「抵抗 10k 3w」の検索結果

抵抗 = 10kΩ。定格電力 = 3W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 金属皮膜。シリーズ = PR03。温度係数 = ±250ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。PR03シリーズ、3 W、アキシャル. Vishay PR03シリーズは高温向けの金属皮膜抵抗器で、高品位のセラミックボディを備えています。 この抵抗器は難燃性の高いラッカーでコーティングされていて、電気、機械、環境からの保護が可能です。. 鉛フリーはんだコンタクト 小型パッケージで高出力 高温定格 すべての汎用電力用途に最適

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 10kΩ。ギャング数 = 1。定格電力 = 3W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = 表面実装。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 25mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±20%。マウントナットとロックワッシャ. シャフトの寸法測定値はブッシュを含む. Vishay IP67 等級軍事 / 業務用グレードポテンショメータ. Vishayは、高品質のポテンショメータの製品群を提供します。これらのポテンショメータは最高の製造品質を誇り、軍事用途や専門作業においても活躍できます。完全密閉型のボディでIP67等級に対応し、あらゆる場合での使用に最適です。これらのポテンショメータは、スルーホール取り付けタイプのサーメット素子を採用しています。. 特長：. ボディ：19.7 mm 70 ℃ で高い定格電力 優れた熱安定性 頑丈な構造で、ボディは完全密閉構造になっています。IP67等級 終端長さ： 0.11インチレセプタクル厚さ： 0.5 mm 接触抵抗の変動： 3 % 又は 3 Ω (いずれか大きい方) 絶縁抵抗： 105 mΩ @ 500 V dc 環境クラス： 55/125/56

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 10kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 3W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 50mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±10%。マウントナットとロックワッシャ. シャフトの寸法測定値はブッシュを含む. Vishay IP67 等級軍事 / 業務用グレードポテンショメータ. Vishayは、高品質のポテンショメータの製品群を提供します。これらのポテンショメータは最高の製造品質を誇り、軍事用途や専門作業においても活躍できます。完全密閉型のボディでIP67等級に対応し、あらゆる場合での使用に最適です。これらのポテンショメータは、スルーホール取り付けタイプのサーメット素子を採用しています。. 特長：. ボディ：19.7 mm 70 ℃ で高い定格電力 優れた熱安定性 頑丈な構造で、ボディは完全密閉構造になっています。IP67等級 終端長さ： 0.11インチレセプタクル厚さ： 0.5 mm 接触抵抗の変動： 3 % 又は 3 Ω (いずれか大きい方) 絶縁抵抗： 105 mΩ @ 500 V dc 環境クラス： 55/125/56

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 10kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 3W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 25mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±10%。マウントナットとロックワッシャ. シャフトの寸法測定値はブッシュを含む. Vishay IP67 等級軍事 / 業務用グレードポテンショメータ. Vishayは、高品質のポテンショメータの製品群を提供します。これらのポテンショメータは最高の製造品質を誇り、軍事用途や専門作業においても活躍できます。完全密閉型のボディでIP67等級に対応し、あらゆる場合での使用に最適です。これらのポテンショメータは、スルーホール取り付けタイプのサーメット素子を採用しています。. 特長：. ボディ：19.7 mm 70 ℃ で高い定格電力 優れた熱安定性 頑丈な構造で、ボディは完全密閉構造になっています。IP67等級 終端長さ： 0.11インチレセプタクル厚さ： 0.5 mm 接触抵抗の変動： 3 % 又は 3 Ω (いずれか大きい方) 絶縁抵抗： 105 mΩ @ 500 V dc 環境クラス： 55/125/56

金属製ロックワッシャ、ナット。46 mm、3回転830シリーズ。Vishay 830シリーズの精密巻線型、3回転ポテンショメータ。巻線型ポテンショメータ ステンレススチール製シャフト ガラス繊維入り熱硬化性プラスチックハウジング

抵抗 = 10kΩ。抵抗器タイプ = アレイ。パッケージ/ケース = 0612 (1632M)。定格電力 = 0.3W。終端スタイル = コンベックス。許容差 = ±0.25%。ケーススタイル = モールド。1素子当りの定格電力 = 0.1W。回路図 = ISOL。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 0.55mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 0.55mm。端子数 = 8。温度係数 = ±25ppm/℃。ACAS 0612精密薄膜チップ抵抗アレイ. 信頼性に実績のある精密薄膜チップ抵抗製品(チップ抵抗アレイの利点を採用) コンパクトなパッケージによりアセンブリコストを削減しながら高密度回路の設計が可能 定義済みの許容値マッチングとTCRトラッキングにより、安定した固定抵抗比の高い要件を必要とする用途に最適 用途は、精密アナログ回路、電圧ディバイダ、フィードバック回路、シグナルコンディショニングなど

抵抗 = 100kΩ。定格電力 = 3W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 金属皮膜。シリーズ = PR03。温度係数 = ±250ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。PR03シリーズ、3 W、アキシャル. Vishay PR03シリーズは高温向けの金属皮膜抵抗器で、高品位のセラミックボディを備えています。 この抵抗器は難燃性の高いラッカーでコーティングされていて、電気、機械、環境からの保護が可能です。. 鉛フリーはんだコンタクト 小型パッケージで高出力 高温定格 すべての汎用電力用途に最適

抵抗 = 10kΩ。定格電力 = 2W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 金属皮膜。シリーズ = CPF。動作温度 Max = +230℃。動作温度 Min = -65℃。CPFシリーズ(1 W → 3 W). 金属皮膜抵抗器、アキシャル、産業用電源、精密、耐炎性. 特長. - 高い定格電力、小型 -耐炎性、耐熱性シリコーンコーティング ・特殊な撮影・塗装工程 - 優れた高周波特性 - 低ノイズ - 低電圧係数

抵抗 = 10kΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10kΩ。定格電力 = 20W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 20。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。リード間隔 = 5.08mm。20 W RTO20シリーズ. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装可能

抵抗 = 100kΩ。定格電力 = 3W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 金属皮膜。シリーズ = CPF。温度係数 = ±100ppm/℃。動作温度 Min = -65℃。CPFシリーズ(1 W → 3 W). 金属皮膜抵抗器、アキシャル、産業用電源、精密、耐炎性. 特長. - 高い定格電力、小型 -耐炎性、耐熱性シリコーンコーティング ・特殊な撮影・塗装工程 - 優れた高周波特性 - 低ノイズ - 低電圧係数

Vishay 10 k Ω 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、この

Vishay 10 k Ω 薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングでの使用に最適です。はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。低ノイズ、高精度の用途、優れた安定性、低い抵抗温度係数、及び低い電圧係数に適用できます。Vishay Sferrice の実績のある高精度薄膜ラップアラウンド抵抗器は、この

抵抗 10kΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0805 (2012M)。許容差 ±1%。定格電力 0.5W。温度係数 ±100ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0805高出力厚膜チップ抵抗器、CRCW HP e3シリーズ 0.33 W. パルス防止の高出力厚膜チップ抵抗器シリーズは、信頼性、安定性、高い出力定格、優れたパルス負荷性能が重要視される電力測定電子機器のほとんどの分野に最適です。主な用途には、車載機器のバッテリ管理システムなどがあります。. 特長. 優れたパルス負荷耐量 定格電力の向上 両面にプリントされた抵抗素子 高品質セラミックにメタルグレーズ 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) ニッケルバリヤ層の鉛(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、鉛( Pb )フリー及び鉛フリーに対応 はんだ付けプロセスを含む. 用途. 自動化 産業用

抵抗 = 3.3MΩ。定格電力 = 0.6W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 薄膜。シリーズ = MRS25。温度係数 = ±50ppm/℃。0.6W MRS25シリーズ(100 kΩ → 10 MΩ). 金属合金の均質フィルムは、高品位セラミックボディに溶着されています。らせん状の溝を抵抗層で切断した後、電解銅のスズめっき接続ワイヤをエンドキャップに溶接します。抵抗器は、電気、機械、及び耐候性を提供するラッカーでコーティングされています。4 個又は 5 個のカラーコードリングが、 IEC60062 に準拠した抵抗値と許容差を示します。MRS16 及び MRS25 に適した交換製品は、 MBA/SMA 0204 及び MBB/SMA 0207 業務用です。. 特長. - 技術 : 金属フィルム - 小型のプロフェッショナル抵抗器 - 低ノイズ. 用途. - すべての汎用アプリケーション

抵抗 10kΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 1206 (3216M)。許容差 ±1%。定格電力 0.5W。温度係数 ±100ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。1206高出力厚膜チップ抵抗器、CRCW HP e3シリーズ 0.75 W. 優れたパルス負荷機能 定格電力を向上 両面にプリントされた抵抗素子 高品質セラミックにメタルグレーズ グレーズ上を保護 優れた安定性(ΔR/R 1 (70 ℃で1000時間)) ニッケルバリヤ層のリード(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 10kΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0805 (2012M)。許容差 ±5%。定格電力 0.125W。温度係数 ±200ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0805パルス防止厚膜チップ抵抗器、CRCW IF e3シリーズ 0.125 W. 高品質セラミックにメタルグレーズ グレーズ上を保護 優れた安定性(ΔR/R 1 (70 ℃で1000時間)) ニッケルバリヤ層のリード(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 = 3MΩ。定格電力 = 0.6W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 薄膜。シリーズ = MRS25。温度係数 = ±50ppm/℃。0.6W MRS25シリーズ(100 kΩ → 10 MΩ). 金属合金の均質フィルムは、高品位セラミックボディに溶着されています。らせん状の溝を抵抗層で切断した後、電解銅のスズめっき接続ワイヤをエンドキャップに溶接します。抵抗器は、電気、機械、及び耐候性を提供するラッカーでコーティングされています。4 個又は 5 個のカラーコードリングが、 IEC60062 に準拠した抵抗値と許容差を示します。MRS16 及び MRS25 に適した交換製品は、 MBA/SMA 0204 及び MBB/SMA 0207 業務用です。. 特長. - 技術 : 金属フィルム - 小型のプロフェッショナル抵抗器 - 低ノイズ. 用途. - すべての汎用アプリケーション

抵抗 = 50mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±700ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 470mΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±250ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1kΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100mΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 5Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 2Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整