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標準降下時間 = 5μs。標準上昇時間 = 4.8μs。チャンネル数 = 1

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトダイオード。最大順方向電圧 = 1.45V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。シリーズ = LH

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトダイオード。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 1.75μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。標準降下時間 = 1.75μs。シリーズ = IL300。特殊機能 = リニア動作。UL、E52744、VDE 0884. リニアオプトカプラ、Vishay Semiconductor

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 950nm。パッケージタイプ = GW。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 780nm。最大検出波長 = 1050nm。長さ = 4.4mm。幅 = 3.9mm。高さ = 1.2mm。VBP104シリーズPINフォトダイオード

ピーク感度波長 = 950nm。パッケージタイプ = リード線付き。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2

ピーク感度波長 = 900nm。パッケージタイプ = リード線付き。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 940nm。増幅機能 = なし。ピン数 = 4。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 790nm。最大検出波長 = 1050nm。標準降下時間 = 100ns。長さ = 5mm。幅 = 5mm。高さ = 1.12mm。標準上昇時間 = 100ns。TEMD51x0シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorsのこのファミリのPINフォトダイオードは、表面実装(SMD)上方監視パッケージに収納されています。 高速と高感度を実現し、870 → 950 nmの波長で動作します。 TEMD51x0シリーズに適した用途には、赤外線放射検出器、赤外線リモート制御、データ転送システムなどがあります。. TEMD51x0フォトダイオードの特長: 表面実装(SMD) 上方監視 寸法: 5 x 4.25 x 1.12 各種の放射検出面積 高い放射感度 昼光ブロックフィルタ 高速な応答時間 半輝度角度: 65°

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。ピーク感度波長 = 950nm。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 790nm。最大検出波長 = 1050nm。標準降下時間 = 100ns。長さ = 5mm。幅 = 3mm。高さ = 6.4mm。標準上昇時間 = 100ns。BPW83シリーズPINフォトダイオード. Vishay Semiconductor製のBPW83シリーズはPINフォトダイオードのファミリです。 これらの製品は、昼光フィルタの付いた側方監視の黒色プラスチック製パッケージに収納されているので、周囲の可視光を遮断します。 BPW83フォトダイオードに最適な用途: 高速な赤外線検出器、空間データ伝送システム及び赤外線リモコン. BPW83 PINフォトダイオードの特長: スルーホール取り付け サイドビュー 放射検出面積: 7.5 mm2 高い放射感度 昼光ブロックフィルタ 高速な応答時間 半輝度角度: 65°

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトダイオード。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 1.75μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。標準降下時間 = 1.75μs。シリーズ = IL300。特殊機能 = リニア動作。UL、E52744、VDE 0884. リニアオプトカプラ、Vishay Semiconductor

検出スペクトル = 可視光。ピーク感度波長 = 565nm。パッケージタイプ = TO-5。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 420nm。最大検出波長 = 675nm。長さ = 9.1mm。幅 = 9.1mm。高さ = 3.1mm。極性 = 順方向。BPW20 / BPW21シリーズフォトダイオード. Vishay Semiconductor製BPW20 / BPW21シリーズのシリコンフォトダイオードは、標準のTO-5パッケージに収納されています。ハーメチックシール構造のパッケージのBPW20 / BPW21は高精度のリニア用途に最適です。BPW20 / BPW21フォトダイオードに適した用途には、カメラ、光度計、カラーアナライザ、露出計の光測定用センサ、その他の一般的な医療 / 産業向けの測定 / 制御などがあります。. BPW20 / BPW21フォトダイオードの特長: フラットガラスレンズの付いたTO-5パッケージ 直径: 8.13 mm 放射検出面積: 7.5 mm2 高感光性 半輝度角度: 50 ° 低暗電流 高直線性

ピーク感度波長 = 940nm。パッケージタイプ = リード線付き。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトダイオード。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 1.75μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。標準降下時間 = 1.75μs。シリーズ = IL300。特殊機能 = リニア動作。UL、E52744、VDE 0884. リニアオプトカプラ、Vishay Semiconductor

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 950nm。パッケージタイプ = 逆向きガルウィング。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 780nm。最大検出波長 = 1050nm。長さ = 4.4mm。幅 = 3.9mm。高さ = 1.2mm。VBPW34シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorのVBPW34シリーズは、表面実装(SMD)シリコンPINフォトダイオードのファミリです。 ガルウィング又はリバースガルウィングのリードタイプがあります。 VBPW34シリーズは、高速赤外線検出器、赤外線リモート制御、空間データ伝送システム用途などに最適です。. VBPW34 PINフォトダイオードの特長: 表面実装(SMD)黒色パッケージ GW又はRGWリード 寸法: 6.4 x 3.9 x 1.2 mm 放射検出面積: 7.5 mm2 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 65°

検出スペクトル = 赤外線。標準降下時間 = 2.3μs。標準上昇時間 = 2μs。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 7000μA。最大暗電流 = 200nA。半値幅感度角度 = 30°。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = サブミニチュア。寸法 = 2.5 x 2 x 2.7mm。コレクター電流 = 50mA。感度スペクトルレンジ = 730 → 1000 nmnm。幅 = 2mm。TEMT1000シリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorのこのファミリのシリコンNPNフォトトランジスタは、表面実装(SMD)サブミニチュアパッケージ入りです。 黒色のプラスチックパッケージ入りで、ガルウィング(GW)、リバースガルウィング(RGW)、ヨーク、アキシャルなど、様々なリードタイプを用意しています。 この黒色のハウジングは、TEMT1000フォトトランジスタの昼光遮断フィルタとして機能します。 このフォトトランジスタに適した用途には、エンコーダ、カウンタ、フォトインタラプタ、昼光用途の赤外線検出器、及び電気コントロールや駆動回路の検出器としての使用などがあります。. TEMT1000シリーズの特長: TEMT1000、TEMT1020、TEMT1030、TEMT1040 サブミニチュアパッケージ 表面実装(SMD) 黒色プラスチック製ハウジング 各種リードタイプ 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 15 °

検出スペクトル = 可視光。ピーク感度波長 = 540nm。パッケージタイプ = 0805。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 2。最小検出波長 = 430nm。最大検出波長 = 610nm。標準降下時間 = 150ns。長さ = 2mm。幅 = 1.25mm。高さ = 0.85mm。自動車規格 = AEC-Q101V。TEMD6200シリーズ周辺光センサ. Vishay SemiconductorsのTEMD6200シリーズの周辺光センサファミリです。コンパクトな0805フットプリントの表面実装(SMD)デバイスです。TEMD6200周辺光センサに適した用途には、車載用センサ、バックライト調光機能、携帯電話、ノートブック、コンピュータなどがあります。. TEMD6200周辺光センサの特長: 0805フットプリント 寸法: 2 x 1.25 x 0.85 mm 放射検出面積: 0.27 mm2 高感光性 人間の眼の応答性 半輝度角度: 60 °

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 950nm。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 870nm。最大検出波長 = 1050nm。標準降下時間 = 100ns。長さ = 5.4mm。幅 = 4.3mm。高さ = 3.2mm。絶縁破壊電圧 = 60V。BP104シリーズPINフォトダイオード. Vishay Semiconductor製のBP104シリーズはPINフォトダイオードのグループです。昼光フィルタ付きフラットトップのプラスチック製小型パッケージに収納されています。BP104シリーズに適した用途には、高速の赤外線検出器、赤外線リモコン、空間データ伝送システムなどがあります。BP104は、TSALシリーズの赤外線エミッタと併用できます。. BP104 PINフォトダイオードの特長: トップビューパッケージ 寸法: 5.4 x 4.3 x 3.2 mm 放射検出面積: 7.5 mm2 高速な応答時間

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 950nm。パッケージタイプ = GW。増幅機能 = なし。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 780nm。最大検出波長 = 1050nm。長さ = 4.4mm。幅 = 3.9mm。高さ = 1.2mm。VBPW34シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorのVBPW34シリーズは、表面実装(SMD)シリコンPINフォトダイオードのファミリです。 ガルウィング又はリバースガルウィングのリードタイプがあります。 VBPW34シリーズは、高速赤外線検出器、赤外線リモート制御、空間データ伝送システム用途などに最適です。. VBPW34 PINフォトダイオードの特長: 表面実装(SMD)黒色パッケージ GW又はRGWリード 寸法: 6.4 x 3.9 x 1.2 mm 放射検出面積: 7.5 mm2 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 65°

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。ピーク感度波長 = 940nm。パッケージタイプ = GW。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 430nm。最大検出波長 = 1100nm。長さ = 4.4mm。幅 = 3.9mm。高さ = 1.2mm。VBPW34シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorのVBPW34S及びVBPW34SRシリーズは、シリコンPINフォトダイオードのファミリです。 高速と高感度を実現します。 VBPW34Sデバイス及びVBPW34SRデバイスは、7.5 mm2チップを含む表面実装(SMD)パッケージ入りです。 このPINフォトダイオードは、可視光線と近赤外線の放射を感知します。. VBPW34S / VBPW34SR PINフォトダイオードの特長: SMDパッケージ リードタイプ: ガルウィング(GW)及びリバースガルウィング(RGW) 寸法: 6.4 x 3.9 x 1.2 mm 高速な応答時間

実装タイプ スルーホール実装。出力デバイス フォトダイオード。最大順方向電圧 1.5V。チャンネル数 1。ピン数 8。パッケージタイプ SMD。標準上昇時間 1.75μs。最大入力電流 60 mA。絶縁電圧 5300 Vrms。標準降下時間 1.75μs。シリーズ IL300。IL300 リニアオプトカプラは、 AlGaAs IRLED から構成され、絶縁フィードバックと出力 PIN フォトダイオードを分岐配置で照射します。フィードバックフォトダイオードは、 LED 光束の一部をキャプチャし、制御信号( IP1 )を生成して、のサーボに使用できます LED 駆動電流この技術は、 LED の非線形、時間、および温度特性を補正します。出力 PIN フォトダイオードは、 LED が生成するサーボ光束と直線的に関連する出力信号( IP2 )を生成します。 入力 出力カプラゲイン( K3 )の時間と温度安定性は、 LED の出力フラックスを正確に追跡する PIN フォトダイオードと一致することによって保証されています。特長 AC 信号と DC 信号を結合します 0.01 サーボ直線性 広い帯域幅 、 200kHz 高ゲイン安定性(通常 0.005 %/ C 低入出力静電容量 低消費電力 、 15mW 絶縁定格電圧： 4420 VRMS 内部絶縁距離 ： 0.4 mm 用途 電源フィードバック電圧 電流 医療用センサの絶縁 オーディオ信号インターフェイス 分離されたプロセス制御トランスデューサ デジタル電話の絶縁 代理店の承認 UL cUL オプション で DIN EN60747-5-5 VDE0884-5 )を使用可能 BSI FIMKO CQC

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 950nm。パッケージタイプ = T-1。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 350nm。最大検出波長 = 1120nm。高さ = 4.5mm。直径 = 3.2mm。TEFD4300シリーズPINフォトダイオード. Vishay Semiconductor TEFD4300シリーズは、高い放射感度のシリコンPINフォトダイオードです。 これらはクリアフィルタ / 昼光フィルタから選択可能な標準3 mm (T-1)スルーホールパッケージ形式で提供されます。 最適な用途には、データ伝送用の高速な光検出器、光学スイッチ、カウンタ、分類器、遮断器、エンコーダ、位置センサなどがあります。. 特長:. パッケージタイプ：リード付き パッケージ形式： T-1 寸法( mm )： O 3 高い放射感度 可視光線および近赤外放射に適しています 高速な応答時間 半感度の角度：冷間距離 = ± 20 ° IR エミッタシリーズ VSLB3940 に適合したパッケージ. 用途:. データ転送用の高速光検出器 光スイッチ カウンタとソート 遮断器 エンコーダ センサを配置する

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 940nm。パッケージタイプ = QFN。増幅機能 = なし。ピン数 = 4。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 430nm。標準降下時間 = 100ns。長さ = 5mm。幅 = 4mm。高さ = 0.9mm。標準上昇時間 = 100ns

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 940nm。パッケージタイプ = T-1 3/4。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 790nm。最大検出波長 = 1050nm。標準降下時間 = 2.5ns。長さ = 5.75mm。幅 = 5.75mm。高さ = 8.6mm。ピークフォト感度 = 0.55A/W。標準上昇時間 = 2.5ns。BPV10NFシリーズフォトダイオード. Vishay SemiconductorsのBPV10NFシリーズのシリコンPINフォトダイオードファミリです。この製品は、黒色プラスチックレンズと昼光フィルタを備えた5 mm (T-1 3/4)標準パッケージに収容されています。BPV10NFフォトダイオードは、放射感度の高い高速デバイスです。BPV10NFシリーズに適した用途には、赤外線検出器、赤外線リモコン、空間データ伝送システムなどがあります。この製品は、TSFFシリーズの赤外線エミッタと併用できます。. BPV10NF PINフォトダイオードの特長: T-1 3/4 (5 mm)パッケージ スルーホール取り付け 昼光色フィルタの付いた黒色のプラスチックパッケージ 高い放射感度 高帯域幅 高速な応答時間 動作温度範囲: -40 → +100 ℃

検出スペクトル = 赤外線。ピーク感度波長 = 940nm。パッケージタイプ = SMD。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。半値幅感度角度 = ± 15 °

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。標準降下時間 = 2.3μs。標準上昇時間 = 2μs。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 8000μA。最大暗電流 = 200nA。半値幅感度角度 = ±25 °。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = 3 mm (T-1)。寸法 = 3 x 4.5mm。コレクター電流 = 50mA。感度スペクトルレンジ = 450 → 1080 nmnm。高さ = 4.5mm。BPW85シリーズフォトトランジスタ. Vishay Semiconductor BPW85シリーズのシリコンNPNフォトトランジスタファミリです。 これらはクリアレンズ付きの標準3 mm (T-1)プラスチックパッケージで提供されます。 BPW85及びIR フォトトランジスタは、可視光及び赤外線の放射を感知します。 BPW85シリーズには、BPW85、BPW85A、BPW85B、及びBPW85Cが含まれ、電子制御及び駆動回路用途の検出器に最適です。. BPW85フォトトランジスタの特長: 3 mm (T-1)パッケージ スルーホール取り付け 高感光性 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 25 ° 動作温度範囲: -40 → +100 ℃

検出スペクトル = 赤外線。チャンネル数 = 1。最大光電流 = 9000μA。最大暗電流 = 100nA。半値幅感度角度 = 30 °。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = 表面実装。寸法 = 2.3 x 2.3 x 2.77mm。コレクター電流 = 50mA。感度スペクトルレンジ = 790 → 970 nmnm。高さ = 2.77mm。VEMT2000 / VEMT2020シリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorのVEMT2000 / VEMT2020シリーズは、シリコンNPNエピタキシャル平面フォトトランジスタファミリです。 これらの製品は、各種リードタイプの表面実装(SMD)サブミニチュアパッケージに収容されています。 VEMT2000及びVEMT2020は、昼光フィルタを備え、周囲の可視光を遮断する黒色のプラスチック製パッケージに収容されています。 VEMT2000及びVEMT2020フォトトランジスタに適した用途には、フォトインタラプタ、ミニチュアスイッチ、車載用途の検出器、カウンタ、エンコーダ、位置センサなどがあります。. VEMT2000 / VEMT2020フォトトランジスタの特長: サブミニチュアパッケージ 表面実装(SMD) 多様なリードタイプ: GW及びRGW 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 15 °

Vishay のシリコン PIN フォトダイオードは、高速かつ高感度の PIN フォトダイオードです。検出面積が 0.42 mm2 の小型表面実装デバイス( SMD )です。放射検出面積： 0.42 mm2 動作温度範囲： -40 → +110 ℃

検出スペクトル = 赤外線， 可視光。標準降下時間 = 2.3μs。標準上昇時間 = 2μs。チャンネル数 = 1。最大暗電流 = 200nA。半値幅感度角度 = 50 °。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = 3 mm (T-1)。寸法 = 3.4 x 3.4 x 4.5mm。コレクター電流 = 50mA。感度スペクトルレンジ = 450 → 1080 nmnm。幅 = 3.4mm。BPW85シリーズフォトトランジスタ. Vishay Semiconductor BPW85シリーズのシリコンNPNフォトトランジスタファミリです。 これらはクリアレンズ付きの標準3 mm (T-1)プラスチックパッケージで提供されます。 BPW85及びIR フォトトランジスタは、可視光及び赤外線の放射を感知します。 BPW85シリーズには、BPW85、BPW85A、BPW85B、及びBPW85Cが含まれ、電子制御及び駆動回路用途の検出器に最適です。. BPW85フォトトランジスタの特長: 3 mm (T-1)パッケージ スルーホール取り付け 高感光性 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 25 ° 動作温度範囲: -40 → +100 ℃