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Vishay P600シリーズは、P600エポキシパッケージの汎用プラスチック整流器シリーズです。 これらの製品は、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの汎用的な整流向けに設計されています。

実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-204AL。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 600V。シリーズ 1N4005。整流タイプ 汎用。ダイオードタイプ 整流器。ピン数 2。最大順方向降下電圧 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。直径 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 45A。Vishay 1N4001-1N4007汎用プラスチック整流器. Vishay 1N4001 1N4007 シリーズの1 A整流ダイオードは、汎用用途向けに設計されています。これらの製品は、25.4 mmスズめっきリード付きのDO-204AL (DO-41)プラスチックパッケージに収められています。 特長： 低順方向電圧降下 低漏洩電流 高順方向サージ機能 何に使用しますか? 1N4001 1N4007シリーズは、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの整流に最適です。汎用用途向けに設計されているため、さまざまな可能性があります。 動作時のジャンクション温度 -50 +150℃ 種類(ピーク繰り返し逆電圧あり)： 1N4001-50 1N4002 100 1N4003-200 1N4004-400 1N4005 600 1N4006-800 1N4007-1000 V

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 1600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

標準ツェナー電圧 = 6.8V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 8Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 3.9 x 1.7 x 1.7mm。動作温度 Max = +175 ℃%/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

標準ツェナー電圧 = 9.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 3.9 x 1.7 x 1.7mm。標準電圧温度係数 = 0.06%/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1300 mW。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 80mA。最大ツェナーインピーダンス = 20Ω。最大逆漏れ電流 = 40μA。寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm。標準電圧温度係数 = -0.065%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 940nm。パッケージタイプ = T-1 3/4。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 790nm。最大検出波長 = 1050nm。標準降下時間 = 2.5ns。長さ = 5.75mm。幅 = 5.75mm。高さ = 8.6mm。ピークフォト感度 = 0.55A/W。標準上昇時間 = 2.5ns。BPV10NFシリーズフォトダイオード. Vishay SemiconductorsのBPV10NFシリーズのシリコンPINフォトダイオードファミリです。この製品は、黒色プラスチックレンズと昼光フィルタを備えた5 mm (T-1 3/4)標準パッケージに収容されています。BPV10NFフォトダイオードは、放射感度の高い高速デバイスです。BPV10NFシリーズに適した用途には、赤外線検出器、赤外線リモコン、空間データ伝送システムなどがあります。この製品は、TSFFシリーズの赤外線エミッタと併用できます。. BPV10NF PINフォトダイオードの特長: T-1 3/4 (5 mm)パッケージ スルーホール取り付け 昼光色フィルタの付いた黒色のプラスチックパッケージ 高い放射感度 高帯域幅 高速な応答時間 動作温度範囲: -40 → +100 ℃

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = D 63。ピン数 = 5。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 375A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.26V。ピーク逆電流 = 200μA。長さ = 28.5mm。幅 = 28.5mm。UL E300359. プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VS-26MTシリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = D 63。ピン数 = 5。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 375A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.26V。ピーク逆電流 = 100μA。寸法 = 28.5 x 28.5 x 10mm。高さ = 10mm。UL、E300359認定. プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VS-MTシリーズ、Vishay Semiconductor. 三相ブリッジ整流器電源モジュール ユニバーサル、3極端子: プッシュオン(ファストン)、ラップアラウンド、又ははんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定フォロシャーシ取り付け 優れたパワー / ボリューム比

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TO-277A。最大連続 順方向電流 = 10A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 880mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。高性能ショットキー整流器、10 → 15 A、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = D 63。ピン数 = 5。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 375A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.26V。ピーク逆電流 = 200μA。寸法 = 28.5 x 28.5 x 10mm。高さ = 10mm。UL E300359. プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VS-26MTシリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TO-277A。最大連続 順方向電流 = 10A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 620mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 180A。TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

ブリッジタイプ = 単相A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = D 38。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 52A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 10μA。寸法 = 9.5 x 9.5 x 10mm。幅 = 9.5mm。ワイヤリード付きブリッジ整流器、VS-1KAB-Eシリーズ、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装用ワイヤリードコンパクト構造 簡単に組み立て、取り付け、在庫管理可能

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。Vishay US1A-US1M SMD超高速高効率整流器. VishayのUS1A及びUS1Mシリーズは、超高速表面実装整流ダイオードです。小型の低プロファイルパッケージを特長とするこれらの整流器は、自動ピックアンドプレース装置で使用できます。. 特長と利点. US1A及びUS1M整流器は、つや消しスズめっきリードが特長(モデルに応じてJ-STD-002及びJESD 22 B-102準拠のはんだ付けに対応) カラーバンドでカソード端を表示 これらの整流器は、逆耐圧を強化して漏電リスクを低減できるガラス不動態化パレットチップジャンクションで構成 これらの整流ダイオードは、超高速の逆回復時間と低スイッチング損失により高効率 US1A及びUS1M整流器はMSL1 (耐湿性レベル1)に適合し、パッケージは堅牢で、リフロー中に高い耐湿性を発揮 高順方向サージの管理が可能. 用途. これらの整流器は、還流及び高周波の用途に適しています。また、コンピュータ、通信機器、家電製品のスイッチングモードインバータ及びコンバータに使用できます。 これらの整流器はAEC-Q101認定済みで、車載用途にも適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201AD。最大連続 順方向電流 = 5A。ピーク逆繰返し電圧 = 60V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 220A。Vishay Semiconductor 高性能ショットキー整流器 4A-9A. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 90V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。