「抵抗 0.01ω」の検索結果

抵抗 = 250Ω。定格電力 = 0.6W。許容差 = ±0.01%。テクノロジー = 金属箔。シリーズ = S102J。動作温度 Max = +125℃。リード間隔 = 3.81mm。S102Jシリーズ高精度金属箔抵抗器. SシリーズのBMF抵抗器は、低TCR、優れた負荷寿命安定性、精密な許容公差、高速応答時間、低電流ノイズ、低熱 EMF 、低電圧係数を実現します。 無誘導性の非静電容量型設計

抵抗 = 1kΩ。定格電力 = 0.6W。許容差 = ±0.01%。テクノロジー = 金属箔。シリーズ = Z201。温度係数 = ±0.2ppm/℃。リード間隔 = 3.81mm。Z201シリーズ超高精度Zホイル抵抗器(0.01 %). Z201シリーズ超高精度Zホイル成形スルーホール抵抗器は、高度な安定性と信頼性に実績があります。 このZ201シリーズのリード間隔は0.150インチで、様々な環境下で極めて安定した性能を発揮します。 Z201シリーズの用途:. 精密アンプ、高精度測定、医療用、自動テスト装置(ATE) ラボ、オーディオ(ハイエンドステレオ機器) EB用、軍用、航空宇宙用 ダウンホール(高温)

抵抗 = 1kΩ。定格電力 = 0.6W。許容差 = ±0.01%。テクノロジー = 金属箔。シリーズ = S102J。リード間隔 = 3.81mm。S102Jシリーズ高精度金属箔抵抗器. SシリーズのBMF抵抗器は、低TCR、優れた負荷寿命安定性、精密な許容公差、高速応答時間、低電流ノイズ、低熱 EMF 、低電圧係数を実現します。 無誘導性の非静電容量型設計

抵抗 = 350Ω。定格電力 = 0.6W。許容差 = ±0.01%。テクノロジー = 金属箔。シリーズ = S102J。リード間隔 = 3.81mm。S102Jシリーズ高精度金属箔抵抗器. SシリーズのBMF抵抗器は、低TCR、優れた負荷寿命安定性、精密な許容公差、高速応答時間、低電流ノイズ、低熱 EMF 、低電圧係数を実現します。 無誘導性の非静電容量型設計

抵抗 = 10mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100mΩ。テクノロジー = メタルストリップ。パッケージ/ケース = 1020 (2550M)。許容差 = ±1%。定格電力 = 2W。温度係数 = ±100ppm/℃。シリーズ = RCWE。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。Vishay RCWE 1020電流検出抵抗器. Vishay RCWEシリーズ電流検出抵抗器は高品質セラミックで構成され、メタルグレーズと保護オーバーグレーズが使用されています。 抵抗値が0.01～0.976 Ωと極めて低い1020厚膜抵抗器は、長いサイド端子によって定格を向上させています。 RCWE電流検出抵抗器はAEC-Q200認定済みで、車載用途に適しています。 これらのラップアラウンドチップ抵抗は、DC-DCコンバータ、電源、携帯電話の電源管理やコンピュータディスクドライブのモータ制御に利用できます。 産業及び家電用に適したRCWE抵抗器は、白物家電、エアコン、冷蔵庫やヒートポンプのインバータ制御に適しています。. ロングサイド端子構造 AEC-Q200認定 シャントに最適 同じフットプリントで倍の定格電力 熱特性の向上によって熱膨張を縮小

Vishay 1 k Ω 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、このタ

Vishay 1 k Ω 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、このタ

Vishay 80 k Ω 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、この

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Vishay 10 k Ω 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、この

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Vishay 10 k Ω 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、この

Vishay 1MoHM 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、このタ

Vishay 100 k Ω 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、この

Vishay 10 k Ω 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、この

Vishay 200 k Ω 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、この

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Vishay 700 k Ω 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、この

Vishay 100 k Ω 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、この