「ダイオード 定電圧」の検索結果

実装タイプ スルーホール実装。出力デバイス フォトダイオード。最大順方向電圧 1.5V。チャンネル数 1。ピン数 8。パッケージタイプ SMD。標準上昇時間 1.75μs。最大入力電流 60 mA。絶縁電圧 5300 Vrms。標準降下時間 1.75μs。シリーズ IL300。IL300 リニアオプトカプラは、 AlGaAs IRLED から構成され、絶縁フィードバックと出力 PIN フォトダイオードを分岐配置で照射します。フィードバックフォトダイオードは、 LED 光束の一部をキャプチャし、制御信号( IP1 )を生成して、のサーボに使用できます LED 駆動電流この技術は、 LED の非線形、時間、および温度特性を補正します。出力 PIN フォトダイオードは、 LED が生成するサーボ光束と直線的に関連する出力信号( IP2 )を生成します。 入力 出力カプラゲイン( K3 )の時間と温度安定性は、 LED の出力フラックスを正確に追跡する PIN フォトダイオードと一致することによって保証されています。特長 AC 信号と DC 信号を結合します 0.01 サーボ直線性 広い帯域幅 、 200kHz 高ゲイン安定性(通常 0.005 %/ C 低入出力静電容量 低消費電力 、 15mW 絶縁定格電圧： 4420 VRMS 内部絶縁距離 ： 0.4 mm 用途 電源フィードバック電圧 電流 医療用センサの絶縁 オーディオ信号インターフェイス 分離されたプロセス制御トランスデューサ デジタル電話の絶縁 代理店の承認 UL cUL オプション で DIN EN60747-5-5 VDE0884-5 )を使用可能 BSI FIMKO CQC

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 45V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 500mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 40A。Vishay Semiconductor 高性能ショットキーダイオード. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。 Vishayの高性能ショットキーダイオードは、1 → 175 Aの正方向定格電流、15 → 150 Vの定格電圧を持っています。

逆方向の電圧を加えたときに定電圧を発生するダイオードです。定電圧回路およびサージ電流や静電気からICなどを守る保護デバイスとして使用します。

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 90Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm。標準電圧温度係数 = -0.065%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 90Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm。標準電圧温度係数 = 0.03 %/℃， 0.11%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 16V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.3 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 15mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 2.5 (Dia.) x 4.1mm。標準電圧温度係数 = 0.055 %/℃， 0.09%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

標準ツェナー電圧 = 6.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm。動作温度 Max = +175 ℃%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 3.9V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-80。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 90Ω。最大逆漏れ電流 = 40μA。寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm。動作温度 Max = +175 ℃%/K。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1300 mW。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 80mA。最大ツェナーインピーダンス = 20Ω。最大逆漏れ電流 = 40μA。寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm。標準電圧温度係数 = -0.065%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1300 mW。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 45mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm。標準電圧温度係数 = 0.015%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

標準ツェナー電圧 = 6.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1300 mW。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 35mA。最大ツェナーインピーダンス = 4Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm。標準電圧温度係数 = 0.033%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.3 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 15mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 2.5 (Dia.) x 4.1mm。標準電圧温度係数 = 0.055 %/℃， 0.09%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 550Ω。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm。標準電圧温度係数 = -0.02 %/℃， 0.02%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 50Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm。標準電圧温度係数 = 0.07%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 170Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm。動作温度 Max = +175 ℃%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = DIP。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。最大電流変換率 = 125%。標準降下時間 = 14μs。シリーズ = SFH。110 ℃定格SFH617A (DIP)は、高電流伝達率、低カップリング静電容量及び高絶縁電圧を備えています。これらのカプラは、シリコンプレーナフォトトランジスタ検出器に光学的に結合されているGaAs赤外線発光ダイオードエミッタを備え、プラスチックDIP-4パッケージに組み込まれています。カップリング装置は、2つの電気的に分離された回路間の信号伝送用に設計されています。カプラは、2.54 mm間隔でエンドスタッキング可能です。>8.0 mmの沿面距離と空間距離は、オプション6で得られます。動作温度範囲: -55 → +110 ℃ 順方向電流に依存する優れたCTR直線性 絶縁試験電圧、5300 VRMS 用途: ACアダプタ SMPS PLC