「ファイル 30mm」の検索結果

ピーク平均順方向電流 = 200A。ピーク逆繰返し電圧 = 1600V。実装タイプ = パネルマウント。パッケージタイプ = INT-A-PAK。ピン数 = 6。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.5kA。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.49V。ピーク逆電流 = 10mA。寸法 = 94 x 35 x 30mm。幅 = 35mm。ULファイルNo.E78996. Vishay Semiconductor ねじ端子付き三相ブリッジ整流器 VS-160MTシリーズ. 業界標準のINT-A-PAK電源モジュール 高熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース 優れた電力体積比 絶縁電圧： 4000 Vrms

ピーク平均順方向電流 = 3.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GSIB-5S。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 950mV。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 30mm。幅 = 4.6mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GSIB-5シリーズ、Vishay Semiconductor. GSIB-5シリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 薄型シングルインラインGSIB-5パッケージ ガラス不動態化チップジャンクション 耐高サージ電流 2500 Vrmsの高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 3.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GSIB-5S。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 350A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 10μA。寸法 = 30 x 4.6 x 20mm。幅 = 4.6mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GSIB-5シリーズ、Vishay Semiconductor. GSIB-5シリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 薄型シングルインラインGSIB-5パッケージ ガラス不動態化チップジャンクション 耐高サージ電流 2500 Vrmsの高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 6A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GSIB-5S。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 180A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 950mV。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 30mm。幅 = 4.6mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GSIB-5シリーズ、Vishay Semiconductor. GSIB-5シリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 薄型シングルインラインGSIB-5パッケージ ガラス不動態化チップジャンクション 耐高サージ電流 2500 Vrmsの高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GSIB-5S。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 350A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 10μA。寸法 = 30 x 4.6 x 20mm。高さ = 20mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GSIB-5シリーズ、Vishay Semiconductor. GSIB-5シリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 薄型シングルインラインGSIB-5パッケージ ガラス不動態化チップジャンクション 耐高サージ電流 2500 Vrmsの高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

定格平均オン電流 = 160A。サイリスタタイプ = IGBT。パッケージタイプ = INT-A-PAK。繰返しピーク逆方向電圧 = 1600V。サージ電流レーティング = 5.1kA。実装タイプ = パネルマウント。最大ゲートトリガー電流 = 270mA。最大ゲートトリガー電圧 = 4V。最大保持電流 = 200mA。ピン数 = 7。寸法 = 94 x 35 x 30mm。動作温度 Max = +125 ℃V。UL認定ファイルE78996. サイリスタ / サイリスタVS-VSKTシリーズ、INT-A-PAKモジュール、Vishay Semiconductor. 2サイリスタ(SCR)構成 金属ベースからの絶縁電圧: 3500 V ；sub>RMS ；/sub> 業界標準パッケージ: INT-A-PAK 高サージ電流耐量

IHLP6767GZ-11シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク。Vishay IHLP-6767GZ-11シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。 IHLP-6767GZ-11シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。周波数範囲: 750 kHzまで 最低のDC抵抗 / μH(このパッケージサイズにて)

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 高速スイッチング整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 200ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。Vishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 1600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-213AB。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 高速スイッチング整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 500ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。Vishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器