「抵抗 50w 10ω」の検索結果

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 50W。シリーズ = RH050。パッケージ/ケース = アルミハウジング。許容差 = ±1%。テクノロジー = 巻線。終端スタイル = アキシャル。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +250℃。最小温度係数 = -20ppm/℃。最大温度係数 = +20ppm/℃。定格電力は300 x 300 x 1.5 mmのアルミパネルに実装された抵抗器をベースとしています。非実装定格は20 W @ 25 ℃です。 定格電力については、メーカーのデータを参照してください。. 50 W RH050シリーズ±1 %. Vishay RH050シリーズ巻線型シャーシ取り付け抵抗器は、アルミハウジング全体が溶接及び成形された構造になっており、環境全体を保護します。これらの抵抗器は直接シャーシに取り付けられ、シートシンク効果を利用します。この巻線型抵抗器製品は従来の定格電力で高い安定性を実現し、表面には簡単に識別できるフラットマークが付いています。. 特長と利点. シートシンク効果を利用したシャーシ取り付け 総合的な環境保護性能を提供する成形構造 高い安定性: ；0.05 %/年 抵抗値許容差: 1 %

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 50W。シリーズ = RCH50。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = はんだラグ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -150ppm/℃。最大温度係数 = +150ppm/℃。50W RCH50シリーズ. これらの50W RCH50シリーズ抵抗器は、ヒートシンクに取り付けるように設計されています。 短時間の高過負荷状態への耐性と無誘導性を兼ね備えており、高周波動作及びカットアウト回路に最適です。

抵抗 = 10kΩ。定格電力 = 50W。シリーズ = RCH50。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = はんだラグ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -150ppm/℃。最大温度係数 = +150ppm/℃。50W RCH50シリーズ. これらの50W RCH50シリーズ抵抗器は、ヒートシンクに取り付けるように設計されています。 短時間の高過負荷状態への耐性と無誘導性を兼ね備えており、高周波動作及びカットアウト回路に最適です。

抵抗 = 10kΩ。定格電力 = 50W。シリーズ = RH。許容差 = ±1%。テクノロジー = 巻線。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +250℃。最小温度係数 = -20ppm/℃。最大温度係数 = +20ppm/℃。定格電力は300 x 300 x 1.5 mmのアルミパネルに実装された抵抗器をベースとしています。非実装定格は20 W @ 25 ℃です。 定格電力については、メーカーのデータを参照してください。. 50 W RH050シリーズ±1 %. Vishay RH050シリーズ巻線型シャーシ取り付け抵抗器は、アルミハウジング全体が溶接及び成形された構造になっており、環境全体を保護します。これらの抵抗器は直接シャーシに取り付けられ、シートシンク効果を利用します。この巻線型抵抗器製品は従来の定格電力で高い安定性を実現し、表面には簡単に識別できるフラットマークが付いています。. 特長と利点. シートシンク効果を利用したシャーシ取り付け 総合的な環境保護性能を提供する成形構造 高い安定性: ；0.05 %/年 抵抗値許容差: 1 %

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 500W。シリーズ = RPS500。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = ネジ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -150ppm/℃。最大温度係数 = +150ppm/℃。RPS500DH シリーズ - 500 W 厚膜無誘導電力抵抗器. 厚膜無誘導電力抵抗器 ヒートシンクと併用することで500 W @ 70 ℃の高い定格電力を実現 過度なパルス負荷に耐量を持つ 簡単に取付 対角接続 低熱放射

抵抗 = 10kΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 50W。シリーズ = RCH50。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = はんだタブ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -150ppm/℃。最大温度係数 = +150ppm/℃。50W RCH50シリーズ. これらの50W RCH50シリーズ抵抗器は、ヒートシンクに取り付けるように設計されています。 短時間の高過負荷状態への耐性と無誘導性を兼ね備えており、高周波動作及びカットアウト回路に最適です。

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 0.6W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 薄膜。シリーズ = MRS25。温度係数 = ±50ppm/℃。0.6W MRS25シリーズ(1 Ω → 976 Ω). 業務用薄膜リード付き抵抗器. 金属合金の均質フィルムは、高品位セラミックボディに溶着されています。らせん状の溝を抵抗層で切断した後、電解銅のスズめっき接続ワイヤをエンドキャップに溶接します。抵抗器は、電気、機械、及び耐候性を提供するラッカーでコーティングされています。4 個又は 5 個のカラーコードリングが、 IEC60062 に準拠した抵抗値と許容差を示します。MRS16 及び MRS25 に適した交換製品は、 MBA/SMA 0204 及び MBB/SMA 0207 業務用です。. 特長. - 技術 : 金属フィルム - 小型のプロフェッショナル抵抗器 - 低ノイズ

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 10Ω。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 6W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = ワイヤリード。シャフト長さ = 25mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±20%。CECC 41 000. 25 mm PE60 シリーズ. 高定格電力( 6 W @ 50 ° C ) 完全密閉型リニアサーメットトラック 低温度係数： ± 250 ppm/ ° C ( 100R 、 470R )、 ± 500 ppm/ ° C ( 4R7 、 10R ) 高い機械的強度 150 mm のフライングリードによる接続

抵抗 = 1kΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100mΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 470mΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±250ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 5Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 47Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

抵抗 = 10kΩ。定格電力 = 0.6W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 薄膜。シリーズ = MRS25。温度係数 = ±50ppm/℃。0.6W MRS25シリーズ(1 kΩ → 95.3 Ω). 金属合金の均質フィルムは、高品位セラミックボディに溶着されています。らせん状の溝を抵抗層で切断した後、電解銅のスズめっき接続ワイヤをエンドキャップに溶接します。抵抗器は、電気、機械、及び耐候性を提供するラッカーでコーティングされています。4 個又は 5 個のカラーコードリングが、 IEC60062 に準拠した抵抗値と許容差を示します。MRS16 及び MRS25 に適した交換製品は、 MBA/SMA 0204 及び MBB/SMA 0207 業務用です。. 特長. - 技術 : 金属フィルム - 小型のプロフェッショナル抵抗器 - 低ノイズ. 用途. - すべての汎用アプリケーション

MCS0402、MCT0603、MCU0805、MCA1206業務用薄膜フラットチップ抵抗器は、信頼性と安定性が重要視される現代の業務用電子機器のほとんどの分野に最適です。主な用途は、通信、医療機器、ハイエンドコンピュータ、オーディオ/ビデオ電子機器などです。優れた総合的な安定性：クラス0.5業務用抵抗値許容差：±0.5%及び±1%損失p70はサイズ1206で最大0.4Wとなっています耐硫化性用途自動車電気通信医療機器産業機器

抵抗 = 10Ω。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = MELF 0102。許容差 = ±1%。定格電力 = 0.2W。温度係数 = ±50ppm/℃。シリーズ = MMU0102。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。EN140401-803. MMU 0102 - 業務用. アドバンスド薄膜テクノロジ クラス0.25を超える高い総合安定性 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

Vishay RS シリーズ。Vishay RS シリーズの巻線型抵抗器は、高温シリコンコーティングを施した高精度高電力リード付き抵抗器です。RS シリーズは、抵抗値に応じて、銅ニッケル合金又はニッケルクロム合金を使用した完全溶接構造を備えています。高温 完全溶接構造 優れた動作安定性