準拠 材料の分類：コンプライアンスの定義についてを参照. 用途 AC/DCブリッジ全波整流における汎用用途 電源、アダプター、充電器、照明用バラスター、家電製品などの用途. 機械データ ケース：WOG 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合 ベース P/N-E4-RoHS 準拠・商用グレード 端子：銀めっきリード、J-STD-002とJESD22-B102準拠のはんだ付け可能 極性：本体に記載

ピーク平均順方向電流 = 200A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = パネルマウント。パッケージタイプ = INT-A-PAK。ピン数 = 6。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.5kA。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.49V。ピーク逆電流 = 10mA。長さ = 94mm。幅 = 35mm。ULファイルNo.E78996. Vishay Semiconductor ねじ端子付き三相ブリッジ整流器 VS-160MTシリーズ. 業界標準のINT-A-PAK電源モジュール 高熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース 優れた電力体積比 絶縁電圧： 4000 Vrms

ピーク平均順方向電流 = 200A。ピーク逆繰返し電圧 = 1600V。実装タイプ = パネルマウント。パッケージタイプ = INT-A-PAK。ピン数 = 6。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.5kA。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.49V。ピーク逆電流 = 10mA。寸法 = 94 x 35 x 30mm。幅 = 35mm。ULファイルNo.E78996. Vishay Semiconductor ねじ端子付き三相ブリッジ整流器 VS-160MTシリーズ. 業界標準のINT-A-PAK電源モジュール 高熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース 優れた電力体積比 絶縁電圧： 4000 Vrms

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは5.6uHで、パッケージタイプは3232です。E-fieldシールド付き高電流インダクタは受動回路コンポーネントです。つまり、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

VishayIHLE5050シリーズ高電流インダクタにはEフィールドシールドが付いています。インダクタンスは5.6uHで、パッケージタイプは2525です。Eフィールドシールド付き高電流インダクタは受動回路部品なので、外部電源が必要です。高温：最大155℃電子シールドを内蔵してEMIを最大化(1)SRFを対象とした、最大1MHz～2MHzのフィルタインダクタアプリケーションに対応する優れたDC/DCエネルギーストレージ

Vishay IHLE5050 シリーズ高電流インダクタには E フィールドシールドが付いています。この製品は 6.8 uH インダクタンスとパッケージタイプが 4040 です。 E フィールドシールド付き高電流インダクタは、受動回路部品であるため、外部電源が必要になります。高温：最大 155 ℃ 電子シールドを内蔵して EMI を最大化( 1 ) SRF を対象とした、最大 1 MHz