「無誘導抵抗」の検索結果

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 100W。シリーズ = RTOP100V。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = ネジ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -150ppm/℃。最大温度係数 = +150ppm/℃。100 W / 200 W厚膜型の電力抵抗器 - RTOPシリーズ. Vishay Sfernice RTOPシリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はSOT-227Bパッケージに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、25 ℃で100 W (RTOP 100)又は200 W (RTOP 200)の放熱が可能

抵抗 = 100mΩ。定格電力 = 200W。シリーズ = RTOP200V。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = ネジ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -300ppm/℃。最大温度係数 = +300ppm/℃。100 W / 200 W厚膜型の電力抵抗器 - RTOPシリーズ. Vishay Sfernice RTOPシリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はSOT-227Bパッケージに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、25 ℃で100 W (RTOP 100)又は200 W (RTOP 200)の放熱が可能

ヒートシンク厚膜技術に取り付ける Vishay の電力抵抗器で、NF-EN45545-2 の要件 #26 に準拠しています。高出力 800 W @ 85 ℃ (下部ケース温度)。広い抵抗範囲： 0.3 900 k へのか。か。E24 シリーズ無誘導 取り付けが簡単 ケースの低熱放射

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

抵抗 = 15Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

抵抗 = 10kΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。動作温度 Min = -55℃。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 100W。シリーズ = RTOP100V。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = ネジ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -150ppm/℃。最大温度係数 = +150ppm/℃。100 W / 200 W厚膜型の電力抵抗器 - RTOPシリーズ. Vishay Sfernice RTOPシリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はSOT-227Bパッケージに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、25 ℃で100 W (RTOP 100)又は200 W (RTOP 200)の放熱が可能

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 100W。シリーズ = RTOP100V。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = ネジ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -150ppm/℃。最大温度係数 = +150ppm/℃。100 W / 200 W厚膜型の電力抵抗器 - RTOPシリーズ. Vishay Sfernice RTOPシリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はSOT-227Bパッケージに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、25 ℃で100 W (RTOP 100)又は200 W (RTOP 200)の放熱が可能

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 500W。シリーズ = RPS500。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = ネジ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -150ppm/℃。最大温度係数 = +150ppm/℃。RPS500DH シリーズ - 500 W 厚膜無誘導電力抵抗器. 厚膜無誘導電力抵抗器 ヒートシンクと併用することで500 W @ 70 ℃の高い定格電力を実現 過度なパルス負荷に耐量を持つ 簡単に取付 対角接続 低熱放射

ヒートシンク厚膜技術に取り付けるVishayの電力抵抗器で、NF-EN45545-2の要件#26に準拠しています。高出力800W@85℃(下部ケース温度)。広い抵抗範囲：0.3900kへのか。か。E24シリーズ無誘導取り付けが簡単ケースの低熱放射

抵抗 = 1kΩ。定格電力 = 500W。シリーズ = RPS500。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = ネジ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -150ppm/℃。最大温度係数 = +150ppm/℃。RPS500DH シリーズ - 500 W 厚膜無誘導電力抵抗器. 厚膜無誘導電力抵抗器 ヒートシンクと併用することで500 W @ 70 ℃の高い定格電力を実現 過度なパルス負荷に耐量を持つ 簡単に取付 対角接続 低熱放射

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 500W。シリーズ = RPS500。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = ネジ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -150ppm/℃。最大温度係数 = +150ppm/℃。RPS500DH シリーズ - 500 W 厚膜無誘導電力抵抗器. 厚膜無誘導電力抵抗器 ヒートシンクと併用することで500 W @ 70 ℃の高い定格電力を実現 過度なパルス負荷に耐量を持つ 簡単に取付 対角接続 低熱放射

抵抗 = 47Ω。定格電力 = 500W。シリーズ = RPS500。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = ネジ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -150ppm/℃。最大温度係数 = +150ppm/℃。RPS500DH シリーズ - 500 W 厚膜無誘導電力抵抗器. 厚膜無誘導電力抵抗器 ヒートシンクと併用することで500 W @ 70 ℃の高い定格電力を実現 過度なパルス負荷に耐量を持つ 簡単に取付 対角接続 低熱放射

抵抗 = 3.9Ω。定格電力 = 20W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 20。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。厚膜型の電力抵抗器 - 20 W - 金属ベース. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装できます。

抵抗 = 6.8kΩ。定格電力 = 20W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 20。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。厚膜型の電力抵抗器 - 20 W - 金属ベース. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装できます。

抵抗 = 15Ω。定格電力 = 20W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 20。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。厚膜型の電力抵抗器 - 20 W - 金属ベース. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装できます。

抵抗 = 12Ω。定格電力 = 20W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 20。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。動作温度 Min = -55℃。厚膜型の電力抵抗器 - 20 W - 金属ベース. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装できます。

抵抗 = 10kΩ。定格電力 = 20W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 20。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。リード間隔 = 5.08mm。20 W RTO20シリーズ. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装可能

抵抗 = 100mΩ。定格電力 = 20W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 20。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。20 W RTO20シリーズ. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装可能

抵抗 = 47Ω。定格電力 = 20W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 20。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。動作温度 Min = -55℃。20 W RTO20シリーズ. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装可能

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 20W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 20。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。リード間隔 = 5.08mm。20 W RTO20シリーズ. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装可能

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 20W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 20。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。20 W RTO20シリーズ. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装可能

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 20W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 20。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。20 W RTO20シリーズ. 無誘導厚膜抵抗器 TO-220ハウジングに収められ、ヒートシンクに取り付けられたこれらの抵抗器は、コンパクトで定格電力が高く、小型パッケージに容易に実装可能

抵抗 = 2.2Ω。テクノロジー = 金属皮膜。パッケージ/ケース = TO-252。許容差 = ±5%。定格電力 = 25W。温度係数 = ±150ppm/℃。シリーズ = DTO25。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +150℃。Vishay DTO25表面実装厚膜電力抵抗器. Vishay DTO25電力抵抗器は、厚膜素子とスズめっき銅の接続部で構成されています。0.016 → 700 kΩの幅広い抵抗を備えたこのシリーズは無誘導性で、抵抗は金属タブから絶縁されています。これらのVishay電力抵抗器は、AEC-Q200認定済みで車載用途に適しています。. 特長と利点:. 表面実装抵抗器 TO-252 (DPAK)パッケージ AEC-Q200認定 25 W @ 25 ℃. 用途:. 車載、産業及び軍事用途

抵抗 = 1Ω。テクノロジー = 金属皮膜。パッケージ/ケース = TO-252。許容差 = ±5%。定格電力 = 25W。温度係数 = ±150ppm/℃。シリーズ = DTO25。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +150℃。Vishay DTO25表面実装厚膜電力抵抗器. Vishay DTO25電力抵抗器は、厚膜素子とスズめっき銅の接続部で構成されています。0.016 → 700 kΩの幅広い抵抗を備えたこのシリーズは無誘導性で、抵抗は金属タブから絶縁されています。これらのVishay電力抵抗器は、AEC-Q200認定済みで車載用途に適しています。. 特長と利点:. 表面実装抵抗器 TO-252 (DPAK)パッケージ AEC-Q200認定 25 W @ 25 ℃. 用途:. 車載、産業及び軍事用途

ヒートシンク厚膜技術に取り付けるVishayの電力抵抗器で、NF-EN45545-2の要件#26に準拠しています。高出力300W@85℃(下部ケース温度)。幅広い抵抗範囲：0.3→900KOE24シリーズ無誘導取り付けが簡単ケースの低熱放射

ヒートシンク厚膜技術に取り付けるVishayの電力抵抗器で、NF-EN45545-2の要件#26に準拠しています。高出力300W@85℃(下部ケース温度)。幅広い抵抗範囲：0.3→900KOE24シリーズ無誘導取り付けが簡単ケースの低熱放射

ヒートシンク厚膜技術に取り付けるVishayの電力抵抗器で、NF-EN45545-2の要件#26に準拠しています。高出力300W@85℃(下部ケース温度)。幅広い抵抗範囲：0.3→900KOE24シリーズ無誘導取り付けが簡単ケースの低熱放射

抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 25W。シリーズ = RCH25。パッケージ/ケース = 平面。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。終端スタイル = ネジ。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。最小温度係数 = -150ppm/℃。最大温度係数 = +150ppm/℃。シャーシシリーズRCH 25 W用の抵抗器. Vishay Sfernice 25 W RCH25シリーズ抵抗器は、ヒートシンクに取り付けるように設計されています。 短時間の高過負荷状態に絶えるように設計されています。 厚いコーティングで無誘導性 熱放射が低い RH巻線型抵抗器と同等の継手 高周波動作やカットアウト回路に最適

ヒートシンク厚膜技術に取り付ける Vishay の電力抵抗器で、NF-EN45545-2 の要件 #26 に準拠しています。高出力 300 W @ 85 ℃ (下部ケース温度)。幅広い抵抗範囲： 0.3 → 900 KO E24 シリーズ無誘導 取り付けが簡単 ケースの低熱放射

抵抗 = 1kΩ。テクノロジー = 巻線。パッケージ/ケース = 4257 ( 11070M。許容差 = ±1%。定格電力 = 2W。温度係数 = ±20ppm/℃。シリーズ = WSC。動作温度 Min = -65℃。動作温度 Max = +275℃。WSC4527巻線型2 W. Vishay WSC4527シリーズの表面実装型の抵抗器は、高い定格電力と優れた耐サージ性能を備えています。 成形カプセル化とラップアラウンド終端が施された総溶接構造になっているので、異なる環境条件に対する保護に役立ちます。 これらの抵抗器は、アイルトン・ペリー巻線付きの無誘導型です。