「ピンク a4」の検索結果

ピーク平均順方向電流 = 4A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBU。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 22.3mm。幅 = 3.56mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 4A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBU。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 22.3 x 3.56 x 18.8mm。幅 = 3.56mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 400V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ WOG。ピン数 4。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 50A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -55 ℃。ピーク順方向電圧 1V。ピーク逆電流 5μA。寸法 9.86 (Dia.) 5.6mm。高さ 5.6mm。UL認証(ファイル番号：E54214 ). Vishay WxxGシリーズブリッジ整流器. UL認証(ファイル番号：E54214 プリント基板に最適 標準 IR：0.1 μA 以下 高絶縁耐力 高サージ電流耐性 はんだ耐熱性：最大温度 275 ℃(10秒)/JESD 22-B106 準拠 材料の分類：コンプライアンスの定義についてを参照. 用途 AC/DCブリッジ全波整流における汎用用途 電源、アダプター、充電器、照明用バラスター、家電製品などの用途. 機械データ ケース：WOG 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合 ベース P/N-E4-RoHS 準拠・商用グレード 端子：銀めっきリード、J-STD-002とJESD22-B102準拠のはんだ付け可能 極性：本体に記載

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 28.8 x 28.8 x 7.62mm。高さ = 7.62mm。UL E54214. Vishay Semiconductor GBPC35シリーズ プッシュオン端子付きブリッジ整流器. 高電流：35 A 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ ガラス不動態化チップジャンクション 低熱抵抗

ブリッジタイプ = 単相A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 28.8 x 28.8 x 7.62mm。幅 = 28.8mm。UL E54214. Vishay Semiconductor GBPC35シリーズ プッシュオン端子付きブリッジ整流器. 高電流：35 A 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ ガラス不動態化チップジャンクション 低熱抵抗

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.8mm。幅 = 28.8mm。UL E54214. Vishay GBPC25 シリーズブリッジダイオード. UL認証(ファイル番号：E54214 ) 一般的な3種類の端子：スナップオン、ラップアラウンド、基板取付 標準 IR：0.3 μA 以下 耐高サージ電流 低熱抵抗 はんだ耐熱性：最大温度 275 ℃(10秒)/JESD 22-B106 準拠. 代表的な用途 電源、家電製品、オフィス機器、産業オートメーション用途の AC/DC ブリッジ全波整流で汎用的に使用されます。. 機械データ ケース ：GBPC 、 GBPC-W 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合 ベース P/N-E4-RoHS 準拠・商用グレード 端子 ：ニッケルめっきファストンラグ、又は銀めっき ワイヤリード、J-STD-002 と JESD22-B102 準拠のはんだ付けに対応可能 配線リードを示す接尾辞「 W 」が追加されました (例：GBPC12005W )。 極性 ：マークされているように、プラス極リードは面取りコーナーに設置 締め付けトルク ：最大 20 in・lbs

ピーク平均順方向電流 = 6A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBPC6。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 175A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 16mm。幅 = 16mm。UL、E54214. 基板実装用ブリッジ整流器、GBPC6シリーズ、Vishay Semiconductor. 基盤(PCB)実装に最適 標準的なDC逆電流: 0.5 μA未満 ワイヤリード構造

ピーク平均順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = KBU。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -50 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 10μA。寸法 = 23.7 x 7.1 x 19.3mm。高さ = 19.3mm。UL E54214. SIL基板実装、KBUシリーズ、Vishay Semiconductor. KBU4x、KBU6x、KBU8xシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン 耐高サージ電流 絶縁電圧: 1500 Vrms パッケージのセンターに固定用の穴あり

ピーク平均順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = KBU。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -50 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 10μA。寸法 = 23.7 x 7.1 x 19.3mm。幅 = 7.1mm。UL E54214. SIL基板実装、KBUシリーズ、Vishay Semiconductor. KBU4x、KBU6x、KBU8xシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン 耐高サージ電流 絶縁電圧: 1500 Vrms パッケージのセンターに固定用の穴あり

ピーク平均順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = KBU。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -50 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 10μA。寸法 = 23.7 x 7.1 x 19.3mm。幅 = 7.1mm。UL E54214. SIL基板実装、KBUシリーズ、Vishay Semiconductor. KBU4x、KBU6x、KBU8xシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン 耐高サージ電流 絶縁電圧: 1500 Vrms パッケージのセンターに固定用の穴あり

ピーク平均順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = WOG。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 60A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 9.86mm。幅 = 8.84mm。UL E54214. ワイヤリード付きブリッジ整流器、2WxxGシリーズ、Vishay Semiconductor. 低DC逆電流 高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用ワイヤリード構造

ピーク平均順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = WOG。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 60A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 9.86mm。高さ = 5.6mm。UL E54214. ワイヤリード付きブリッジ整流器、2WxxGシリーズ、Vishay Semiconductor. 低DC逆電流 高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用ワイヤリード構造

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC-A。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 420A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.6mm。幅 = 28.6mm。UL E54214. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、VS-GBPC25シリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

ピーク平均順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = D 44。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 63A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 17.5mm。幅 = 6.8mm。Vishay 2KBP シリーズブリッジ整流器です. フルブリッジとして接続された 4 つのシングルダイオードで構成される 2 A 単相密閉型ブリッジ整流器です。産業用及び家庭用機器での一般的な用途を想定しています。. プリント回路基板の取り付けに適しています コンパクトな構造 高サージ電流に対応

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC-A。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.6mm。幅 = 28.6mm。UL E54214. Vishay VS-GBPC35 シリーズブリッジ整流器. 効率的で信頼性の高い動作を実現する、非常にコンパクトな密閉型単相ブリッジ整流器シリーズです。汎用及び計装用途向けです。. ユニバーサル、 3 極端子：プッシュオン、ラップアラウンド、はんだ 高い熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース プラスチックケースに正極性の Symbol が成形されている センター穴固定 ガラス不動態化ダイオードチップ 優れたパワー / ボリューム比 ニッケルめっき端子は鉛( Pb )フリーはんだ、はんだ合金 Sn/Ag/Cu ( SAC305 )、はんだではんだ付け可能 温度： 260 → 275 ° C ワイヤリードタイプを用意 UL E300359 認定 工業レベルおよび消費者レベルに対応した設計と認定

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC-A。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 28.6 x 28.6 x 7.7mm。高さ = 7.7mm。UL E54214. Vishay VS-GBPC35 シリーズブリッジ整流器. 効率的で信頼性の高い動作を実現する、非常にコンパクトな密閉型単相ブリッジ整流器シリーズです。汎用及び計装用途向けです。. ユニバーサル、 3 極端子：プッシュオン、ラップアラウンド、はんだ 高い熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース プラスチックケースに正極性の Symbol が成形されている センター穴固定 ガラス不動態化ダイオードチップ 優れたパワー / ボリューム比 ニッケルめっき端子は鉛( Pb )フリーはんだ、はんだ合金 Sn/Ag/Cu ( SAC305 )、はんだではんだ付け可能 温度： 260 → 275 ° C ワイヤリードタイプを用意 UL E300359 認定 工業レベルおよび消費者レベルに対応した設計と認定

ブリッジタイプ = 単相A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC-A。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 28.6 x 28.6 x 7.7mm。幅 = 28.6mm。UL E54214. Vishay VS-GBPC35 シリーズブリッジ整流器. 効率的で信頼性の高い動作を実現する、非常にコンパクトな密閉型単相ブリッジ整流器シリーズです。汎用及び計装用途向けです。. ユニバーサル、 3 極端子：プッシュオン、ラップアラウンド、はんだ 高い熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース プラスチックケースに正極性の Symbol が成形されている センター穴固定 ガラス不動態化ダイオードチップ 優れたパワー / ボリューム比 ニッケルめっき端子は鉛( Pb )フリーはんだ、はんだ合金 Sn/Ag/Cu ( SAC305 )、はんだではんだ付け可能 温度： 260 → 275 ° C ワイヤリードタイプを用意 UL E300359 認定 工業レベルおよび消費者レベルに対応した設計と認定

ブリッジタイプ = 単相A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = GBPC-A。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 28.6 x 28.6 x 7.7mm。幅 = 28.6mm。UL E54214. Vishay VS-GBPC35 シリーズブリッジ整流器. 効率的で信頼性の高い動作を実現する、非常にコンパクトな密閉型単相ブリッジ整流器シリーズです。汎用及び計装用途向けです。. ユニバーサル、 3 極端子：プッシュオン、ラップアラウンド、はんだ 高い熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース プラスチックケースに正極性の Symbol が成形されている センター穴固定 ガラス不動態化ダイオードチップ 優れたパワー / ボリューム比 ニッケルめっき端子は鉛( Pb )フリーはんだ、はんだ合金 Sn/Ag/Cu ( SAC305 )、はんだではんだ付け可能 温度： 260 → 275 ° C ワイヤリードタイプを用意 UL E300359 認定 工業レベルおよび消費者レベルに対応した設計と認定

ピーク平均順方向電流 1.9A。ピーク逆繰返し電圧 1000V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ D 37。ピン数 4。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 52A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -40 ℃。ピーク順方向電圧 1.1V。ピーク逆電流 10μA。寸法 17.5 6.5 15mm。幅 6.5mm。標準ピン構成: 代替ピン構成(型番の末尾R): +. SIL基板実装、2KBBシリーズ、Vishay Semiconductor. 2KBBシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装に最適 標準2.54 mm (0.1インチ)グリッドのリード コンパクトな構造 耐高サージ電流 標準DIN部品と等価

ピーク平均順方向電流 1.9A。ピーク逆繰返し電圧 600V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ D 37。ピン数 4。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 52A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -40 ℃。ピーク順方向電圧 1.1V。ピーク逆電流 10μA。寸法 17.5 6.5 15mm。幅 6.5mm。標準ピン構成: 代替ピン構成(型番の末尾R): +. SIL基板実装、2KBBシリーズ、Vishay Semiconductor. 2KBBシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装に最適 標準2.54 mm (0.1インチ)グリッドのリード コンパクトな構造 耐高サージ電流 標準DIN部品と等価

ピーク平均順方向電流 1.9A。ピーク逆繰返し電圧 200V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ D 37。ピン数 4。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 52A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -40 ℃。ピーク順方向電圧 1.1V。ピーク逆電流 10μA。長さ 17.5mm。高さ 15mm。標準ピン構成: 代替ピン構成(型番の末尾R): +. SIL基板実装、2KBBシリーズ、Vishay Semiconductor. 2KBBシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装に最適 標準2.54 mm (0.1インチ)グリッドのリード コンパクトな構造 耐高サージ電流 標準DIN部品と等価

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBPC-W。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.8mm。幅 = 28.8mm。UL E54214. 基板実装用ブリッジ整流器、VS-GBPC35xxWシリーズ、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)実装又はシャーシ取り付けに最適 中心穴固定のコンパクトな構造 低熱抵抗 ワイヤリード構造

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DF-S。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 8.51 x 6.5 x 3.3mm。幅 = 6.5mm。ULファイル番号E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 耐高サージ電流 低DC逆電流 自動位置決めに最適 基板(PCB)リフローはんだ付け

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DF-S。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 8.51mm。高さ = 3.3mm。ULファイル番号E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 耐高サージ電流 低DC逆電流 自動位置決めに最適 基板(PCB)リフローはんだ付け

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DF-S。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 8.51 x 6.5 x 3.3mm。幅 = 6.5mm。ULファイル番号E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 耐高サージ電流 低DC逆電流 自動位置決めに最適 基板(PCB)リフローはんだ付け

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DF-S。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 8.51 x 6.5 x 3.3mm。幅 = 6.5mm。ULファイル番号E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 耐高サージ電流 低DC逆電流 自動位置決めに最適 基板(PCB)リフローはんだ付け

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 1200V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = D 34。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.14V。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 28.5mm。幅 = 28.5mm。UL E300359. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、VS-36MBシリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

ピーク平均順方向電流 = 6A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = D 72。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 137A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.2V。ピーク逆電流 = 10mA。長さ = 15.75mm。幅 = 15.75mm。ワイヤリード付きブリッジ整流器、KBPCシリーズ、Vishay Semiconductor. 単相ハイパワーブリッジ整流器 基板又はシャーシの取り付けに最適 コンパクトな構造 耐高サージ電流 基板(PCB)スルーホール実装用ワイヤリード構造

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBPC-W。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.8mm。高さ = 7.62mm。UL E54214. 基板実装用ブリッジ整流器、VS-GBPC25xxWシリーズ、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)実装又はシャーシ取り付けに最適 中心穴固定のコンパクトな構造 低熱抵抗 ワイヤリード構造

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = D 34。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.3V。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 28.5mm。幅 = 28.5mm。UL E300359. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、VS-36MBシリーズ、Vishay Semiconductor. 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DF-M。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 8.51mm。高さ = 3.3mm。UL、E54214. 基板実装用ブリッジ整流器、DFxxM、DFxxMAシリーズ、Vishay Semiconductor. 小型のガラス不動態化チップジャンクション 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン 自動装着機に対応 耐高サージ電流

ピーク平均順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBU。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 22.3mm。幅 = 3.56mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBU。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 22.3mm。幅 = 3.56mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 1400V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = D 34。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.3V。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 28.5mm。高さ = 9.8mm。UL、E300359認定. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、VS-MBシリーズ、Vishay Semiconductor. 単相ブリッジ整流器、高電圧電源モジュール ユニバーサル、3極端子: プッシュオン(ファストン)、ラップアラウンド、又ははんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = D 34。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 420A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.25V。ピーク逆電流 = 10μA。寸法 = 28.5 x 28.5 x 9.8mm。幅 = 28.5mm。UL、E300359認定. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、VS-MBシリーズ、Vishay Semiconductor. 単相ブリッジ整流器、高電圧電源モジュール ユニバーサル、3極端子: プッシュオン(ファストン)、ラップアラウンド、又ははんだ 高熱伝導性パッケージ、電気的絶縁性ケース 中心穴固定 優れたパワー / ボリューム比

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GSIB-5S。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 350A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 10μA。寸法 = 30 x 4.6 x 20mm。高さ = 20mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GSIB-5シリーズ、Vishay Semiconductor. GSIB-5シリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 薄型シングルインラインGSIB-5パッケージ ガラス不動態化チップジャンクション 耐高サージ電流 2500 Vrmsの高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 40A。ピーク逆繰返し電圧 800V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ PB。ピン数 4。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 400A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -55 ℃。ピーク順方向電圧 1.1V。ピーク逆電流 500μA。寸法 30.3 5.1 20.3mm。高さ 20.3mm。SIL基板実装、PBシリーズ、Vishay Semiconductor. PBシリーズブリッジ整流器、強化isoCink+T SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor この汎用AC/DC全波ブリッジ整流器は、家庭用電化製品や白物家電の用途におけるリニア電源及びスイッチング電源に最適です。 この整流器は、熱伝導性の優れた、拡張型isoCink+高電流密度シングルインラインパッケージです。. 強化isoCink+ ブリッジ整流器 電気的に絶縁されたデバイスの安全性を示すUL規格のテストを実施済みです。 UL 1557。 強化高電流密度シングルインラインパッケージ 優れた熱伝導性 基板(PCB)スルーホール実装

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 1600V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = D 34。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 420A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.25V。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 28.5mm。高さ = 9.8mm。UL E300359. Vishay VS-26MB シリーズブリッジ整流器. 超コンパクトな密閉型単相製品です ブリッジ整流器で効率的かつ信頼性の高い動作を実現 これらは、一般的な目的や用途で使用することを目的としています 計装用途. ユニバーサル、 3 極端子：プッシュオン、ラップアラウンド、はんだ 高い熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース センター穴固定 優れたパワー / ボリューム比 UL E300359 認定 ニッケルめっき端子は鉛( Pb )フリーではんだ付け可能 はんだ、はんだ合金 Sn / Ag / Cu ( SAC305 )、はんだ 温度： 260 → 275 ° C 工業レベルの設計と認定を受けている

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 1200V。実装タイプ = スクリュー マウント。パッケージタイプ = D 34。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 420A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.11V。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 28.5mm。幅 = 28.5mm。UL E300359. Vishay VS-26MB シリーズブリッジ整流器. 超コンパクトな密閉型単相製品です ブリッジ整流器で効率的かつ信頼性の高い動作を実現 これらは、一般的な目的や用途で使用することを目的としています 計装用途. ユニバーサル、 3 極端子：プッシュオン、ラップアラウンド、はんだ 高い熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース センター穴固定 優れたパワー / ボリューム比 UL E300359 認定 ニッケルめっき端子は鉛( Pb )フリーではんだ付け可能 はんだ、はんだ合金 Sn / Ag / Cu ( SAC305 )、はんだ 温度： 260 → 275 ° C 工業レベルの設計と認定を受けている