「抵抗 220k」の検索結果

抵抗 = 220kΩ。定格電力 = 0.4W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 金属皮膜。シリーズ = SFR25。パッケージ/ケース = 0207。動作温度 Max = +155℃。動作温度 Min = -55℃。UTE RC 21U、RC 32、RC 30、RC 2T、LNZ 4404. SFR 25シリーズ金属皮膜抵抗器. VishayのSFR金属皮膜抵抗器は、は、オーディオ、IT、通信の分野で幅広く使用されます。 低ノイズ. 各種のΩ及びワット数を用意

抵抗 = 220kΩ。定格電力 = 3W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 金属皮膜。シリーズ = PR03。動作温度 Max = +155℃。動作温度 Min = -55℃。PR03シリーズ、3 W、アキシャル. Vishay PR03シリーズは高温向けの金属皮膜抵抗器で、高品位のセラミックボディを備えています。 この抵抗器は難燃性の高いラッカーでコーティングされていて、電気、機械、環境からの保護が可能です。. 鉛フリーはんだコンタクト 小型パッケージで高出力 高温定格 すべての汎用電力用途に最適

抵抗 = 220kΩ。定格電力 = 0.6W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 薄膜。シリーズ = MRS25。温度係数 = ±50ppm/℃。0.6W MRS25シリーズ(100 kΩ → 10 MΩ). 金属合金の均質フィルムは、高品位セラミックボディに溶着されています。らせん状の溝を抵抗層で切断した後、電解銅のスズめっき接続ワイヤをエンドキャップに溶接します。抵抗器は、電気、機械、及び耐候性を提供するラッカーでコーティングされています。4 個又は 5 個のカラーコードリングが、 IEC60062 に準拠した抵抗値と許容差を示します。MRS16 及び MRS25 に適した交換製品は、 MBA/SMA 0204 及び MBB/SMA 0207 業務用です。. 特長. - 技術 : 金属フィルム - 小型のプロフェッショナル抵抗器 - 低ノイズ. 用途. - すべての汎用アプリケーション

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 220kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 1W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 8.8mm。軸径 = 16 mm。許容差 = ±20%。ナット、ロックワッシャ、シーリングリング. Vishay P16 シリーズノブポテンショメータ. P16 は、パネル取り付けポテンショメータの画期的なコンセプトです。この独自の設計は、サーメットポテンショメータを採用しているノブ駆動方式で構成されています。パネルの背面に取り付け用の金具と端子のみがあり、必要な隙間を最小限に抑えられます。. CECC 41000 または IEC 60393-1 に従ってテストします P16 タイプは、業務用および産業用に適しています 用途(サーメット) 1 W @ 40 ° C コンパクト(内蔵) 高絶縁耐性： 2500 VRMS 完全密閉、パネルシール 金属製またはプラスチック製のノブオプション ご要望に応じてカスタムノブをご用意

抵抗 220kΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0805 (2012M)。許容差 ±1%。定格電力 0.125W。温度係数 ±100ppm/℃。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0805 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (10 kΩ 5.6 MΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装(SMD)厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0805パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

抵抗 = 220kΩ。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = MELF 0207.。許容差 = ±2%。定格電力 = 0.4W。自動車規格 = AEC-Q200。シリーズ = CMB。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。CMB 0207シリーズ. 高度なパルス負荷機能により、サージパルスからのシグナルや本線入力から回路を保護 高レベルの電磁波干渉や静電気放電にさらされる回路にも最適 用途は、自動車、通信、産業及び医療機器のあらゆる分野など

抵抗 = 220kΩ。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = MELF 0204 ( MELF 0204 )。許容差 = ±0.1%。定格電力 = 0.07W。温度係数 = ±15ppm/K。自動車規格 = AEC-Q200。シリーズ = MMA。動作温度 Min = -10℃。動作温度 Max = +85℃。EN140401-803. MMA 0204精密MELF 0.1 %抵抗. アドバンスド薄膜テクノロジ 高い安定性: クラス0.05 幅広い精密範囲: 43 Ω → 220 kΩ 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

最大抵抗 = 200kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64W。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。最小動作温度 = -55℃。上面調整64 Wシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 20kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64W。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。最大動作温度 = +155℃。上面調整64 Wシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 20kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64Y。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。最小動作温度 = -55℃。上面調整64Yシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 20kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64X。方位 = 側面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 11mm。奥行き = 5mm。高さ = 9.8mm。寸法 = 11 x 5 x 9.8mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。最小動作温度 = -55℃。側面調整64Xシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

最大抵抗 = 200kΩ。回転数 = 19 (電気的)、22 (機械的)。取り付けタイプ = スルーホール。定格電力 = 1/2W。シリーズ = 64Y。方位 = 上面調整。終端スタイル = ピン。長さ = 9.7mm。奥行き = 5mm。高さ = 11.1mm。寸法 = 9.7 x 5 x 11.1mm。軸径 = 2.2 mm。許容差 = ±10%。最小動作温度 = -55℃。上面調整64Yシリーズ. スリムボディプロファイル - 高パッキング密度 密閉による液浸基板洗浄への耐性 難燃性プラスチックハウジング ダブルシェブロンシャフトシール 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 基板アセンブリ用ICスタイルピン 貴金属ワイパーにより、セットポイントの安定性を確保

抵抗 = 50mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±700ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 470mΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±250ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1kΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100mΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 5Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 2Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 47Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10kΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 50Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整