「ピン 1.5mm」の検索結果

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 11.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = ThunderFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 31 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最大パワー消費 = 5.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。高さ = 1.5mm。NチャンネルMOSFET、中電圧 / ThunderFETR、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 34 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 3.2 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。高さ = 1.55mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 7.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 49 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 4.2 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 25 nC @ 10 Vmm。高さ = 1.55mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 50 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 73.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。順方向ダイオード電圧 = 1.5V。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 7.2 A、8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ， 28 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 3.1 W、3.2 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V、-16 V、+16 V、+20 V。長さ = 5mm。高さ = 1.55mm。デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 1000V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ WOG。ピン数 4。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 50A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -55 ℃。ピーク順方向電圧 1V。ピーク逆電流 5μA。長さ 9.86mm。幅 8.84mm。UL認証(ファイル番号：E54214 ). Vishay WxxGシリーズブリッジ整流器. UL認証(ファイル番号：E54214 プリント基板に最適 標準 IR：0.1 μA 以下 高絶縁耐力 高サージ電流耐性 はんだ耐熱性：最大温度 275 ℃(10秒)/JESD 22-B106 準拠 材料の分類：コンプライアンスの定義についてを参照. 用途 AC/DCブリッジ全波整流における汎用用途 電源、アダプター、充電器、照明用バラスター、家電製品などの用途. 機械データ ケース：WOG 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合 ベース P/N-E4-RoHS 準拠・商用グレード 端子：銀めっきリード、J-STD-002とJESD22-B102準拠のはんだ付け可能 極性：本体に記載

ピーク平均順方向電流 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 50V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ WOG。ピン数 4。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 50A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -55 ℃。ピーク順方向電圧 1V。ピーク逆電流 5μA。寸法 9.86 8.84 5.6mm。高さ 5.6mm。UL認証(ファイル番号：E54214 ). Vishay WxxGシリーズブリッジ整流器. UL認証(ファイル番号：E54214 プリント基板に最適 標準 IR：0.1 μA 以下 高絶縁耐力 高サージ電流耐性 はんだ耐熱性：最大温度 275 ℃(10秒)/JESD 22-B106 準拠 材料の分類：コンプライアンスの定義についてを参照. 用途 AC/DCブリッジ全波整流における汎用用途 電源、アダプター、充電器、照明用バラスター、家電製品などの用途. 機械データ ケース：WOG 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合 ベース P/N-E4-RoHS 準拠・商用グレード 端子：銀めっきリード、J-STD-002とJESD22-B102準拠のはんだ付け可能 極性：本体に記載

ピーク平均順方向電流 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 600V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ WOG。ピン数 4。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 50A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -55 ℃。ピーク順方向電圧 1V。ピーク逆電流 5μA。長さ 9.86mm。幅 8.84mm。UL認証(ファイル番号：E54214 ). Vishay WxxGシリーズブリッジ整流器. UL認証(ファイル番号：E54214 プリント基板に最適 標準 IR：0.1 μA 以下 高絶縁耐力 高サージ電流耐性 はんだ耐熱性：最大温度 275 ℃(10秒)/JESD 22-B106 準拠 材料の分類：コンプライアンスの定義についてを参照. 用途 AC/DCブリッジ全波整流における汎用用途 電源、アダプター、充電器、照明用バラスター、家電製品などの用途. 機械データ ケース：WOG 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合 ベース P/N-E4-RoHS 準拠・商用グレード 端子：銀めっきリード、J-STD-002とJESD22-B102準拠のはんだ付け可能 極性：本体に記載

ピーク平均順方向電流 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 800V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ WOG。ピン数 4。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 50A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -55 ℃。ピーク順方向電圧 1V。ピーク逆電流 5μA。寸法 9.86 8.84 5.6mm。高さ 5.6mm。UL認証(ファイル番号：E54214 ). Vishay WxxGシリーズブリッジ整流器. UL認証(ファイル番号：E54214 プリント基板に最適 標準 IR：0.1 μA 以下 高絶縁耐力 高サージ電流耐性 はんだ耐熱性：最大温度 275 ℃(10秒)/JESD 22-B106 準拠 材料の分類：コンプライアンスの定義についてを参照. 用途 AC/DCブリッジ全波整流における汎用用途 電源、アダプター、充電器、照明用バラスター、家電製品などの用途. 機械データ ケース：WOG 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合 ベース P/N-E4-RoHS 準拠・商用グレード 端子：銀めっきリード、J-STD-002とJESD22-B102準拠のはんだ付け可能 極性：本体に記載

ピーク平均順方向電流 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 400V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ WOG。ピン数 4。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 50A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -55 ℃。ピーク順方向電圧 1V。ピーク逆電流 5μA。寸法 9.86 (Dia.) 5.6mm。高さ 5.6mm。UL認証(ファイル番号：E54214 ). Vishay WxxGシリーズブリッジ整流器. UL認証(ファイル番号：E54214 プリント基板に最適 標準 IR：0.1 μA 以下 高絶縁耐力 高サージ電流耐性 はんだ耐熱性：最大温度 275 ℃(10秒)/JESD 22-B106 準拠 材料の分類：コンプライアンスの定義についてを参照. 用途 AC/DCブリッジ全波整流における汎用用途 電源、アダプター、充電器、照明用バラスター、家電製品などの用途. 機械データ ケース：WOG 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合 ベース P/N-E4-RoHS 準拠・商用グレード 端子：銀めっきリード、J-STD-002とJESD22-B102準拠のはんだ付け可能 極性：本体に記載

ピーク平均順方向電流 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 100V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ WOG。ピン数 4。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 50A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -55 ℃。ピーク順方向電圧 1V。ピーク逆電流 5μA。寸法 9.86 8.84 5.6mm。幅 8.84mm。UL認証(ファイル番号：E54214 ). Vishay WxxGシリーズブリッジ整流器. UL認証(ファイル番号：E54214 プリント基板に最適 標準 IR：0.1 μA 以下 高絶縁耐力 高サージ電流耐性 はんだ耐熱性：最大温度 275 ℃(10秒)/JESD 22-B106 準拠 材料の分類：コンプライアンスの定義についてを参照. 用途 AC/DCブリッジ全波整流における汎用用途 電源、アダプター、充電器、照明用バラスター、家電製品などの用途. 機械データ ケース：WOG 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合 ベース P/N-E4-RoHS 準拠・商用グレード 端子：銀めっきリード、J-STD-002とJESD22-B102準拠のはんだ付け可能 極性：本体に記載

ピーク平均順方向電流 1.9A。ピーク逆繰返し電圧 600V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ D 37。ピン数 4。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 52A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -40 ℃。ピーク順方向電圧 1.1V。ピーク逆電流 10μA。寸法 17.5 6.5 15mm。幅 6.5mm。標準ピン構成: 代替ピン構成(型番の末尾R): +. SIL基板実装、2KBBシリーズ、Vishay Semiconductor. 2KBBシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装に最適 標準2.54 mm (0.1インチ)グリッドのリード コンパクトな構造 耐高サージ電流 標準DIN部品と等価

ピーク平均順方向電流 1.9A。ピーク逆繰返し電圧 400V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ D 37。ピン数 4。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 52A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -40 ℃。ピーク順方向電圧 1.1V。ピーク逆電流 10μA。寸法 17.5 6.5 15mm。幅 6.5mm。標準ピン構成: 代替ピン構成(型番の末尾R): +. SIL基板実装、2KBBシリーズ、Vishay Semiconductor. 2KBBシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装に最適 標準2.54 mm (0.1インチ)グリッドのリード コンパクトな構造 耐高サージ電流 標準DIN部品と等価

ピーク平均順方向電流 1.9A。ピーク逆繰返し電圧 1000V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ D 37。ピン数 4。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 52A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -40 ℃。ピーク順方向電圧 1.1V。ピーク逆電流 10μA。寸法 17.5 6.5 15mm。幅 6.5mm。標準ピン構成: 代替ピン構成(型番の末尾R): +. SIL基板実装、2KBBシリーズ、Vishay Semiconductor. 2KBBシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装に最適 標準2.54 mm (0.1インチ)グリッドのリード コンパクトな構造 耐高サージ電流 標準DIN部品と等価

ピーク平均順方向電流 1.9A。ピーク逆繰返し電圧 200V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ D 37。ピン数 4。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 52A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -40 ℃。ピーク順方向電圧 1.1V。ピーク逆電流 10μA。長さ 17.5mm。高さ 15mm。標準ピン構成: 代替ピン構成(型番の末尾R): +. SIL基板実装、2KBBシリーズ、Vishay Semiconductor. 2KBBシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装に最適 標準2.54 mm (0.1インチ)グリッドのリード コンパクトな構造 耐高サージ電流 標準DIN部品と等価

ピーク平均順方向電流 1.9A。ピーク逆繰返し電圧 600V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ D 37。ピン数 4。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 52A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -40 ℃。ピーク順方向電圧 1.1V。ピーク逆電流 10μA。寸法 17.5 6.5 15mm。幅 6.5mm。標準ピン構成: 代替ピン構成(型番の末尾R): +. SIL基板実装、2KBBシリーズ、Vishay Semiconductor. 2KBBシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装に最適 標準2.54 mm (0.1インチ)グリッドのリード コンパクトな構造 耐高サージ電流 標準DIN部品と等価

ピン数 = 16。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。寸法 = 10 x 4 x 1.55mm。動作温度 Min = -40 ℃。アナログスイッチ(デュアル)、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductor製のアナログスイッチ及びマルチプレクサは高性能で、幅広い用途に適しています。

ピン数 = 16。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。寸法 = 10 x 4 x 1.55mm。動作温度 Max = +85 ℃。アナログスイッチ(シングル)、Vishay Semiconductor. 低電力と高速を組み合せた高性能のアナログスイッチです。 このスイッチは幅広いダイナミックレンジを備え、信号誤差と歪みが小さいので、高精度のテスト機器、ガイダンス / 制御システム、バッテリ駆動のシステムなどの多様な用途に最適です。

ピン数 = 8。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。寸法 = 5 x 4 x 1.55mm。動作温度 Max = +85 ℃。アナログスイッチ(シングル)、Vishay Semiconductor. 低電力と高速を組み合せた高性能のアナログスイッチです。 このスイッチは幅広いダイナミックレンジを備え、信号誤差と歪みが小さいので、高精度のテスト機器、ガイダンス / 制御システム、バッテリ駆動のシステムなどの多様な用途に最適です。

ピン数 = 16。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。寸法 = 10 x 4 x 1.55mm。動作温度 Min = -40 ℃。アナログスイッチ(クワッド)、DG4xxシリーズ、Vishay Semiconductor. 高精度と低消費電力を特長としたクワッドアナログスイッチは、テスト装置やコンピュータ周辺機器などの用途に適しています。 単電源での操作も可能なこのスイッチは、ポータブル計器にも適しています。

ピン数 = 16。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。寸法 = 10 x 4 x 1.55mm。動作温度 Min = -40 ℃。アナログスイッチ(クワッド)、DG2xxシリーズ、Vishay Semiconductor. 高精度と低消費電力を特長としたクワッドアナログスイッチは、テスト装置やコンピュータ周辺機器などの用途に適しています。単電源での操作も可能なこのスイッチは、ポータブル計器にも適しています。

ピン数 = 16。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。寸法 = 10 x 4 x 1.55mm。動作温度 Min = -40 ℃。アナログスイッチ(クワッド)、DG4xxシリーズ、Vishay Semiconductor. 高精度と低消費電力を特長としたクワッドアナログスイッチは、テスト装置やコンピュータ周辺機器などの用途に適しています。 単電源での操作も可能なこのスイッチは、ポータブル計器にも適しています。

ピン数 = 16。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。寸法 = 10 x 4 x 1.55mm。動作温度 Max = +85 ℃。アナログスイッチ(クワッド)、DG4xxシリーズ、Vishay Semiconductor. 高精度と低消費電力を特長としたクワッドアナログスイッチは、テスト装置やコンピュータ周辺機器などの用途に適しています。 単電源での操作も可能なこのスイッチは、ポータブル計器にも適しています。

標準ツェナー電圧 = 200V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.5 W。パッケージタイプ = DO-204AL。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 1500Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 2.7 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード1.5 W、Z4KE100A - Z4KE200Aシリーズ、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化電力電圧調整式ダイオード プラスチックMELFパッケージ 自動位置決めに最適 低ツェナーインピーダンス 低調整定数 AEC-Q101認定

ピン数 = 8。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。寸法 = 5 x 4 x 1.55mm。動作温度 Min = -40 ℃。アナログスイッチ(シングル)、Vishay Semiconductor. 低電力と高速を組み合せた高性能のアナログスイッチです。 このスイッチは幅広いダイナミックレンジを備え、信号誤差と歪みが小さいので、高精度のテスト機器、ガイダンス / 制御システム、バッテリ駆動のシステムなどの多様な用途に最適です。

ピン数 = 16。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。寸法 = 10 x 4 x 1.55mm。動作温度 Min = -40 ℃。アナログスイッチ(クワッド)、DG2xxシリーズ、Vishay Semiconductor. 高精度と低消費電力を特長としたクワッドアナログスイッチは、テスト装置やコンピュータ周辺機器などの用途に適しています。単電源での操作も可能なこのスイッチは、ポータブル計器にも適しています。

ピン数 = 16。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。寸法 = 10 x 4 x 1.55mm。動作温度 Max = +85 ℃。アナログスイッチ(クワッド)、DG4xxシリーズ、Vishay Semiconductor. 高精度と低消費電力を特長としたクワッドアナログスイッチは、テスト装置やコンピュータ周辺機器などの用途に適しています。 単電源での操作も可能なこのスイッチは、ポータブル計器にも適しています。

インダクタンス = 3.3 μH。最大直流電流 = 57A。実装タイプ = ラジアル。最大直流抵抗 = 1.5mΩ。許容差 = ±20%。直径 = 28.5mm。高さ = 10.7mm。寸法 = 28.5 (Dia.) x 10.7mm。最大自己共振周波数 = 15.8MHz。リード間隔 = 16.7mm。シリーズ = IHTH-1125KZ-5A。リード径 = 2mm。AEC-Q200認定. IHTH1125シリーズ高電流スルーホール、高温度インダクタ. 車載用途向けのIHTHシリーズ高電流スルーホール、高温インダクタです。 これらのインダクタはシールド付き構造になっており、最高で1 MHzの優れたDC/DCエネルギー蓄積機能を備えています。 IHTHインダクタは、飽和せずに高い過渡電流スパイクを処理します。また、コンポジット構造になっているので、電磁騒音を極めて低く抑えられます。 このIHTH高電流インダクタは、2ピン(0.47 → 47 uH)と3ピン(68 → 100 uH)を備えています。. 用途. ディーゼル噴射ドライバ エンジン / トランスミッションの制御ユニット 娯楽 / ナビゲーションシステム用のDC/DCコンバータ モータ用のノイズ抑制 - フロントガラスのワイパー - パワーシート - パワーミラー - HID照明 - 暖房 / 換気ブロワー LEDドライバ

ピン数 = 16。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。寸法 = 10 x 4 x 1.55mm。動作温度 Max = +85 ℃。アナログスイッチ(クワッド)、DG4xxシリーズ、Vishay Semiconductor. 高精度と低消費電力を特長としたクワッドアナログスイッチは、テスト装置やコンピュータ周辺機器などの用途に適しています。 単電源での操作も可能なこのスイッチは、ポータブル計器にも適しています。

ピン数 = 16。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。寸法 = 10 x 4 x 1.55mm。動作温度 Min = -40 ℃。アナログスイッチ(クワッド)、DG4xxシリーズ、Vishay Semiconductor. 高精度と低消費電力を特長としたクワッドアナログスイッチは、テスト装置やコンピュータ周辺機器などの用途に適しています。 単電源での操作も可能なこのスイッチは、ポータブル計器にも適しています。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.4V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2μs。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = D 63。ピン数 = 5。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 375A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.26V。ピーク逆電流 = 200μA。長さ = 28.5mm。幅 = 28.5mm。UL E300359. プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VS-26MTシリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 1600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DF-S。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 8.51mm。幅 = 6.5mm。ULファイル番号E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 耐高サージ電流 低DC逆電流 自動位置決めに最適 基板(PCB)リフローはんだ付け

ピーク平均順方向電流 = 1.2A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = D 38。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 52A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 9.5mm。幅 = 9.5mm。ワイヤリード付きブリッジ整流器、VS-1KAB-Eシリーズ、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装用ワイヤリードコンパクト構造 簡単に組み立て、取り付け、在庫管理可能

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = D 34。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.3V。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 28.5mm。幅 = 28.5mm。UL E300359. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、VS-36MBシリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比