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高電圧クラス2セラミックDCディスクコンデンサ、10→40kVdc/3.5→14kVac、ねじ止めTerminal取り付けクラス2セラミック(Y5U)低インダクタンス高い絶縁抵抗用途高電圧電源CO2レーザーX線機器

高電圧クラス2セラミックDCディスクコンデンサ、10→40kVdc/3.5→14kVac、ねじ止めTerminal取り付けクラス2セラミック(Y5U)低インダクタンス高い絶縁抵抗用途高電圧電源CO2レーザーX線機器

高電圧クラス 2 セラミック DC ディスクコンデンサ、10 → 40 kV dc / 3.5 → 14 kV ac、ねじ止め Terminal 取り付けクラス 2 セラミック( Y5U ) 低インダクタンス 高い絶縁抵抗 用途 高電圧電源 CO2レーザー X線機器

実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-204AL。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 50V。シリーズ 1N4001。整流タイプ 汎用。ダイオードタイプ 整流器。ピン数 2。最大順方向降下電圧 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。直径 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 45A。Vishay 1N4001-1N4007汎用プラスチック整流器. Vishay 1N4001 1N4007 シリーズの1 A整流ダイオードは、汎用用途向けに設計されています。これらの製品は、25.4 mmスズめっきリード付きのDO-204AL (DO-41)プラスチックパッケージに収められています。 特長： 低順方向電圧降下 低漏洩電流 高順方向サージ機能 何に使用しますか? 1N4001 1N4007シリーズは、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの整流に最適です。汎用用途向けに設計されているため、さまざまな可能性があります。 動作時のジャンクション温度 -50 +150℃ 種類(ピーク繰り返し逆電圧あり)： 1N4001-50 1N4002 100 1N4003-200 1N4004-400 1N4005 600 1N4006-800 1N4007-1000 V

実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-204AL。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 600V。シリーズ 1N4005。整流タイプ 汎用。ダイオードタイプ 整流器。ピン数 2。最大順方向降下電圧 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。直径 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 45A。Vishay 1N4001-1N4007汎用プラスチック整流器. Vishay 1N4001 1N4007 シリーズの1 A整流ダイオードは、汎用用途向けに設計されています。これらの製品は、25.4 mmスズめっきリード付きのDO-204AL (DO-41)プラスチックパッケージに収められています。 特長： 低順方向電圧降下 低漏洩電流 高順方向サージ機能 何に使用しますか? 1N4001 1N4007シリーズは、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの整流に最適です。汎用用途向けに設計されているため、さまざまな可能性があります。 動作時のジャンクション温度 -50 +150℃ 種類(ピーク繰り返し逆電圧あり)： 1N4001-50 1N4002 100 1N4003-200 1N4004-400 1N4005 600 1N4006-800 1N4007-1000 V

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

静電容量 = 500pF。電圧 = 30kV dc。実装タイプ = スクリューターミナル。シリーズ = 715C。許容差 = -20 → +80%。温度特性 = Y5U。パッケージ/ケース = 0814。直径 = 26.7mm。高さ = 34.5mm。寸法 = 26.7 (Dia.) x 34.5mm。抑制クラス = Class II。末端仕様 = ねじ止め端子%。Vishay 715Cシリーズ. Vishay 715Cシリーズは、ねじ止め端子取り付けの高電圧セラミックディスクコンデンサです。低インダクタンスで高絶縁抵抗のエポキシコーティング絶縁が施されています。 715Cシリーズは、産業用、高電圧電源、X線装置、溶接機器などのさまざまな用途に適しています。. ねじ止め端子取り付け 高い絶縁抵抗 低インダクタンス エポキシコーティング

静電容量 = 3.3nF。電圧 = 40kV dc。実装タイプ = スクリューターミナル。シリーズ = 715C。許容差 = -20 → +80%。温度特性 = Y5U。パッケージ/ケース = 0814。直径 = 58.4mm。高さ = 34.5mm。寸法 = 58.4 (Dia.) x 34.5mm。抑制クラス = Class II。誘電体材料 = セラミック%。Vishay 715Cシリーズ. Vishay 715Cシリーズは、ねじ止め端子取り付けの高電圧セラミックディスクコンデンサです。低インダクタンスで高絶縁抵抗のエポキシコーティング絶縁が施されています。 715Cシリーズは、産業用、高電圧電源、X線装置、溶接機器などのさまざまな用途に適しています。. ねじ止め端子取り付け 高い絶縁抵抗 低インダクタンス エポキシコーティング

実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-204AL。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 200V。シリーズ 1N4003。整流タイプ 汎用。ダイオードタイプ 整流器。ピン数 2。最大順方向降下電圧 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。直径 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 45A。Vishay 1N4001-1N4007汎用プラスチック整流器. Vishay 1N4001 1N4007 シリーズの1 A整流ダイオードは、汎用用途向けに設計されています。これらの製品は、25.4 mmスズめっきリード付きのDO-204AL (DO-41)プラスチックパッケージに収められています。 特長： 低順方向電圧降下 低漏洩電流 高順方向サージ機能 何に使用しますか? 1N4001 1N4007シリーズは、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの整流に最適です。汎用用途向けに設計されているため、さまざまな可能性があります。 動作時のジャンクション温度 -50 +150℃ 種類(ピーク繰り返し逆電圧あり)： 1N4001-50 1N4002 100 1N4003-200 1N4004-400 1N4005 600 1N4006-800 1N4007-1000 V

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-213AB。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 5.2mm。寸法 = 2.67 (Dia.) x 5.2mm。直径 = 2.67mm。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-213AB。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 1.25V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 5.2mm。寸法 = 2.67 (Dia.) x 5.2mm。直径 = 2.67mm。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2mV。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 4.57mm。幅 = 3.94mm。高さ = 2.24mm。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1300V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.65V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 920mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 25ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AC。最大連続 順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 125A。超高速回復整流器(6 → 12 A)、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214BA。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1300V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 20A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.4V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-213AB。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = SOD-57。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 2.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 30ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = SOD-57。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 2.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201AD。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 1300V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 3μs。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。Vishay BY251P-BY255P汎用整流器. DO-201ADエポキシパッケージの Vishay BY251P-BY255P シリーズ汎用整流器。これらの3 A整流器では、スズリードの寸法が25.4 mm、本体の寸法が9.5 x 5.3 mm (直径)になっています。 特長と利点: 低順方向電圧降下 低漏洩電流 高順方向サージ機能 用途 BY251P-BY255P整流器は、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの整流に最適です。これらの整流器は、汎用向けで、幅広い用途に適しています。 動作温度範囲 -55 → +150 ℃ ピーク逆反復電圧: BY251P - 200 V BY252P - 400 V BY253P - 600 V BY254P - 800 V BY255P - 1300 V

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

高電圧クラス1セラミックAC及びDCディスクコンデンサ、10 → 50 kV dc / 7 → 34 kV ac、ねじ止め端子取り付け低損失係数: 0.2 % @ 1 kHz N4700 (T3M)クラス1、ストロンチウムベースのセラミック誘電体 無視できるレベルの圧電 / 電歪効果 用途 高電圧電源 CO2レーザー X線機器

実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-204AL。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 400V。シリーズ 1N4004。整流タイプ 汎用。ダイオードタイプ 整流器。ピン数 2。最大順方向降下電圧 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。直径 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 45A。Vishay 1N4001-1N4007汎用プラスチック整流器. Vishay 1N4001 1N4007 シリーズの1 A整流ダイオードは、汎用用途向けに設計されています。これらの製品は、25.4 mmスズめっきリード付きのDO-204AL (DO-41)プラスチックパッケージに収められています。 特長： 低順方向電圧降下 低漏洩電流 高順方向サージ機能 何に使用しますか? 1N4001 1N4007シリーズは、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの整流に最適です。汎用用途向けに設計されているため、さまざまな可能性があります。 動作時のジャンクション温度 -50 +150℃ 種類(ピーク繰り返し逆電圧あり)： 1N4001-50 1N4002 100 1N4003-200 1N4004-400 1N4005 600 1N4006-800 1N4007-1000 V

実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-204AL。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 100V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ 汎用。ダイオードタイプ 整流器。ピン数 2。最大順方向降下電圧 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。直径 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 45A。Vishay 1N4001-1N4007汎用プラスチック整流器. Vishay 1N4001 1N4007 シリーズの1 A整流ダイオードは、汎用用途向けに設計されています。これらの製品は、25.4 mmスズめっきリード付きのDO-204AL (DO-41)プラスチックパッケージに収められています。 特長： 低順方向電圧降下 低漏洩電流 高順方向サージ機能 何に使用しますか? 1N4001 1N4007シリーズは、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの整流に最適です。汎用用途向けに設計されているため、さまざまな可能性があります。 動作時のジャンクション温度 -50 +150℃ 種類(ピーク繰り返し逆電圧あり)： 1N4001-50 1N4002 100 1N4003-200 1N4004-400 1N4005 600 1N4006-800 1N4007-1000 V

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220F。最大連続 順方向電流 = 40A。ピーク逆繰返し電圧 = 45V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 630mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、30 → 80 A、Vishay Semiconductor. Vishay製のTrench MOSバリアショットキー(TMBSR)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現. 特長

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220F。最大連続 順方向電流 = 10A。ピーク逆繰返し電圧 = 45V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 640mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AC。最大連続 順方向電流 = 20A。ピーク逆繰返し電圧 = 45V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 630mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 5A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TO-277A。最大連続 順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 680mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-221AC。最大連続 順方向電流 = 5A。ピーク逆繰返し電圧 = 45V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 560mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現