「抵抗 3w 500ω」の検索結果

ポテンショメータタイプ ロータリ。最大抵抗 500kΩ。ギャング数 1。回転数 1。定格電力 0.13W。電気テーパー リニア。エレメント材料 サーメット。実装タイプ パネルマウント。終端スタイル ピン。シャフト長さ 20mm。軸径 3 mm。アクチュエータタイプ 溝付きシャフト%。ミニチュアシングルターンポテンショメータ、0.5 W、3 mm軸、P10シリーズ. サーメットトラックポテンショメータモデルP10xxリニア、IP67適合の完全シールド プラスチックブッシュ及び軸 パネル取り付け 基板実装 スズめっきコネクタ 0.5 mmでの出力 10，000回の動作保証 取り付けナット及びワッシャが付属

最大抵抗 = 500kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 14。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.13W。シリーズ = T63。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 1.8 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。MIL-R-22097、CECC 41 100. 6 mm 1/4インチ250 mW上面調整T63YB. T63シリーズ多回転トリマーは、そのスクエア形状と小さいサイズにより基板での使用に最適で、高密度基板実装と狭い基板間隔を実現できます。. 多回転動作 低い接触抵抗の変動

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 4.7kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 3W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 25mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±10%。マウントナットとロックワッシャ. シャフトの寸法測定値はブッシュを含む. Vishay IP67 等級軍事 / 業務用グレードポテンショメータ. Vishayは、高品質のポテンショメータの製品群を提供します。これらのポテンショメータは最高の製造品質を誇り、軍事用途や専門作業においても活躍できます。完全密閉型のボディでIP67等級に対応し、あらゆる場合での使用に最適です。これらのポテンショメータは、スルーホール取り付けタイプのサーメット素子を採用しています。. 特長：. ボディ：19.7 mm 70 ℃ で高い定格電力 優れた熱安定性 頑丈な構造で、ボディは完全密閉構造になっています。IP67等級 終端長さ： 0.11インチレセプタクル厚さ： 0.5 mm 接触抵抗の変動： 3 % 又は 3 Ω (いずれか大きい方) 絶縁抵抗： 105 mΩ @ 500 V dc 環境クラス： 55/125/56

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 10kΩ。ギャング数 = 1。定格電力 = 3W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = 表面実装。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 25mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±20%。マウントナットとロックワッシャ. シャフトの寸法測定値はブッシュを含む. Vishay IP67 等級軍事 / 業務用グレードポテンショメータ. Vishayは、高品質のポテンショメータの製品群を提供します。これらのポテンショメータは最高の製造品質を誇り、軍事用途や専門作業においても活躍できます。完全密閉型のボディでIP67等級に対応し、あらゆる場合での使用に最適です。これらのポテンショメータは、スルーホール取り付けタイプのサーメット素子を採用しています。. 特長：. ボディ：19.7 mm 70 ℃ で高い定格電力 優れた熱安定性 頑丈な構造で、ボディは完全密閉構造になっています。IP67等級 終端長さ： 0.11インチレセプタクル厚さ： 0.5 mm 接触抵抗の変動： 3 % 又は 3 Ω (いずれか大きい方) 絶縁抵抗： 105 mΩ @ 500 V dc 環境クラス： 55/125/56

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 4.7kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 3W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 50mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±10%。マウントナットとロックワッシャ. シャフトの寸法測定値はブッシュを含む. Vishay IP67 等級軍事 / 業務用グレードポテンショメータ. Vishayは、高品質のポテンショメータの製品群を提供します。これらのポテンショメータは最高の製造品質を誇り、軍事用途や専門作業においても活躍できます。完全密閉型のボディでIP67等級に対応し、あらゆる場合での使用に最適です。これらのポテンショメータは、スルーホール取り付けタイプのサーメット素子を採用しています。. 特長：. ボディ：19.7 mm 70 ℃ で高い定格電力 優れた熱安定性 頑丈な構造で、ボディは完全密閉構造になっています。IP67等級 終端長さ： 0.11インチレセプタクル厚さ： 0.5 mm 接触抵抗の変動： 3 % 又は 3 Ω (いずれか大きい方) 絶縁抵抗： 105 mΩ @ 500 V dc 環境クラス： 55/125/56

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 2.2kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 3W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 25mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±10%。マウントナットとロックワッシャ. シャフトの寸法測定値はブッシュを含む. Vishay IP67 等級軍事 / 業務用グレードポテンショメータ. Vishayは、高品質のポテンショメータの製品群を提供します。これらのポテンショメータは最高の製造品質を誇り、軍事用途や専門作業においても活躍できます。完全密閉型のボディでIP67等級に対応し、あらゆる場合での使用に最適です。これらのポテンショメータは、スルーホール取り付けタイプのサーメット素子を採用しています。. 特長：. ボディ：19.7 mm 70 ℃ で高い定格電力 優れた熱安定性 頑丈な構造で、ボディは完全密閉構造になっています。IP67等級 終端長さ： 0.11インチレセプタクル厚さ： 0.5 mm 接触抵抗の変動： 3 % 又は 3 Ω (いずれか大きい方) 絶縁抵抗： 105 mΩ @ 500 V dc 環境クラス： 55/125/56

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 10kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 3W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 50mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±10%。マウントナットとロックワッシャ. シャフトの寸法測定値はブッシュを含む. Vishay IP67 等級軍事 / 業務用グレードポテンショメータ. Vishayは、高品質のポテンショメータの製品群を提供します。これらのポテンショメータは最高の製造品質を誇り、軍事用途や専門作業においても活躍できます。完全密閉型のボディでIP67等級に対応し、あらゆる場合での使用に最適です。これらのポテンショメータは、スルーホール取り付けタイプのサーメット素子を採用しています。. 特長：. ボディ：19.7 mm 70 ℃ で高い定格電力 優れた熱安定性 頑丈な構造で、ボディは完全密閉構造になっています。IP67等級 終端長さ： 0.11インチレセプタクル厚さ： 0.5 mm 接触抵抗の変動： 3 % 又は 3 Ω (いずれか大きい方) 絶縁抵抗： 105 mΩ @ 500 V dc 環境クラス： 55/125/56

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 10kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 3W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 25mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±10%。マウントナットとロックワッシャ. シャフトの寸法測定値はブッシュを含む. Vishay IP67 等級軍事 / 業務用グレードポテンショメータ. Vishayは、高品質のポテンショメータの製品群を提供します。これらのポテンショメータは最高の製造品質を誇り、軍事用途や専門作業においても活躍できます。完全密閉型のボディでIP67等級に対応し、あらゆる場合での使用に最適です。これらのポテンショメータは、スルーホール取り付けタイプのサーメット素子を採用しています。. 特長：. ボディ：19.7 mm 70 ℃ で高い定格電力 優れた熱安定性 頑丈な構造で、ボディは完全密閉構造になっています。IP67等級 終端長さ： 0.11インチレセプタクル厚さ： 0.5 mm 接触抵抗の変動： 3 % 又は 3 Ω (いずれか大きい方) 絶縁抵抗： 105 mΩ @ 500 V dc 環境クラス： 55/125/56

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 1kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 3W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 50mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±10%。マウントナットとロックワッシャ. シャフトの寸法測定値はブッシュを含む. Vishay IP67 等級軍事 / 業務用グレードポテンショメータ. Vishayは、高品質のポテンショメータの製品群を提供します。これらのポテンショメータは最高の製造品質を誇り、軍事用途や専門作業においても活躍できます。完全密閉型のボディでIP67等級に対応し、あらゆる場合での使用に最適です。これらのポテンショメータは、スルーホール取り付けタイプのサーメット素子を採用しています。. 特長：. ボディ：19.7 mm 70 ℃ で高い定格電力 優れた熱安定性 頑丈な構造で、ボディは完全密閉構造になっています。IP67等級 終端長さ： 0.11インチレセプタクル厚さ： 0.5 mm 接触抵抗の変動： 3 % 又は 3 Ω (いずれか大きい方) 絶縁抵抗： 105 mΩ @ 500 V dc 環境クラス： 55/125/56

抵抗 = 3.3MΩ。定格電力 = 0.4W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 金属皮膜。シリーズ = SFR25。パッケージ/ケース = 0207。温度係数 = ±250ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。UTE RC 21U、RC 32、RC 30、RC 2T、LNZ 4404. SFR 25シリーズ金属皮膜抵抗器. VishayのSFR金属皮膜抵抗器は、は、オーディオ、IT、通信の分野で幅広く使用されます。 低ノイズ. 各種のΩ及びワット数を用意

抵抗 = 50mΩ。テクノロジー = メタルストリップ。パッケージ/ケース = 4257 ( 11070M。許容差 = ±1%。定格電力 = 3W。温度係数 = ±75ppm/℃。シリーズ = WSR3。動作温度 Min = -65℃。動作温度 Max = +275℃。WSR3パワーメタルStripR 3 W. スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出、電圧分割、パルス用途に最適

抵抗 = 50mΩ。定格電力 = 30W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±700ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

CPFシリーズ(1 W → 3 W)。金属皮膜抵抗器、アキシャル、産業用電源、精密、耐炎性。特長。高い定格電力、小型 -耐炎性、耐熱性シリコーンコーティング ・特殊な撮影・塗装工程 - 優れた高周波特性 - 低ノイズ - 低電圧係数

抵抗 = 50Ω。定格電力 = 2W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 金属皮膜。シリーズ = CPF。動作温度 Max = +230℃。動作温度 Min = -65℃。CPFシリーズ(1 W → 3 W). 金属皮膜抵抗器、アキシャル、産業用電源、精密、耐炎性. 特長. - 高い定格電力、小型 -耐炎性、耐熱性シリコーンコーティング ・特殊な撮影・塗装工程 - 優れた高周波特性 - 低ノイズ - 低電圧係数

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 50Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 150Ω。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 1206 (3216M)。許容差 = ±0.1%。定格電力 = 2W。温度係数 = ±25ppm/℃。シリーズ = PCAN。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。Vishay PCANラップアラウンド表面実装精密薄膜チップ抵抗器. Vishay PCAN精密薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングなどに最適です。 はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。. PCAN高熱伝導精密薄膜SMD抵抗器は窒化アルミ基材上に設計 最大定格電力: 6.0 W 抵抗範囲: 30 → 175 Ω 難燃性: UL94 V-0

抵抗 = 150Ω。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 2512 (6432M)。許容差 = ±0.1%。定格電力 = 6W。温度係数 = ±25ppm/℃。シリーズ = PCAN。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。Vishay PCANシリーズ2512ラップアラウンド表面実装精密薄膜チップ抵抗器. Vishay PCAN精密薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングなどに最適です。 はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。. PCAN高熱伝導精密薄膜SMD抵抗器は窒化アルミ基材上に設計 最大定格電力: 6.0 W 抵抗範囲: 30 → 175 Ω 難燃性: UL94 V-0

抵抗 0Ω。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0805 (2012M)。許容差 ±0%。定格電力 0.5W。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0805高出力厚膜チップ抵抗器、CRCW HP e3シリーズ 0.33 W. パルス防止の高出力厚膜チップ抵抗器シリーズは、信頼性、安定性、高い出力定格、優れたパルス負荷性能が重要視される電力測定電子機器のほとんどの分野に最適です。主な用途には、車載機器のバッテリ管理システムなどがあります。. 特長. 優れたパルス負荷耐量 定格電力の向上 両面にプリントされた抵抗素子 高品質セラミックにメタルグレーズ 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) ニッケルバリヤ層の鉛(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、鉛( Pb )フリー及び鉛フリーに対応 はんだ付けプロセスを含む. 用途. 自動化 産業用

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 850 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 50 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 17 nC @ 10 Vmm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 50 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.4 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 74 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor