許容差±1%
定格電力(W)0.25
温度係数(ppm/K)±50
テクノロジー薄膜
長さ(mm)3.6
終端スタイルはんだ
仕様MiniMELF 1 % 0.25 W SMD抵抗器. SMD金属皮膜抵抗器は、時間が経過しても優れた安定性を必要とする用途に推奨されます。
許容差±2%
定格電力(W)0.4
テクノロジーカーボンフィルム
長さ(mm)5.8
仕様CMB 0207シリーズ. 高度なパルス負荷機能により、サージパルスからのシグナルや本線入力から回路を保護 高レベルの電磁波干渉や静電気放電にさらされる回路にも最適 用途は、自動車、通信、産業及び医療機器のあらゆる分野など
仕様EN140401-803. MMB 0207 - 業務用. アドバンスド薄膜テクノロジ クラス0.25を超える高い総合安定性 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応
長さ(mm)5.8
定格電力(W)0.4
許容差±1%
動作温度範囲(℃)-55~+125
テクノロジー薄膜
仕様抵抗 = 0.1Ωパッケージ/ケース = 2818許容差 = ±1%定格電力 = 10W温度係数 = ±75ppm/℃テクノロジー = メタルストリップ寸法 = 7.1 x 4.6 x 1.5mm長さ = 7.1mm奥行き = 4.6mm高さ = 1.5mmシリーズ = WSHP2818最小動作温度 = -65℃最大動作温度 = +170℃終端スタイル = SMDケーススタイル = エンボス
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,398
税込¥1,538
7日以内出荷
仕様抵抗 = 20Ωパッケージ/ケース = 0204 MELF許容差 = ±1%定格電力 = 0.25W温度係数 = ±50ppm/℃テクノロジー = 薄膜寸法 = 1.4 (Dia.) x 3.6mm長さ = 3.6mmシリーズ = MMA0204最小動作温度 = -55℃最大動作温度 = +125℃最大温度係数 = +50ppm/℃EN140401-803. MMA 0204 - 業務用. アドバンスド薄膜テクノロジ クラス0.25を超える高い総合安定性 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
¥399
税込¥439
7日以内出荷
仕様抵抗 = 100Ωパッケージ/ケース = 0204 MELF許容差 = ±1%定格電力 = 0.25W温度係数 = ±50ppm/Kテクノロジー = 薄膜寸法 = 1.4 (Dia.) x 3.6mm長さ = 3.6mmシリーズ = SMM0204最小動作温度 = -55℃最大動作温度 = +155℃終端スタイル = はんだケーススタイル = モールドMiniMELF 1 % 0.25 W SMD抵抗器. SMD金属皮膜抵抗器は、時間が経過しても優れた安定性を必要とする用途に推奨されます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
¥859
税込¥945
7日以内出荷
仕様抵抗 = 3kΩパッケージ/ケース = 0204 MELF許容差 = ±1%定格電力 = 0.25W温度係数 = ±50ppm/℃テクノロジー = 薄膜寸法 = 1.4 (Dia.) x 3.6mm長さ = 3.6mmシリーズ = MMA0204最小動作温度 = -55℃最大動作温度 = +125℃最小温度係数 = -50ppm/℃EN140401-803. MMA 0204 - 業務用. アドバンスド薄膜テクノロジ クラス0.25を超える高い総合安定性 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
¥349
税込¥384
翌々日出荷
仕様抵抗 = 1kΩパッケージ/ケース = 0204 MELF許容差 = ±1%定格電力 = 0.25W温度係数 = ±50ppm/Kテクノロジー = 薄膜寸法 = 1.4 (Dia.) x 3.6mm長さ = 3.6mmシリーズ = SMM0204最小動作温度 = -55℃最大動作温度 = +155℃終端スタイル = はんだケーススタイル = モールドMiniMELF 1 % 0.25 W SMD抵抗器. SMD金属皮膜抵抗器は、時間が経過しても優れた安定性を必要とする用途に推奨されます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
¥859
税込¥945
7日以内出荷
EN140401-803。MMA 0204 - 業務用。アドバンスド薄膜テクノロジ クラス0.25を超える高い総合安定性。圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理。リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応
仕様●入数:1袋(25個入)●抵抗:68Ω●テクノロジー:薄膜●パッケージ/ケース:0204 MELF●許容差:±1%●定格電力:0.25W●温度係数:±50ppm/℃●寸法:1.4 (Dia.)×3.6mm●シリーズ:MMA0204●動作温度(Min):-55℃●動作温度(mAx):+125℃●ケーススタイル:モールド●RoHS適合状況:適合●コード番号:678-7520
アズワン品番65-8654-91
1袋(25個)
¥369
税込¥406
欠品中
EN140401-803。MMA 0204 - 業務用。アドバンスド薄膜テクノロジ クラス0.25を超える高い総合安定性。圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理。リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応
仕様●入数:1袋(25個入)●抵抗:20kΩ●テクノロジー:薄膜●パッケージ/ケース:0204 MELF●許容差:±1%●定格電力:0.25W●温度係数:±50ppm/℃●寸法:1.4 (Dia.)×3.6mm●シリーズ:MMA0204●動作温度(Min):-55℃●動作温度(mAx):+125℃●ケーススタイル:モールド●RoHS適合状況:適合●コード番号:678-7261
アズワン品番65-8654-88
1袋(25個)
¥369
税込¥406
欠品中
抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値22Ω
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥1,598
税込¥1,758
5日以内出荷
抵抗 = 10Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値10Ω
1個
¥1,998
税込¥2,198
5日以内出荷
抵抗 = 5Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値5Ω
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥43,980
税込¥48,378
7日以内出荷
抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値22Ω
1個
¥1,998
税込¥2,198
5日以内出荷
抵抗 = 1Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値1Ω
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥1,498
税込¥1,648
5日以内出荷
抵抗 = 470mΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±250ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値470mΩ
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥1,298
税込¥1,428
5日以内出荷
ヒートシンク厚膜技術に取り付ける Vishay の電力抵抗器で、NF-EN45545-2 の要件 #26 に準拠しています。高出力 300 W @ 85 ℃ (下部ケース温度)。幅広い抵抗範囲: 0.3 → 900 KO E24 シリーズ無誘導 取り付けが簡単 ケースの低熱放射
仕様●抵抗:10Ω●定格電力:300W●シリーズ:LPS 300●パッケージ/ケース:箱●許容差:± 5%●テクノロジー:厚膜●終端スタイル:ネジ●動作温度 Min:-55℃●動作温度 Max:+120℃●最小温度係数:±150ppm/℃●最大温度係数:±500ppm/℃●寸法:60 x 57 x 25.2mm●全高:25.2mm
アズワン品番65-6962-78
1箱(15個)
¥159,800
税込¥175,780
欠品中
ヒートシンク厚膜技術に取り付けるVishayの電力抵抗器で、NF-EN45545-2の要件#26に準拠しています。高出力300W@85℃(下部ケース温度)。幅広い抵抗範囲:0.3→900KOE24シリーズ無誘導取り付けが簡単ケースの低熱放射
仕様●抵抗:47Ω●定格電力:300W●シリーズ:LPS 300●パッケージ/ケース:箱●許容差:± 5%●テクノロジー:厚膜●終端スタイル:ネジ●動作温度 Min:-55℃●動作温度 Max:+120℃●最小温度係数:±150ppm/℃●最大温度係数:±500ppm/℃●寸法:60 x 57 x 25.2mm●全高:25.2mm
ヒートシンク厚膜技術に取り付ける Vishay の電力抵抗器で、NF-EN45545-2 の要件 #26 に準拠しています。高出力 800 W @ 85 ℃ (下部ケース温度)。広い抵抗範囲: 0.3 900 k へのか。か。E24 シリーズ無誘導 取り付けが簡単 ケースの低熱放射
仕様●抵抗:10Ω●定格電力:800W●シリーズ:LPS 800●パッケージ/ケース:箱●許容差:± 5%●テクノロジー:厚膜●終端スタイル:ネジ●動作温度 Min:-55℃●動作温度 Max:+120℃●最小温度係数:±150ppm/℃●最大温度係数:±500ppm/℃●寸法:60 x 57 x 25.2mm●全高:25.2mm
アズワン品番65-6973-82
1箱(15個)
¥389,800
税込¥428,780
7日以内出荷
ヒートシンク厚膜技術に取り付ける Vishay の電力抵抗器で、NF-EN45545-2 の要件 #26 に準拠しています。高出力 800 W @ 85 ℃ (下部ケース温度)。広い抵抗範囲: 0.3 900 k へのか。か。E24 シリーズ無誘導 取り付けが簡単 ケースの低熱放射
仕様●定格電力:800W●シリーズ:LPS 800●パッケージ/ケース:箱●許容差:± 5%●テクノロジー:厚膜●終端スタイル:ネジ●動作温度 Min:-55℃●動作温度 Max:+120℃●最小温度係数:±150ppm/℃●最大温度係数:±500ppm/℃●寸法:60 x 57 x 25.2mm●全高:25.2mm
テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 0402 (1005M)。許容差 = ± 0.1%。定格電力 = 0.1W
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(10個)
¥429
税込¥472
7日以内出荷
テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 0805 (2012M)。許容差 = ± 0.1%。定格電力 = 0.2W
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(10個)
¥659
税込¥725
7日以内出荷
テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 0805 (2012M)。許容差 = ± 0.1%。定格電力 = 0.2W
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(10個)
¥669
税込¥736
7日以内出荷
テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 0805 (2012M)。許容差 = ± 0.1%。定格電力 = 0.2W
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(5000個)
¥139,800
税込¥153,780
7日以内出荷
抵抗 = 100mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値100mΩ
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥1,598
税込¥1,758
5日以内出荷
抵抗 = 20Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値20Ω
1個
¥1,398
税込¥1,538
5日以内出荷
抵抗 = 25Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値25Ω
1個
¥1,498
税込¥1,648
5日以内出荷
抵抗 = 22Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値22Ω
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥1,398
税込¥1,538
5日以内出荷
抵抗 = 100Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値100Ω
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥1,398
税込¥1,538
5日以内出荷
抵抗 = 10kΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値10kΩ
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥1,298
税込¥1,428
5日以内出荷
抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 100W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO100。パッケージ/ケース = TO-247。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器. LTO100シリーズ1000 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-247パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は100 Wで25 ℃です。 これらのLTO100シリーズ100 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、0.015 Ω~1 MΩの幅広い抵抗範囲を備え、誘導性がなく、AEC-Q200認定を受けています。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 100 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-247パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値4.7Ω
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥1,798
税込¥1,978
5日以内出荷
抵抗 = 50mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±700ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値50mΩ
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥1,798
税込¥1,978
5日以内出荷
抵抗 = 2Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値2Ω
1個
¥1,398
税込¥1,538
5日以内出荷
抵抗 = 15Ω。定格電力 = 100W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO100。パッケージ/ケース = TO-247。動作温度 Max = +175℃。リード間隔 = 10.16mm。LTO100シリーズ100 W厚膜型の電力抵抗器. LTO100シリーズ1000 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-247パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は100 Wで25 ℃です。 これらのLTO100シリーズ100 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、0.015 Ω~1 MΩの幅広い抵抗範囲を備え、誘導性がなく、AEC-Q200認定を受けています。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 100 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-247パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値15Ω
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
¥32,980
税込¥36,278
7日以内出荷
抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値4.7Ω
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥32,980
税込¥36,278
7日以内出荷
抵抗 = 47Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値47Ω
RoHS指令(10物質対応)対応
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