「大電流」の検索結果

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ダイオード。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 5。パッケージタイプ = SOP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 25 mA。絶縁電圧 = 3.75 kVrms。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 50%。最小電流伝送率 = 0.15。シリーズ = VOM

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SMD。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。最大電流変換率 = 125%。最小電流伝送率 = 63%。シリーズ = SFH

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SMD。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。最大電流変換率 = 80%。標準降下時間 = 2μs。シリーズ = SFH

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = DIP。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。最大電流変換率 = 200%。標準降下時間 = 4.7μs。シリーズ = MCT

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SMD。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。最大電流変換率 = 200%。標準降下時間 = 14μs。シリーズ = SFH

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。最大電流変換率 = 80%。標準降下時間 = 11μs。シリーズ = SFH

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.9V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 25 mA。絶縁電圧 = 5300 Vrms。最大電流変換率 = 35%。シリーズ = 6N136。オプトカプラ、トランジスタ出力、6Nxxシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = AC。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。最大電流変換率 = 320%。最小電流伝送率 = 100%。シリーズ = SFH。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = ダーリントン。最大順方向電圧 = 1.7V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 25 mA。絶縁電圧 = 5300 Vrms。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 2000%。シリーズ = 6N139。オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.55V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 30 mA。絶縁電圧 = 4 kVrms。最大電流変換率 = 125%。最小電流伝送率 = 63%。シリーズ = ILD。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.55V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 30 mA。絶縁電圧 = 4000 V ac。最大電流変換率 = 120%。最小電流伝送率 = 100%。シリーズ = ILD。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.55V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 30 mA。絶縁電圧 = 4000 V ac。最大電流変換率 = 200%。最小電流伝送率 = 100%。シリーズ = ILD。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SSOP。入力電流タイプ = AC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3750 Vrms。最大電流変換率 = 600%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = VOS。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = AC。標準上昇時間 = 2μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。最大電流変換率 = 320%。標準降下時間 = 2μs。シリーズ = SFH。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 4 kVrms。最大電流変換率 = 200%。最小電流伝送率 = 100%。シリーズ = IL207。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ダーリントン。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SOP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 300μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5000 V ac。最大電流変換率 = 800%。最小電流伝送率 = 600%。シリーズ = TCLD。オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。最大電流変換率 = 200%。標準降下時間 = 14μs。シリーズ = CNY。オプトカプラ、トランジスタ出力、CNYシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 200%。標準降下時間 = 3.7μs。シリーズ = CNY。オプトカプラ、トランジスタ出力、CNYシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SOP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 125%。標準降下時間 = 4.7μs。シリーズ = TCLT。オプトカプラ、トランジスタ出力、TCLTシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SMD。入力電流タイプ = AC。標準上昇時間 = 2μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。最大電流変換率 = 200%。標準降下時間 = 2μs。シリーズ = SFH。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 200%。標準降下時間 = 14μs。シリーズ = CNY。オプトカプラ、トランジスタ出力、CNYシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.3V。チャンネル数 = 4。ピン数 = 16。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2.8μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。最大電流変換率 = 125%。最小電流伝送率 = 63%。シリーズ = ILQ。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.3V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2.8μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。最大電流変換率 = 125%。標準降下時間 = 14μs。シリーズ = ILD。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.3V。チャンネル数 = 4。ピン数 = 16。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2.8μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。最大電流変換率 = 600%。標準降下時間 = 11μs。シリーズ = ILQ。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 4。ピン数 = 16。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 1.9μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。最大電流変換率 = 300%。標準降下時間 = 1.4μs。シリーズ = ILQ。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。最大電流変換率 = 50%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = H11A。オプトカプラ、トランジスタ出力、H11シリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 200%。標準降下時間 = 3.7μs。シリーズ = CNY。オプトカプラ、トランジスタ出力、CNYシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.55V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。絶縁電圧 = 4 kVrms。最大電流変換率 = 80%。標準降下時間 = 4.7μs。シリーズ = ILD。特殊機能 = 二波長、ベイパーフェーズ及びIRリフローはんだ付けとの互換性あり。オプトカプラ、トランジスタ出力、IL、ILD、ILQシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5000 V ac。最大電流変換率 = 50%。最小電流伝送率 = 20%。シリーズ = 4N25。オプトカプラ、トランジスタ出力、4Nxxシリーズ、Vishay Semiconductor. 各オプトカプラは、ガリウムヒ素赤外線 LED とシリコン NPN フォトトランジスタで構成されています。. 特長. 絶縁試験電圧： 5000 VRMS 共通のロジックファミリとのインターフェイス 入出力カップリング静電容量 ；： 0.5 pF 業界標準のデュアルインライン 6 ピンパッケージ. 用途. AC 主電源の検出 リードリレー駆動 スイッチモード電源フィードバック 電話呼び出し音の検出 ロジックアースの絶縁 高周波数ノイズ除去機能を備えたロジックカップリング

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 50%。最小電流伝送率 = 40%。シリーズ = 4N35。オプトカプラ、トランジスタ出力、4Nxxシリーズ、Vishay Semiconductor. 各オプトカプラは、ガリウムヒ素赤外線 LED とシリコン NPN フォトトランジスタで構成されています。. 特長. 絶縁試験電圧： 5000 VRMS 共通のロジックファミリとのインターフェイス 入出力カップリング静電容量 ；： 0.5 pF 業界標準のデュアルインライン 6 ピンパッケージ. 用途. AC 主電源の検出 リードリレー駆動 スイッチモード電源フィードバック 電話呼び出し音の検出 ロジックアースの絶縁 高周波数ノイズ除去機能を備えたロジックカップリング

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 50%。最小電流伝送率 = 40%。シリーズ = 4N36。オプトカプラ、トランジスタ出力、4Nxxシリーズ、Vishay Semiconductor. 各オプトカプラは、ガリウムヒ素赤外線 LED とシリコン NPN フォトトランジスタで構成されています。. 特長. 絶縁試験電圧： 5000 VRMS 共通のロジックファミリとのインターフェイス 入出力カップリング静電容量 ；： 0.5 pF 業界標準のデュアルインライン 6 ピンパッケージ. 用途. AC 主電源の検出 リードリレー駆動 スイッチモード電源フィードバック 電話呼び出し音の検出 ロジックアースの絶縁 高周波数ノイズ除去機能を備えたロジックカップリング

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.7V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 6。パッケージタイプ = SMD。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 10μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 50%。標準降下時間 = 10μs。シリーズ = 4N35。オプトカプラ、トランジスタ出力、4Nxxシリーズ、Vishay Semiconductor. 各オプトカプラは、ガリウムヒ素赤外線 LED とシリコン NPN フォトトランジスタで構成されています。. 特長. 絶縁試験電圧： 5000 VRMS 共通のロジックファミリとのインターフェイス 入出力カップリング静電容量 ；： 0.5 pF 業界標準のデュアルインライン 6 ピンパッケージ. 用途. AC 主電源の検出 リードリレー駆動 スイッチモード電源フィードバック 電話呼び出し音の検出 ロジックアースの絶縁 高周波数ノイズ除去機能を備えたロジックカップリング

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5000 V ac。最大電流変換率 = 50%。標準降下時間 = 2μs。シリーズ = 4N26。オプトカプラ、トランジスタ出力、4Nxxシリーズ、Vishay Semiconductor. 各オプトカプラは、ガリウムヒ素赤外線 LED とシリコン NPN フォトトランジスタで構成されています。. 特長. 絶縁試験電圧： 5000 VRMS 共通のロジックファミリとのインターフェイス 入出力カップリング静電容量 ；： 0.5 pF 業界標準のデュアルインライン 6 ピンパッケージ. 用途. AC 主電源の検出 リードリレー駆動 スイッチモード電源フィードバック 電話呼び出し音の検出 ロジックアースの絶縁 高周波数ノイズ除去機能を備えたロジックカップリング

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 4。ピン数 = 16。パッケージタイプ = Mini-Flat。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 3750 V ac。最大電流変換率 = 600%。最小電流伝送率 = 50%。シリーズ = TCMT。オプトカプラ、トランジスタ出力、TCMTシリーズ、Vishay Semiconductor. TCMT410 。シリーズは、 16 ピン( 4 チャンネル)パッケージのガリウムヒ素赤外線発光ダイオードと光学的に結合されているフォトトランジスタで構成されています。. 特長:. 低プロファイルパッケージ ( ハーフピッチ ) AC 絶縁試験電圧 3750 VRMS 標準的な 0.3 pF の低いカップリング静電容量 グループに選択された電流伝達率( CTR ) CTR の低い温度係数 広い周囲温度範囲. 用途:. プログラマブルロジックコントローラ モデム 留守番電話 一般的な用途

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = Mini-Flat。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 3.75 kVrms。最大電流変換率 = 600%。最小電流伝送率 = 50%。シリーズ = TCMT。オプトカプラ、トランジスタ出力、TCMTシリーズ、Vishay Semiconductor. TCMT410 。シリーズは、 16 ピン( 4 チャンネル)パッケージのガリウムヒ素赤外線発光ダイオードと光学的に結合されているフォトトランジスタで構成されています。. 特長:. 低プロファイルパッケージ ( ハーフピッチ ) AC 絶縁試験電圧 3750 VRMS 標準的な 0.3 pF の低いカップリング静電容量 グループに選択された電流伝達率( CTR ) CTR の低い温度係数 広い周囲温度範囲. 用途:. プログラマブルロジックコントローラ モデム 留守番電話 一般的な用途

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = Mini-Flat。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 3.75 kVrms。最大電流変換率 = 160%。標準降下時間 = 4.7μs。シリーズ = TCMT。オプトカプラ、トランジスタ出力、TCMTシリーズ、Vishay Semiconductor. TCMT410 。シリーズは、 16 ピン( 4 チャンネル)パッケージのガリウムヒ素赤外線発光ダイオードと光学的に結合されているフォトトランジスタで構成されています。. 特長:. 低プロファイルパッケージ ( ハーフピッチ ) AC 絶縁試験電圧 3750 VRMS 標準的な 0.3 pF の低いカップリング静電容量 グループに選択された電流伝達率( CTR ) CTR の低い温度係数 広い周囲温度範囲. 用途:. プログラマブルロジックコントローラ モデム 留守番電話 一般的な用途

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = Mini-Flat。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 3.75 kVrms。最大電流変換率 = 300%。標準降下時間 = 4.7μs。シリーズ = TCMT。オプトカプラ、トランジスタ出力、TCMTシリーズ、Vishay Semiconductor. TCMT410 。シリーズは、 16 ピン( 4 チャンネル)パッケージのガリウムヒ素赤外線発光ダイオードと光学的に結合されているフォトトランジスタで構成されています。. 特長:. 低プロファイルパッケージ ( ハーフピッチ ) AC 絶縁試験電圧 3750 VRMS 標準的な 0.3 pF の低いカップリング静電容量 グループに選択された電流伝達率( CTR ) CTR の低い温度係数 広い周囲温度範囲. 用途:. プログラマブルロジックコントローラ モデム 留守番電話 一般的な用途

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = DIP。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5.3 kVrms。最大電流変換率 = 125%。標準降下時間 = 14μs。シリーズ = SFH。110 ℃定格SFH617A (DIP)は、高電流伝達率、低カップリング静電容量及び高絶縁電圧を備えています。これらのカプラは、シリコンプレーナフォトトランジスタ検出器に光学的に結合されているGaAs赤外線発光ダイオードエミッタを備え、プラスチックDIP-4パッケージに組み込まれています。カップリング装置は、2つの電気的に分離された回路間の信号伝送用に設計されています。カプラは、2.54 mm間隔でエンドスタッキング可能です。>8.0 mmの沿面距離と空間距離は、オプション6で得られます。動作温度範囲: -55 → +110 ℃ 順方向電流に依存する優れたCTR直線性 絶縁試験電圧、5300 VRMS 用途: ACアダプタ SMPS PLC

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 4。ピン数 = 16。パッケージタイプ = SOP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = ±60 mA。絶縁電圧 = 3750 Vrms。最大電流変換率 = 300%。標準降下時間 = 4.7μs。シリーズ = TCMT。オプトカプラ、トランジスタ出力、TCMTシリーズ、Vishay Semiconductor. TCMT410 。シリーズは、 16 ピン( 4 チャンネル)パッケージのガリウムヒ素赤外線発光ダイオードと光学的に結合されているフォトトランジスタで構成されています。. 特長:. 低プロファイルパッケージ ( ハーフピッチ ) AC 絶縁試験電圧 3750 VRMS 標準的な 0.3 pF の低いカップリング静電容量 グループに選択された電流伝達率( CTR ) CTR の低い温度係数 広い周囲温度範囲. 用途:. プログラマブルロジックコントローラ モデム 留守番電話 一般的な用途

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = Mini-Flat。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 3.75 kVrms。最大電流変換率 = 200%。標準降下時間 = 4.7μs。シリーズ = TCMT。オプトカプラ、トランジスタ出力、TCMTシリーズ、Vishay Semiconductor. TCMT410 。シリーズは、 16 ピン( 4 チャンネル)パッケージのガリウムヒ素赤外線発光ダイオードと光学的に結合されているフォトトランジスタで構成されています。. 特長:. 低プロファイルパッケージ ( ハーフピッチ ) AC 絶縁試験電圧 3750 VRMS 標準的な 0.3 pF の低いカップリング静電容量 グループに選択された電流伝達率( CTR ) CTR の低い温度係数 広い周囲温度範囲. 用途:. プログラマブルロジックコントローラ モデム 留守番電話 一般的な用途