「シンク用」の検索結果

抵抗 = 2Ω定格電力 = 12.5Wシリーズ = RHパッケージ/ケース = アルミハウジング許容差 = ±1%テクノロジー = 巻線終端スタイル = アキシャル動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +250℃最小温度係数 = -50ppm/℃最大温度係数 = +50ppm/℃寸法 = 19.05 x 20.32 x 9.91mm全体の幅 = 9.91mm10 W RH010シリーズ±1 %. Vishay RH010シリーズ巻線型シャーシ取り付け抵抗器は、アルミハウジング全体が溶接及び成形された構造になっており、環境全体を保護します。 これらの抵抗器は直接シャーシに取り付けられ、シートシンク効果を利用します。 この巻線型抵抗器製品は従来の定格電力で高い安定性を実現し、表面には簡単に識別できるフラットマークが付いています。. シートシンク効果を利用したシャーシ取り付け 成形構造により、環境全体を保護 高い安定性: ；0.05 %/年 抵抗値許容差: 1 %

抵抗 = 5Ω定格電力 = 25Wシリーズ = RHパッケージ/ケース = アルミハウジング許容差 = ±1%テクノロジー = 巻線終端スタイル = アキシャル動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +250℃最小温度係数 = -50ppm/℃最大温度係数 = +50ppm/℃寸法 = 26.97 x 27.43 x 13.87mm全体の幅 = 13.87mm25 W RH025シリーズ±1 %. Vishay RH025シリーズ巻線型シャーシ取り付け抵抗器は、アルミハウジング全体が溶接及び成形された構造になっており、環境全体を保護します。 これらの抵抗器は直接シャーシに取り付けられ、シートシンク効果を利用します。 この巻線型抵抗器製品は従来の定格電力で高い安定性を実現し、表面には簡単に識別できるフラットマークが付いています。. シートシンク効果を利用したシャーシ取り付け 成形構造により、環境全体を保護 高い安定性: ；0.05 %/年 抵抗値許容差: 1 %

抵抗 = 60Ω定格電力 = 25Wシリーズ = RHパッケージ/ケース = アルミハウジング許容差 = ±1%テクノロジー = 巻線終端スタイル = アキシャル動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +250℃最小温度係数 = -20ppm/℃最大温度係数 = +20ppm/℃寸法 = 26.97 x 27.43 x 13.87mm全体の幅 = 13.87mm25 W RH025シリーズ±1 %. Vishay RH025シリーズ巻線型シャーシ取り付け抵抗器は、アルミハウジング全体が溶接及び成形された構造になっており、環境全体を保護します。 これらの抵抗器は直接シャーシに取り付けられ、シートシンク効果を利用します。 この巻線型抵抗器製品は従来の定格電力で高い安定性を実現し、表面には簡単に識別できるフラットマークが付いています。. シートシンク効果を利用したシャーシ取り付け 成形構造により、環境全体を保護 高い安定性: ；0.05 %/年 抵抗値許容差: 1 %

抵抗 = 1.5Ω定格電力 = 25W許容差 = ±1%テクノロジー = 巻線シリーズ = RH温度係数 = ±50ppm/℃動作温度 Min = -55℃25 W RH025シリーズ±1 %. Vishay RH025シリーズ巻線型シャーシ取り付け抵抗器は、アルミハウジング全体が溶接及び成形された構造になっており、環境全体を保護します。 これらの抵抗器は直接シャーシに取り付けられ、シートシンク効果を利用します。 この巻線型抵抗器製品は従来の定格電力で高い安定性を実現し、表面には簡単に識別できるフラットマークが付いています。. シートシンク効果を利用したシャーシ取り付け 成形構造により、環境全体を保護 高い安定性: ；0.05 %/年 抵抗値許容差: 1 %

抵抗 = 50Ω定格電力 = 50Wシリーズ = RHパッケージ/ケース = アルミハウジング許容差 = ±1%テクノロジー = 巻線終端スタイル = アキシャル動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +250℃最小温度係数 = -20ppm/℃最大温度係数 = +20ppm/℃寸法 = 49.99 x 28.96 x 15.49mm全高 = 43.99mm定格電力は300 x 300 x 1.5 mmのアルミパネルに実装された抵抗器をベースとしています。非実装定格は20 W @ 25 ℃です。 定格電力については、メーカーのデータを参照してください。. 50 W RH050シリーズ±1 %. Vishay RH050シリーズ巻線型シャーシ取り付け抵抗器は、アルミハウジング全体が溶接及び成形された構造になっており、環境全体を保護します。これらの抵抗器は直接シャーシに取り付けられ、シートシンク効果を利用します。この巻線型抵抗器製品は従来の定格電力で高い安定性を実現し、表面には簡単に識別できるフラットマークが付いています。. 特長と利点. シートシンク効果を利用したシャーシ取り付け 総合的な環境保護性能を提供する成形構造 高い安定性: ；0.05 %/年 抵抗値許容差: 1 %

抵抗 = 5Ω定格電力 = 50W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO50パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃リード間隔 = 5.08mmLTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

実装タイプ = パネルマウントパッケージタイプ = Tモジュール最大連続 順方向電流 = 70Aピーク逆繰返し電圧 = 400Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 回復整流器ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.35V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.3kAVishay シリコンジャンクションダイオード VS-T40HF .. 、 VS-T70HF .. 、 VS-T85HF .. 、 VS-T110HF .. このシリーズの T モジュールでは、標準の回復用パワー整流ダイオードが使用されています。半導体は金属ベースから電気的に絶縁されているため、共通のヒートシンクとコンパクトなアセンブリを作成できます。主な用途には、電源、バッテリ充電、溶接機、モータ制御、一般的な産業用電流整流などがあります。 特長 電気的に絶縁されたベースプレート 最大 1200 個の VRRM を入力します 絶縁電圧： 3500 Vrms 機械設計の簡素化、 Rapid Assembly 高サージ機能 大きな沿面距離 UL E78996 認定 RoHS 指令 2002/95/EC に準拠 工業レベルの設計と認定を受けている

抵抗 = 50mΩ定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±700ppm/℃リード間隔 = 5.08mmLTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 3.9Ω定格電力 = 20W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = RTO 20パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃リード間隔 = 5.08mm厚膜型の電力抵抗器 - 20 W - 金属ベース. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装できます。

抵抗 = 1Ω定格電力 = 50W許容差 = ±1%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO50パッケージ/ケース = TO-220動作温度 Max = +155℃リード間隔 = 5.08mmLTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 22Ω定格電力 = 50W許容差 = ±1%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO50パッケージ/ケース = TO-220動作温度 Max = +155℃動作温度 Min = -55℃LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1Ω定格電力 = 50W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO50パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10mΩ定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220動作温度 Max = +150℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1kΩ定格電力 = 50W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO50パッケージ/ケース = TO-220動作温度 Max = +150℃リード間隔 = 5.08mmLTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 12Ω定格電力 = 20W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = RTO 20パッケージ/ケース = TO-220動作温度 Max = +155℃動作温度 Min = -55℃厚膜型の電力抵抗器 - 20 W - 金属ベース. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装できます。

抵抗 = 22Ω定格電力 = 50W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO50パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 47Ω定格電力 = 50W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO50パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃リード間隔 = 5.08mmLTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 50Ω定格電力 = 30W許容差 = ±1%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 5Ω定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10Ω定格電力 = 50W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = RTO 50パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

抵抗 = 100mΩ定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220動作温度 Max = +150℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 20Ω定格電力 = 30W許容差 = ±1%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃リード間隔 = 5.08mmLTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 2Ω定格電力 = 30W許容差 = ±1%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 15Ω定格電力 = 100W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO100パッケージ/ケース = TO-247動作温度 Max = +175℃リード間隔 = 10.16mmLTO100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器. LTO100シリーズ1000 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-247パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は100 Wで25 ℃です。 これらのLTO100シリーズ100 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、0.015 Ω～1 MΩの幅広い抵抗範囲を備え、誘導性がなく、AEC-Q200認定を受けています。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 100 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-247パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 4.7Ω定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1Ω定格電力 = 20W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = RTO 20パッケージ/ケース = TO-220動作温度 Max = +155℃リード間隔 = 5.08mm20 W RTO20シリーズ. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装可能

抵抗 = 10kΩ定格電力 = 20W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = RTO 20パッケージ/ケース = TO-220動作温度 Max = +155℃リード間隔 = 5.08mm20 W RTO20シリーズ. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装可能

抵抗 = 25Ω定格電力 = 30W許容差 = ±1%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 47Ω定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃リード間隔 = 5.08mmLTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 2.2Ω定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃リード間隔 = 5.08mmLTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 22Ω定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100Ω定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10Ω定格電力 = 100W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO100パッケージ/ケース = TO-247温度係数 = ±150ppm/℃リード間隔 = 10.16mmLTO100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器. LTO100シリーズ1000 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-247パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は100 Wで25 ℃です。 これらのLTO100シリーズ100 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、0.015 Ω～1 MΩの幅広い抵抗範囲を備え、誘導性がなく、AEC-Q200認定を受けています。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 100 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-247パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 22Ω定格電力 = 50W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = RTO 50パッケージ/ケース = TO-220動作温度 Max = +155℃動作温度 Min = -55℃50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

抵抗 = 15Ω定格電力 = 20W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = RTO 20パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃厚膜型の電力抵抗器 - 20 W - 金属ベース. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装できます。

抵抗 = 10Ω定格電力 = 50W許容差 = ±1%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO50パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 15Ω定格電力 = 50W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = RTO 50パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

抵抗 = 10kΩ定格電力 = 50W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = RTO 50パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃リード間隔 = 5.08mm50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

抵抗 = 100Ω定格電力 = 50W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = RTO 50パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

抵抗 = 4.7Ω定格電力 = 50W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = RTO 50パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃リード間隔 = 5.08mm50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)