「照明機器」の検索結果

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TO-269AA。ピン数 = 4。回路構成 = クワッド。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 100μA。寸法 = 4.95 x 4.1 x 2.7mm。高さ = 2.7mm。電源、照明安定器、バッテリー充電器、家電、オフィス機器、及び通信用途向けのAC/DCブリッジ全波整流で汎用的に使用されます。基板の面積を節約 自動位置決めに最適 用途: 電源、照明安定器、バッテリー充電器、家電、オフィス機器、及び通信用途向けのAC/DCブリッジ全波整流で汎用的に使用されます。

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TO-269AA。ピン数 = 4。回路構成 = クワッド。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 450A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 100μA。寸法 = 4.95 x 4.1 x 2.7mm。幅 = 4.1mm。電源、照明安定器、バッテリー充電器、家電、オフィス機器、及び通信用途向けのAC/DCブリッジ全波整流で汎用的に使用されます。基板の面積を節約 自動位置決めに最適 用途: 電源、照明安定器、バッテリー充電器、家電、オフィス機器、及び通信用途向けのAC/DCブリッジ全波整流で汎用的に使用されます。

静電容量 = 4F。電圧 = 2.8V dc。実装タイプ = 表面実装。動作温度 Min = -20℃。動作温度 Max = +70℃。直径 = 7.5mm。高さ = 2.5mm。寸法 = 7 x 14 x 2.5mm。漏れ電流 = 0.03 mA。等価直列抵抗 = 15 (dc) Ω， 5 (ac) Ω。寿命 = 1000h。シリーズ = 196 HVC。許容差 = -20 → +80%。コンデンサファミリ = 電気2層mm。196 HVCシリーズ. 低プロファイル: 2.5 mm 13 Ws/gの高電力密度 最高6つのセルを使用可能 90 Fまでの静電容量 スタック式スルーホール、フラット表面実装、及びレイフラット構成を備えたピン、タブ、コネクタを用意 幅広い電圧範囲: 1.4 → 8.4 V 有効寿命: 1000時間 @ +85 ℃. 組み込みコンピュータ、サーバー、データストレージシステム、業務用リモコン、リアルタイムクロック、緊急照明、ゲーム、自動販売機、ネットワーク機器における環境発電と電源ラインのバックアップ用途

静電容量 = 90F。電圧 = 5.6V dc。実装タイプ = スルーホール。動作温度 Min = -20℃。動作温度 Max = +85℃。高さ = 15mm。寸法 = 35 x 25 x 15mm。リード間隔 = 15mm。漏れ電流 = 0.5 mA。等価直列抵抗 = 180 (dc) mΩ， 60 (ac) mΩ。寿命 = 1000h。シリーズ = 196 HVC。許容差 = -20 → +80%。末端仕様 = ラジアルmm。196 HVCシリーズ. 低プロファイル: 2.5 mm 13 Ws/gの高電力密度 最高6つのセルを使用可能 90 Fまでの静電容量 スタック式スルーホール、フラット表面実装、及びレイフラット構成を備えたピン、タブ、コネクタを用意 幅広い電圧範囲: 1.4 → 8.4 V 有効寿命: 1000時間 @ +85 ℃. 組み込みコンピュータ、サーバー、データストレージシステム、業務用リモコン、リアルタイムクロック、緊急照明、ゲーム、自動販売機、ネットワーク機器における環境発電と電源ラインのバックアップ用途

オプトカプラ、フォトトライアック出力、Vishay Semiconductor. フォトトライアック出力のVishayオプトカプラVOM160、VOM3052、VOM3053及びBRT21シリーズは120 V ac、240 V ac、及び380 V acラインから定電圧ロジックを遮断し、モータ、高電流サイリスタ又はトライアック、ソレノイド及びリレーなど、抵抗負荷、誘導負荷、又は容量性負荷を制御します。. VOM160、VOM3052及びVOM3053フォトトライアック出力オプトカプラは最大3750 Vrmsの電圧を絶縁します。 VOM160、VOM3052、VOM3053、及びK3010P - 非ゼロクロス オプトカプラVOM160、VOM3052、VOM3053、及びK3010Pの用途には、トライアックドライブ、産業用制御、ソリッドステートリレー、照明制御、家庭用電化製品、オフィス機器などがあります。. BRT11、BRT12及びBRT13 - 非ゼロクロス BRT21- ゼロクロス オプトカプラBRT11、BRT12、BRT13及びBRT21の用途には、産業用制御、家庭用電化製品やオフィス機器があります。

静電容量 = 15F。電圧 = 4.2V dc。実装タイプ = スルーホール。動作温度 Min = -20℃。動作温度 Max = +85℃。直径 = 12mm。寸法 = 12 (Dia.) x 7.5mm。リード間隔 = 12.5mm。漏れ電流 = 0.12 mA。等価直列抵抗 = 1.8 (ac) Ω， 7.5 (dc) Ω。寿命 = 1000h。シリーズ = 196 HVC。許容差 = -20 → +80%。末端仕様 = ラジアルmm。196 HVCシリーズ. 低プロファイル: 2.5 mm 13 Ws/gの高電力密度 最高6つのセルを使用可能 90 Fまでの静電容量 スタック式スルーホール、フラット表面実装、及びレイフラット構成を備えたピン、タブ、コネクタを用意 幅広い電圧範囲: 1.4 → 8.4 V 有効寿命: 1000時間 @ +85 ℃. 組み込みコンピュータ、サーバー、データストレージシステム、業務用リモコン、リアルタイムクロック、緊急照明、ゲーム、自動販売機、ネットワーク機器における環境発電と電源ラインのバックアップ用途

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トライアック。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = PDIP。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。シリーズ = IL420。オプトカプラ、フォトトライアック出力、Vishay Semiconductor. フォトトライアック出力のVishayオプトカプラVOM160、VOM3052、VOM3053及びBRT21シリーズは120 V ac、240 V ac、及び380 V acラインから定電圧ロジックを遮断し、モータ、高電流サイリスタ又はトライアック、ソレノイド及びリレーなど、抵抗負荷、誘導負荷、又は容量性負荷を制御します。. VOM160、VOM3052及びVOM3053フォトトライアック出力オプトカプラは最大3750 Vrmsの電圧を絶縁します。 VOM160、VOM3052、VOM3053、及びK3010P - 非ゼロクロス オプトカプラVOM160、VOM3052、VOM3053、及びK3010Pの用途には、トライアックドライブ、産業用制御、ソリッドステートリレー、照明制御、家庭用電化製品、オフィス機器などがあります。. BRT11、BRT12及びBRT13 - 非ゼロクロス BRT21- ゼロクロス オプトカプラBRT11、BRT12、BRT13及びBRT21の用途には、産業用制御、家庭用電化製品やオフィス機器があります。

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトライアック。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。シリーズ = K。オプトカプラ、フォトトライアック出力、Vishay Semiconductor. フォトトライアック出力のVishayオプトカプラVOM160、VOM3052、VOM3053及びBRT21シリーズは120 V ac、240 V ac、及び380 V acラインから定電圧ロジックを遮断し、モータ、高電流サイリスタ又はトライアック、ソレノイド及びリレーなど、抵抗負荷、誘導負荷、又は容量性負荷を制御します。. VOM160、VOM3052及びVOM3053フォトトライアック出力オプトカプラは最大3750 Vrmsの電圧を絶縁します。 VOM160、VOM3052、VOM3053、及びK3010P - 非ゼロクロス オプトカプラVOM160、VOM3052、VOM3053、及びK3010Pの用途には、トライアックドライブ、産業用制御、ソリッドステートリレー、照明制御、家庭用電化製品、オフィス機器などがあります。. BRT11、BRT12及びBRT13 - 非ゼロクロス BRT21- ゼロクロス オプトカプラBRT11、BRT12、BRT13及びBRT21の用途には、産業用制御、家庭用電化製品やオフィス機器があります。

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトライアック。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SOP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 3750 Vrms。シリーズ = VOM。オプトカプラ、フォトトライアック出力、Vishay Semiconductor. フォトトライアック出力のVishayオプトカプラVOM160、VOM3052、VOM3053及びBRT21シリーズは120 V ac、240 V ac、及び380 V acラインから定電圧ロジックを遮断し、モータ、高電流サイリスタ又はトライアック、ソレノイド及びリレーなど、抵抗負荷、誘導負荷、又は容量性負荷を制御します。. VOM160、VOM3052及びVOM3053フォトトライアック出力オプトカプラは最大3750 Vrmsの電圧を絶縁します。 VOM160、VOM3052、VOM3053、及びK3010P - 非ゼロクロス オプトカプラVOM160、VOM3052、VOM3053、及びK3010Pの用途には、トライアックドライブ、産業用制御、ソリッドステートリレー、照明制御、家庭用電化製品、オフィス機器などがあります。. BRT11、BRT12及びBRT13 - 非ゼロクロス BRT21- ゼロクロス オプトカプラBRT11、BRT12、BRT13及びBRT21の用途には、産業用制御、家庭用電化製品やオフィス機器があります。

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 17V。最小ブレークダウン電圧 = 11.1V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 10V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 35.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 24.4V。最小ブレークダウン電圧 = 16.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 15V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 24.6A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 53.3V。最小ブレークダウン電圧 = 36.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 33V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 11.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 65.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 29.2V。最小ブレークダウン電圧 = 20V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 18V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 20.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 4.7mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 15.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 10.3V。最小ブレークダウン電圧 = 6.67V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 6V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 58.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 19.9V。最小ブレークダウン電圧 = 13.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 30.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 27.6V。最小ブレークダウン電圧 = 18.9V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 17V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 21.7A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 42.1V。最小ブレークダウン電圧 = 28.9V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 26V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 14.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。幅 = 3.8mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信