「低周波」の検索結果

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-213AB。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 5.2mm。寸法 = 2.67 (Dia.) x 5.2mm。直径 = 2.67mm。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-213AB。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 1.25V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 5.2mm。寸法 = 2.67 (Dia.) x 5.2mm。直径 = 2.67mm。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2mV。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 4.57mm。幅 = 3.94mm。高さ = 2.24mm。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1300V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.65V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-213AB。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 920mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 25ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AC。最大連続 順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 125A。超高速回復整流器(6 → 12 A)、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214BA。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1300V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 20A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = SOD-57。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 2.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 30ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = SOD-57。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 2.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-219AD。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 550mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A。超低プロファイル - 高さ0.65 mm (標準) 自動位置決めに最適 低順方向電圧降下、低電力損失 用途: 低電圧高周波インバータ、還流、DC-DCコンバータ、極性保護などの用途で使用

CPFシリーズ(1 W → 3 W)。金属皮膜抵抗器、アキシャル、産業用電源、精密、耐炎性。特長。高い定格電力、小型 -耐炎性、耐熱性シリコーンコーティング ・特殊な撮影・塗装工程 - 優れた高周波特性 - 低ノイズ - 低電圧係数

CPFシリーズ(1 W → 3 W)。金属皮膜抵抗器、アキシャル、産業用電源、精密、耐炎性。特長。高い定格電力、小型 -耐炎性、耐熱性シリコーンコーティング ・特殊な撮影・塗装工程 - 優れた高周波特性 - 低ノイズ - 低電圧係数

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 1μF。電圧 = 35V dc。実装タイプ = スルーホール。リード間隔 = 5mm。許容差 = ±20%。高さ = 11.5mm。寸法 = 4 (Dia.) x 11.5mm。シリーズ = 489D。電解質の種類 = ソリッド℃。直径 = 4mm。489Dシリーズ. ソリッドタンタルラジアルコンデンサ カプセル化されたハードオレンジエポキシ樹脂 高周波数での低インピーダンス及びESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 10μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = スルーホール。リード間隔 = 5mm。許容差 = ±20%。高さ = 12mm。寸法 = 4.5 (Dia.) x 12mm。シリーズ = 489D。電解質の種類 = ソリッド℃。直径 = 4.5mm。489Dシリーズ. ソリッドタンタルラジアルコンデンサ カプセル化されたハードオレンジエポキシ樹脂 高周波数での低インピーダンス及びESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 2.2μF。電圧 = 25V dc。実装タイプ = スルーホール。リード間隔 = 5mm。許容差 = ±20%。高さ = 11.5mm。寸法 = 4 (Dia.) x 11.5mm。シリーズ = 489D。動作温度 Max = +85℃。許容差(プラス) = +20%。489Dシリーズ. ソリッドタンタルラジアルコンデンサ カプセル化されたハードオレンジエポキシ樹脂 高周波数での低インピーダンス及びESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 2.2μF。電圧 = 25V dc。実装タイプ = スルーホール。リード間隔 = 2.5mm。許容差 = ±20%。高さ = 7.5mm。寸法 = 4 (Dia.) x 7.5mm。シリーズ = 489D。動作温度 Max = +85℃。許容差(プラス) = +20%。489Dシリーズ. ソリッドタンタルラジアルコンデンサ カプセル化されたハードオレンジエポキシ樹脂 高周波数での低インピーダンス及びESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 10μF。電圧 = 25V dc。実装タイプ = スルーホール。リード間隔 = 2.5mm。許容差 = ±20%。高さ = 9mm。寸法 = 5 (Dia.) x 9mm。シリーズ = 489D。電解質の種類 = ソリッド℃。許容差(プラス) = +20%。489Dシリーズ. ソリッドタンタルラジアルコンデンサ カプセル化されたハードオレンジエポキシ樹脂 高周波数での低インピーダンス及びESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 10μF。電圧 = 35V dc。実装タイプ = スルーホール。リード間隔 = 5mm。許容差 = ±20%。高さ = 15mm。寸法 = 6 (Dia.) x 15mm。シリーズ = 489D。動作温度 Max = +85℃。直径 = 6mm。489Dシリーズ. ソリッドタンタルラジアルコンデンサ カプセル化されたハードオレンジエポキシ樹脂 高周波数での低インピーダンス及びESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 10μF。電圧 = 10V dc。実装タイプ = スルーホール。リード間隔 = 2.5mm。許容差 = ±20%。高さ = 7.5mm。寸法 = 4 (Dia.) x 7.5mm。シリーズ = 489D。動作温度 Max = +85℃。許容差(プラス) = +20%。489Dシリーズ. ソリッドタンタルラジアルコンデンサ カプセル化されたハードオレンジエポキシ樹脂 高周波数での低インピーダンス及びESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 10μF。電圧 = 25V dc。実装タイプ = スルーホール。リード間隔 = 5mm。許容差 = ±20%。高さ = 13mm。寸法 = 5 (Dia.) x 13mm。シリーズ = 489D。動作温度 Max = +85℃。許容差(プラス) = +20%。489Dシリーズ. ソリッドタンタルラジアルコンデンサ カプセル化されたハードオレンジエポキシ樹脂 高周波数での低インピーダンス及びESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 1μF。電圧 = 35V dc。実装タイプ = スルーホール。リード間隔 = 2.5mm。許容差 = ±20%。高さ = 7.5mm。寸法 = 4 (Dia.) x 7.5mm。シリーズ = 489D。動作温度 Max = +85℃。許容差(プラス) = +20%。489Dシリーズ. ソリッドタンタルラジアルコンデンサ カプセル化されたハードオレンジエポキシ樹脂 高周波数での低インピーダンス及びESR

静電容量 = 100pF。電圧 = 200V dc。パッケージ/ケース = 0603 (1608M)。実装タイプ = 表面実装。温度特性 = C0G (NP0)。Vishay VJシリーズ高周波多層セラミック. Vishay表面実装積層VJ高周波セラミックチップコンデンサシリーズは、非常に安定性の高い誘電体材料が採用されています。. 特長と利点:. GHzのシステムでも優れた低損失性能. 高周波. 用途:. ブロードバンドワイヤレス通信及び衛星通信、WiFi及びWiMaxシステム、VoIP及び携帯基地局、RF及びマイクロ波、医療機器及び試験装置、軍事機器

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 3W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 金属皮膜。シリーズ = CPF。温度係数 = ±100ppm/℃。動作温度 Min = -65℃。CPFシリーズ(1 W → 3 W). 金属皮膜抵抗器、アキシャル、産業用電源、精密、耐炎性. 特長. - 高い定格電力、小型 -耐炎性、耐熱性シリコーンコーティング ・特殊な撮影・塗装工程 - 優れた高周波特性 - 低ノイズ - 低電圧係数

抵抗 = 10kΩ。定格電力 = 2W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 金属皮膜。シリーズ = CPF。動作温度 Max = +230℃。動作温度 Min = -65℃。CPFシリーズ(1 W → 3 W). 金属皮膜抵抗器、アキシャル、産業用電源、精密、耐炎性. 特長. - 高い定格電力、小型 -耐炎性、耐熱性シリコーンコーティング ・特殊な撮影・塗装工程 - 優れた高周波特性 - 低ノイズ - 低電圧係数

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 2W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 金属皮膜。シリーズ = CPF。温度係数 = ±100ppm/℃。動作温度 Min = -65℃。CPFシリーズ(1 W → 3 W). 金属皮膜抵抗器、アキシャル、産業用電源、精密、耐炎性. 特長. - 高い定格電力、小型 -耐炎性、耐熱性シリコーンコーティング ・特殊な撮影・塗装工程 - 優れた高周波特性 - 低ノイズ - 低電圧係数

抵抗 = 100kΩ。定格電力 = 3W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 金属皮膜。シリーズ = CPF。温度係数 = ±100ppm/℃。動作温度 Min = -65℃。CPFシリーズ(1 W → 3 W). 金属皮膜抵抗器、アキシャル、産業用電源、精密、耐炎性. 特長. - 高い定格電力、小型 -耐炎性、耐熱性シリコーンコーティング ・特殊な撮影・塗装工程 - 優れた高周波特性 - 低ノイズ - 低電圧係数

抵抗 = 50Ω。定格電力 = 2W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 金属皮膜。シリーズ = CPF。動作温度 Max = +230℃。動作温度 Min = -65℃。CPFシリーズ(1 W → 3 W). 金属皮膜抵抗器、アキシャル、産業用電源、精密、耐炎性. 特長. - 高い定格電力、小型 -耐炎性、耐熱性シリコーンコーティング ・特殊な撮影・塗装工程 - 優れた高周波特性 - 低ノイズ - 低電圧係数

静電容量 = 8.2pF。電圧 = 250V dc。パッケージ/ケース = 0603 (1608M)。実装タイプ = 表面実装。温度特性 = C0G。許容差 = ±0.25pF。寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.94mm。長さ = 1.6mm。奥行き = 0.8mm。高さ = 0.94mm。シリーズ = VJ HIFREQ。動作温度 Max = +125℃。Vishay VJシリーズ高周波多層セラミック. Vishay表面実装積層VJ高周波セラミックチップコンデンサシリーズは、非常に安定性の高い誘電体材料が採用されています。. 特長と利点:. GHzのシステムでも優れた低損失性能. 高周波. 用途:. ブロードバンドワイヤレス通信及び衛星通信、WiFi及びWiMaxシステム、VoIP及び携帯基地局、RF及びマイクロ波、医療機器及び試験装置、軍事機器

実装タイプ 表面実装。パッケージタイプ DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 40V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ ショットキー整流器。ダイオードタイプ ショットキー。ピン数 2。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 40A。Vishay SS12-SS16 SMDショットキーバリア整流器. Vishay SS12-SS16 シリーズのショットキーバリア整流器は、SMA (DO-214AC)パッケージの低プロファイルデバイスです。 特長: 過電圧保護ガードリング 低順方向電圧降下 電力損失が低い 高効率 何に使用しますか? SS12-SS16ショットキーバリア整流器は、低電圧、高周波インバータ、還流、DC DCコンバータ、極性保護用途で使用するように設計されています。 動作温度範囲 -65 +150 種類: SS12 20 SS13 30 SS14 40 SS15 50 SS16 60 V

静電容量 = 180pF。電圧 = 250V dc。パッケージ/ケース = 0805 (2012M)。実装タイプ = 表面実装。温度特性 = C0G。許容差 = ±10%。寸法 = 2 x 1.25 x 1.45mm。長さ = 2mm。奥行き = 1.25mm。高さ = 1.45mm。シリーズ = VJ HIFREQ。末端仕様 = 表面実装℃。Vishay VJシリーズ高周波多層セラミック. Vishay表面実装積層VJ高周波セラミックチップコンデンサシリーズは、非常に安定性の高い誘電体材料が採用されています。. 特長と利点:. GHzのシステムでも優れた低損失性能. 高周波. 用途:. ブロードバンドワイヤレス通信及び衛星通信、WiFi及びWiMaxシステム、VoIP及び携帯基地局、RF及びマイクロ波、医療機器及び試験装置、軍事機器

実装タイプ 表面実装。パッケージタイプ DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 60V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ ショットキー整流器。ダイオードタイプ ショットキー。ピン数 2。最大順方向降下電圧 750mV。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 40A。Vishay SS12-SS16 SMDショットキーバリア整流器. Vishay SS12-SS16 シリーズのショットキーバリア整流器は、SMA (DO-214AC)パッケージの低プロファイルデバイスです。 特長: 過電圧保護ガードリング 低順方向電圧降下 電力損失が低い 高効率 何に使用しますか? SS12-SS16ショットキーバリア整流器は、低電圧、高周波インバータ、還流、DC DCコンバータ、極性保護用途で使用するように設計されています。 動作温度範囲 -65 +150 種類: SS12 20 SS13 30 SS14 40 SS15 50 SS16 60 V

静電容量 = 1pF。電圧 = 250V dc。パッケージ/ケース = 0603 (1608M)。実装タイプ = 表面実装。温度特性 = C0G。許容差 = ±0.1pF。寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.94mm。長さ = 1.6mm。奥行き = 0.8mm。高さ = 0.94mm。シリーズ = VJ HIFREQ。動作温度 Max = +125℃。Vishay VJシリーズ高周波多層セラミック. Vishay表面実装積層VJ高周波セラミックチップコンデンサシリーズは、非常に安定性の高い誘電体材料が採用されています。. 特長と利点:. GHzのシステムでも優れた低損失性能. 高周波. 用途:. ブロードバンドワイヤレス通信及び衛星通信、WiFi及びWiMaxシステム、VoIP及び携帯基地局、RF及びマイクロ波、医療機器及び試験装置、軍事機器

静電容量 = 18pF。電圧 = 100V dc。パッケージ/ケース = 0402 (1005M)。実装タイプ = 表面実装。温度特性 = C0G。許容差 = ±5%。寸法 = 1.02 x 0.51 x 0.61mm。長さ = 1.02mm。奥行き = 0.51mm。高さ = 0.61mm。シリーズ = VJ HIFREQ。動作温度 Max = +125℃。Vishay VJシリーズ高周波多層セラミック. Vishay表面実装積層VJ高周波セラミックチップコンデンサシリーズは、非常に安定性の高い誘電体材料が採用されています。. 特長と利点:. GHzのシステムでも優れた低損失性能. 高周波. 用途:. ブロードバンドワイヤレス通信及び衛星通信、WiFi及びWiMaxシステム、VoIP及び携帯基地局、RF及びマイクロ波、医療機器及び試験装置、軍事機器